一种计算nand中多比特最优参考电压的方法及其系统技术方案

本发明专利技术涉及一种计算nand中多比特最优参考电压的方法及其系统；其中，计算nand中多比特最优参考电压的方法，包括以下步骤；S1，在同一批次中随机选取部分块作为样本；S2，确定每个样本的1比特最优参考电压，并进行读取；S3，统计各个电压档错误的个数；S4，选取部分块的错误统计结果，统计每个电压档错误的出错概率；S5，根据给定的多比特的LLR信息，计算确定错误的影响因子；S6，确定最优参考电压。本发明专利技术通过数学的方法来计算多比特最优参考电压的位置，大大减少了实际测试需要的数据统计量，提高了效率。

A method and system for calculating multi bit optimal reference voltage in NAND

The present invention relates to a method and system for calculating the multi-bit optimal reference voltage in nand, in which the method for calculating the multi-bit optimal reference voltage in NAND includes the following steps: S1, random selection of some blocks as samples in the same batch; S2, determination of the 1-bit optimal reference voltage of each sample, and reading; 3, count the number of errors in each voltage range; S4, select the error statistics results of some blocks, count the error probability of each voltage range; S5, calculate and determine the impact factor of errors according to the given multi-bit LR information; S6, determine the optimal reference voltage. The present invention calculates the position of multi-bit optimal reference voltage by mathematical method, greatly reduces the data statistics needed for actual testing, and improves the efficiency.

【技术实现步骤摘要】
一种计算nand中多比特最优参考电压的方法及其系统
本专利技术涉及通信纠错算法领域，更具体地说是指一种计算nand中多比特最优参考电压的方法及其系统。
技术介绍
目前在nand中采用的读参考电压大部分是颗粒厂商提供，或者通过大量的实测数据获得，并没有一个较为统一的理论方法。然而，获取最优参考电压对于nand读操作具有重要的意义，其直接影响nand读重试的次数，从而影响效率，甚至会影响到译码算法的译码结果。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种计算nand中多比特最优参考电压的方法及其系统。为实现上述目的，本专利技术采用以下技术方案：一种计算nand中多比特最优参考电压的方法，包括以下步骤；S1，在同一批次中随机选取部分块作为样本；S2，确定每个样本的1比特最优参考电压，并进行读取；S3，统计各个电压档错误的个数；S4，选取部分块的错误统计结果，统计每个电压档错误的出错概率；S5，根据给定的多比特的LLR信息，计算确定错误的影响因子；S6，确定最优参考电压。其进一步技术方案为：所述S1包括：S11，在同一批次中随机选取部分nand，在nand中随机选取部分块作为样本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种计算nand中多比特最优参考电压的方法，其特征在于，包括以下步骤；S1，在同一批次中随机选取部分块作为样本；S2，确定每个样本的1比特最优参考电压，并进行读取；S3，统计各个电压档错误的个数；S4，选取部分块的错误统计结果，统计每个电压档错误的出错概率；S5，根据给定的多比特的LLR信息，计算确定错误的影响因子；S6，确定最优参考电压。

【技术特征摘要】
1.一种计算nand中多比特最优参考电压的方法，其特征在于，包括以下步骤；S1，在同一批次中随机选取部分块作为样本；S2，确定每个样本的1比特最优参考电压，并进行读取；S3，统计各个电压档错误的个数；S4，选取部分块的错误统计结果，统计每个电压档错误的出错概率；S5，根据给定的多比特的LLR信息，计算确定错误的影响因子；S6，确定最优参考电压。2.根据权利要求1所述的一种计算nand中多比特最优参考电压的方法，其特征在于，所述S1包括：S11，在同一批次中随机选取部分nand，在nand中随机选取部分块作为样本；S12，写入已知数据到样本中。3.根据权利要求1所述的一种计算nand中多比特最优参考电压的方法，其特征在于，所述S2包括：S21，采用交叉法确定每个样本的1比特最优参考电压；S22，以1比特参考电压左右偏动，将电压区间分成多个电压档进行nand读取。4.根据权利要求1所述的一种计算nand中多比特最优参考电压的方法，其特征在于，所述S3中，错误包括硬错误和软错误，并分别对硬错误和软错误进行个数统计。5.根据权利要求4所述的一种计算nand中多比特最优参考电压的方法，其特征在于，所述S4包括：S41，选取部分块的硬错误和软错误的统计结果；S42，通过数学方法统计每个电压档硬错误和软错误的出错概率。6.根据权利要求5所述的一种计算nand中多比特最优参考电压的方法，其特征在于，所述S5中，根据译码算法以及给定的多比特的LLR信息，计算确定硬错误和...

【专利技术属性】
技术研发人员：管金新，郭超，
申请(专利权)人：深圳忆联信息系统有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44