声表面波滤波器结合抗混迭滤波器的射频电路及终端制造技术

声表面波滤波器结合抗混迭滤波器的射频电路及终端，本申请公开了一种信号处理电路，该信号处理电路应用于物联网终端，该信号处理电路包括：天线电路、第一滤波电路、开关电路、低噪声放大电路、混频电路、第二滤波电路、功率放大电路和A/D转换电路；天线电路的输出端与第一滤波电路的输入端连接，第一滤波电路的输出端与开关电路的输入端连接，开关电路的输出端与低噪声放大电路的输入端连接，低噪声放大电路的输出端与混频电路的输入端连接，混频电路的输出端与第二滤波电路的输入端连接，第二滤波电路的输出端与功率放大电路的输入端连接，功率放大电路的输出端与A/D转换电路的输入端连接。通过本申请实施例中的信号处理电路提高信号质量，利于调制解调器接收射频信号。

RF circuit and terminal of SAW filter combined with anti aliasing filter

This application discloses a signal processing circuit which is applied to the Internet of Things terminal. The signal processing circuit includes antenna circuit, first filter circuit, switch circuit, low noise amplifier circuit, mixer circuit and second filter. Circuit, power amplifier circuit and A/D conversion circuit; output end of antenna circuit is connected with input end of first filter circuit; output end of first filter circuit is connected with input end of switching circuit; output end of switching circuit is connected with input end of low noise amplifier circuit; output end of low noise amplifier circuit is connected with mixing circuit. The input end of the mixer circuit is connected with the input end of the second filter circuit, the output end of the second filter circuit is connected with the input end of the power amplifier circuit, and the output end of the power amplifier circuit is connected with the input end of the A/D conversion circuit. The signal processing circuit in the embodiment of this application improves the signal quality and is beneficial for the modem to receive the radio frequency signal.

【技术实现步骤摘要】
声表面波滤波器结合抗混迭滤波器的射频电路及终端
本申请涉及电路结构
，尤其涉及一种声表面波滤波器结合抗混迭滤波器的射频电路及终端。
技术介绍
物联网通过智能感知、识别技术与普适计算等通信感知技术广泛应用于网络的融合中，也因此被称为继计算机、互联网之后世界信息产业发展的第三次浪潮。物联网技术的飞速发展与应用，意味着对通信技术的要求越来越高，通讯信号的传输面临着越来越大的挑战。现有的物联网终端发射出和传输信号的过程中，只能进行短距离传输，而且在传输过程中，易受到干扰。而且，在遇到干扰时，噪声较多，导致接收机灵敏度降低及ADC的增益较低，不利于调制解调器处理接收信号。
技术实现思路
本申请实施例提供了一种声表面波滤波器结合抗混迭滤波器的物联网射频电路及终端，以期提高信号质量，改善接收信号质量。第一方面，本申请实施例提供一种信号处理电路，所述信号处理电路包括：天线电路、第一滤波电路、开关电路、低噪声放大电路、混频电路、第二滤波电路、功率放大电路和A/D转换电路；所述天线电路的输出端与所述第一滤波电路的输入端连接，所述第一滤波电路的输出端与所述开关电路的输入端连接，所述开关电路的输出端与所述低噪声放大电路的输入端连接，所述低噪声放大电路的输出端与所述混频电路的输入端连接，所述混频电路的输出端与所述第二滤波电路的输入端连接，所述第二滤波电路的输出端与所述功率放大电路的输入端连接。可选的，所述第一滤波电路包括：第一滤波器件、第二滤波器件、第三滤波器件和第四滤波器件；所述第一滤波器件与所述第二滤波器件并联组成第一并联电路，所述第三滤波器件与所述第四滤波器件并联组成第二并联电路，所述第一并联电路的第一端与所述第一滤波电路输入信号的第一端连接，所述第一并联电路的第二端与所述第二并联电路的第一端连接，所述第二并联电路的第二端与所述第一滤波电路输入信号的第二端连接；所述第二并联电路的第一端与第二端作为所述第一滤波电路输出信号的两个端口。可选的，所述开关电路为多路选择开关，所述开关电路包括4路发射信号处理电路和8路接收信号处理电路，其中，所述4路发射信号处理电路用于发射两个频段的射频信号，所述8路接收信号处理电路用于接收两个频段的射频信号。可选的，所述低噪声放大电路包括第一电源、第二电源、第三电源、第一电感、第二电感、第三电感、第一场效应晶体管、第二场效应晶体管、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻；所述低噪声放大电路的信号输入端与所述第一电感的第一端连接，所述第一电感的第二端与所述第一电容的第一端连接，所述第一电容的第二端与所述第一电源连接以及与所述第一电阻的第一端连接，所述第一电阻的第二端与所述第一场效应晶体管的栅极连接，所述第一场效应晶体管的源极与所述第二电感的第一端连接，所述第二电感的第二端接地，所述第二电源与所述第二电容的第一端以及所述第二场效应晶体管的栅极连接，所述第二电容的第二端与所述第二电阻的第一端连接，所述第二电阻的第二端接地，所述第二场效应晶体管的源极与所述第一场效应晶体管的漏极连接，所述第二场效应晶体管的漏极与所述第三电阻的第一端以及所述第三电感的第一端连接，所述第三电阻的第二端与所述第三电容的第一端以及所述第四电容的第一端连接，所述第三电容的第二端以及所述第四电容的第二端与所述低噪声放大电路的信号输出端连接，所述第三电感的第二端与所述第三电源连接。可选的，所述混频电路包括第四电源、第五电源、第四电感、第五电感、第六电感、第七电感、第三场效应晶体管、第四场效应晶体管、第五场效应晶体管、第六场效应晶体管、第七场效应晶体管、第八场效应晶体管、第九场效应晶体管、第十场效应晶体管、第五电容、第六电容、第七电容、第八电容、第九电容、第十电容、第四电阻和第五电阻；所述第三场效应晶体管和所述第四场效应晶体管的栅极均连接所述混频电路本振信号的输入端，所述第三场效应晶体管和所述第四场效应晶体管的源极均接地，所述第三场效应晶体管的漏极与所述第五场效应晶体管和第六场效应晶体管的源极连接，所述第四场效应晶体管的漏极与所述第七场效应晶体管和第八场效应晶体管的源极连接，所述第五场效应晶体管、第六场效应晶体管、第七场效应晶体管和第八场效应晶体管的栅极均与所述混频电路输入信号连接；所述第五场效应晶体管和第七场效应晶体管的漏极与所述第四电感的第一端连接，所述第四电感的第二端与所述第五电容、第七电容、第九电容、第四电阻、第五电感的第一端连接以及所述第九场效应晶体管的漏极连接，所述第九场效应晶体管的源极、所述第五电容的第二端以及所述第四电阻的第二端与所述第四电源连接，所述第七电容和所述第五电感的第二端接地，所述第九电容的第二端为所述混频电路的信号输出端；所述第六场效应晶体管和第八场效应晶体管的漏极与所述第七电感的第一端连接，所述第七电感的第二端与所述第六电容、第八电容、第十电容、第五电阻、第六电感的第一端连接以及所述第十场效应晶体管的漏极连接，所述第十场效应晶体管的源极、所述第六电容的第二端以及所述第五电阻的第二端与所述第五电源连接，所述第八电容和所述第六电感的第二端接地，所述第十电容的第二端为所述混频电路的信号输出端。可选的，所述第二滤波电路包括第八电感、第九电感、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十一电阻、第十一电容、第十二电容、第十三电容、第十四电容、第十五电容和第十六电容；所述第二滤波电路输入信号的第一端、所述第二滤波电路输出信号的第一端、所述第十一电容、第八电感、所述第六电阻和所述第七电阻之间串联，所述第二滤波电路输入信号的第二端、所述第二滤波电路输出信号的第二端、所述第十二电容、所述第九电感、所述第十电阻和所述第十一电阻之间串联，所述第八电阻的第一端接在所述第八电感和所述第六电阻之间，所述第八电阻的第二端与所述第九电阻的第一端连接，所述第九电阻的第二端接在所述第九电感和所述第十电阻之间，所述第十三电容的第一端接在所述第六电阻和所述第七电阻之间，所述第十三电容的第二端与所述第十五电容的第一端连接，所述第十五电容的第二端接在所述第十电阻和所述第十一电阻之间，所述第十四电容的第一端与所述第七电阻的第二端连接，所述第十四电容的第二端与所述第十六电容的第一端连接，所述第十六电容的第二端与所述第十一电容的第二端连接，所述第八电阻和第九电阻之间、所述第十三电容和十五电容之间、所述第十四电容和第十六电容之间均接地。可选的，所述信号处理电路还包括保护电路，所述保护电路用于在所述天线遭受预设电压时保护述信号处理电路。第二方面，本申请实施例提供了一种芯片，该芯片包括处理器、电源电路和上述任第一方面或第一方面的任一种可能的实现方式所提供的信号处理电路。第三方面，本申请实施例提供了一种电路板，该电路板包括调制解调器、信号处理器和上述第二方面提供的芯片。第四方面，本申请实施例提供了一种终端，该终端包括壳体和上述第三方面提供的电路板。实施本申请实施例，具有如下有益效果：可以看出，本申请中在混频电路的输出端并联了电容和电感的级联网络，通过并联电容和电感的级联网络，提高了混频电路输出信号的信噪比，优化了混频电路的性能，提高了接收信号的信号质量。同时，本申请信号处理电路中设置了第二滤波电路，提高了AD本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种信号处理电路，其特征在于，所述信号处理电路包括：天线电路、第一滤波电路、开关电路、低噪声放大电路、混频电路、第二滤波电路、功率放大电路和A/D转换电路；所述天线电路的输出端与所述第一滤波电路的输入端连接，所述第一滤波电路的输出端与所述开关电路的输入端连接，所述开关电路的输出端与所述低噪声放大电路的输入端连接，所述低噪声放大电路的输出端与所述混频电路的输入端连接，所述混频电路的输出端与所述第二滤波电路的输入端连接，所述第二滤波电路的输出端与所述功率放大电路的输入端连接，所述功率放大电路的输出端与所述A/D转换电路的输入端连接。

【技术特征摘要】
1.一种信号处理电路，其特征在于，所述信号处理电路包括：天线电路、第一滤波电路、开关电路、低噪声放大电路、混频电路、第二滤波电路、功率放大电路和A/D转换电路；所述天线电路的输出端与所述第一滤波电路的输入端连接，所述第一滤波电路的输出端与所述开关电路的输入端连接，所述开关电路的输出端与所述低噪声放大电路的输入端连接，所述低噪声放大电路的输出端与所述混频电路的输入端连接，所述混频电路的输出端与所述第二滤波电路的输入端连接，所述第二滤波电路的输出端与所述功率放大电路的输入端连接，所述功率放大电路的输出端与所述A/D转换电路的输入端连接。2.根据权利要求1所述的信号处理电路，其特征在于，所述第一滤波电路包括：第一滤波器件、第二滤波器件、第三滤波器件和第四滤波器件；所述第一滤波器件与所述第二滤波器件并联组成第一并联电路，所述第三滤波器件与所述第四滤波器件并联组成第二并联电路，所述第一并联电路的第一端与所述第一滤波电路输入信号的第一端连接，所述第一并联电路的第二端与所述第二并联电路的第一端连接，所述第二并联电路的第二端与所述第一滤波电路输入信号的第二端连接；所述第二并联电路的第一端与第二端作为所述第一滤波电路输出信号的两个端口。3.根据权利要求1或2所述的信号处理电路，其特征在于，所述开关电路为多路选择开关，所述开关电路包括4路发射信号处理电路和8路接收信号处理电路，其中，所述4路发射信号处理电路用于发射两个频段的射频信号，所述8路接收信号处理电路用于接收两个频段的射频信号。4.根据权利要求1-3任一项所述的信号处理电路，其特征在于，所述低噪声放大电路包括第一电源、第二电源、第三电源、第一电感、第二电感、第三电感、第一场效应晶体管、第二场效应晶体管、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻；所述低噪声放大电路的信号输入端与所述第一电感的第一端连接，所述第一电感的第二端与所述第一电容的第一端连接，所述第一电容的第二端与所述第一电源连接以及与所述第一电阻的第一端连接，所述第一电阻的第二端与所述第一场效应晶体管的栅极连接，所述第一场效应晶体管的源极与所述第二电感的第一端连接，所述第二电感的第二端接地，所述第二电源与所述第二电容的第一端以及所述第二场效应晶体管的栅极连接，所述第二电容的第二端与所述第二电阻的第一端连接，所述第二电阻的第二端接地，所述第二场效应晶体管的源极与所述第一场效应晶体管的漏极连接，所述第二场效应晶体管的漏极与所述第三电阻的第一端以及所述第三电感的第一端连接，所述第三电阻的第二端与所述第三电容的第一端以及所述第四电容的第一端连接，所述第三电容的第二端以及所述第四电容的第二端与所述低噪声放大电路的信号输出端连接，所述第三电感的第二端与所述第三电源连接。5.根据权利要求1所述的信号处理电路，其特征在于，所述混频电路包括第四电源、第五电源、第四电感、第五电感、第六电感、第七电感、第三场效应晶体管、第四场效应晶体管、第五场效应晶体管、第六场效应晶体管、第七场效应晶体管、第八场效应晶体管、第九场效应晶体管、第十场效应晶体管、第五电容、第六电容、第七电容、第八电容、第九电容、第十电容、第四电阻...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜光东，
申请(专利权)人：深圳市盛路物联通讯技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44