The invention discloses a heterojunction back-contact solar cell, which comprises a N-type crystalline silicon substrate. The first intrinsic amorphous silicon layer, the first doped amorphous silicon layer and the electrode layer are arranged on the backlight surface of the N-type crystalline silicon substrate in turn. The first doped amorphous silicon layer comprises a staggered N-type doping region and a P-type doping region, in which the electrode layer and the first doped amorphous silicon layer are A transparent conductive film layer is arranged between the doped amorphous silicon layers. The transparent conductive film layer consists of the first film layer and the second film layer arranged on the first doped amorphous silicon layer in turn. The work function of the first film layer is larger than that of the second film layer, and the work function of the first film layer is not less than 5eV. The invention solves the problem that the work function of the TCO thin film layer of the existing heterojunction back contact solar cell is small and the current loss is caused.
【技术实现步骤摘要】
一种异质结背接触太阳能电池及其制备方法
本专利技术涉及太阳能电池
,尤其涉及一种异质结背接触太阳能电池及其制备方法。
技术介绍
目前公布的异质结背接触太阳能电池结构中,为了实现电流的收集和导出,实现非晶硅层和金属电极良好的欧姆接触,在电池背面沉积一层厚度约为100nm左右的的TCO(透明导电层:TransparentConductiveOxide)薄膜。TCO薄膜由ITO(铟锡氧化物:IndiumtinOxide)构成,但是ITO的功函数(4.5eV)小于P型及N型非晶硅的功函数(>5eV),因此造成电流的损失,不利于提高太阳能电池的能量转换效率。另外,制备ITO结晶时,需要在超过150℃以上的温度下进行ITO的沉积。这样虽然获得了较佳的薄膜光电性质,但是ITO结晶过程会增加ITO层表面的粗糙度(>2.5nm),同时TCO薄膜的高温制作过程容易对非晶硅膜层造成损伤。
技术实现思路
鉴于现有技术存在的不足,本专利技术提供了一种异质结背接触太阳能电池及其制备方法,以解决ITO薄膜的功函数较低,导致电流损失的问题,以及TCO薄膜制备过程的高温对非晶硅膜层造成损伤的问题。为了达到上述的目的,本专利技术采用了如下的技术方案:一种异质结背接触太阳能电池,包括N型晶硅衬底,所述N型晶硅衬底的背光面上依次设置有第一本征非晶硅层、第一掺杂非晶硅层和电极层,所述第一掺杂非晶硅层包括交错排布的N型掺杂区和P型掺杂区,其中,所述电极层和所述第一掺杂非晶硅层之间设有透明导电薄膜层,所述透明导电薄膜层包括依次设置在所述第一掺杂非晶硅层上的第一薄膜层和第二 ...
【技术保护点】
1.一种异质结背接触太阳能电池,包括N型晶硅衬底(1),所述N型晶硅衬底(1)的背光面上依次设置有第一本征非晶硅层(2)、第一掺杂非晶硅层(3)和电极层(4),所述第一掺杂非晶硅层(3)包括交错排布的N型掺杂区(31)和P型掺杂区(32),其特征在于,所述电极层(4)和所述第一掺杂非晶硅层(3)之间设有透明导电薄膜层(5),所述透明导电薄膜层(5)包括依次设置在所述第一掺杂非晶硅层(3)上的第一薄膜层(51)和第二薄膜层(52),所述第一薄膜层(51)的功函数大于所述第二薄膜层(52)的功函数,所述第一薄膜层(51)的功函数不小于5eV。
【技术特征摘要】
1.一种异质结背接触太阳能电池,包括N型晶硅衬底(1),所述N型晶硅衬底(1)的背光面上依次设置有第一本征非晶硅层(2)、第一掺杂非晶硅层(3)和电极层(4),所述第一掺杂非晶硅层(3)包括交错排布的N型掺杂区(31)和P型掺杂区(32),其特征在于,所述电极层(4)和所述第一掺杂非晶硅层(3)之间设有透明导电薄膜层(5),所述透明导电薄膜层(5)包括依次设置在所述第一掺杂非晶硅层(3)上的第一薄膜层(51)和第二薄膜层(52),所述第一薄膜层(51)的功函数大于所述第二薄膜层(52)的功函数,所述第一薄膜层(51)的功函数不小于5eV。2.根据权利要求1所述的异质结背接触太阳能电池,其特征在于,所述第一薄膜层(51)的功函数为5eV~6eV。3.根据权利要求2所述的异质结背接触太阳能电池,其特征在于,所述第一薄膜层(51)的材料为IZTO,所述第二薄膜层(52)的材料为ITO。4.根据权利要求3所述的异质结背接触太阳能电池,其特征在于,所述第一薄膜层(51)的厚度为80~120nm。5.根据权利要求3所述的异质结背接触太阳能电池,其特征在于,所述第二薄膜层(52)厚度为20~50nm。6.根据权利要求1所述的异质结背接触太阳能电池,其特征在于,所述电极层(4)包括负电极(41)和正电极(42),所述负电极(41)电性连接到所述N型掺杂区(31),所述正电极(42)电性连接到所述P型掺杂区(32)。7.根据权利要求1-6任一...
【专利技术属性】
技术研发人员:卢刚,张敏,刘飞,何风琴,郑路,钱俊,王旭辉,杨勇州,杨振英,
申请(专利权)人:黄河水电光伏产业技术有限公司,青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司,国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司,青海黄河上游水电开发有限责任公司,
类型:发明
国别省市:青海,63
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