四氯化锆合成气的净化装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种四氯化锆合成气的净化装置及方法，该装置包括：储硅器，用于存储硅，向储硅器内通入氯化法制备四氯化锆得到的四氯化锆合成气，储硅器中的硅与四氯化锆合成气中的氯气反应生成四氯化硅，除去四氯化锆合成气中的氯气，得到第一合成气；第一冷却器，与储硅器连接，第一冷却器用于将第一合成气降温冷却析出固体四氯化锆，得到第二合成气；第二冷却器，与第一冷却器连接，第二冷却器用于将第二合成气降温冷却析出液体四氯化硅，得到尾气。通过化学反应的方法除去合成气中的氯气，简化了四氯化锆合成气的分离工艺，降低了分离设备的要求，降低分离成本，除氯气的同时生成的四氯化硅可继续用于多晶硅的生产，使得氯元素得到了回收利用。

Purification device and method for four zirconium chloride synthesis gas

The invention discloses a purifying device and method for zirconium tetrachloride syngas, which comprises a silicon storage device for storing silicon, a zirconium tetrachloride syngas prepared by chlorination method is injected into the silicon storage device, and silicon in the silicon storage device reacts with chlorine gas in zirconium tetrachloride syngas to form silicon tetrachloride and remove tetrachloride. The chlorine in the syngas of zirconium is used to obtain the first syngas; the first cooler is connected with the silicon storage device; the first cooler is used to cool the first syngas and precipitate solid zirconium tetrachloride to obtain the second syngas; the second cooler is connected with the first cooler and the second cooler is used to cool the precipitate of the second syngas. Four silicon chloride is obtained and tail gas is obtained. The chlorine in syngas is removed by chemical reaction, which simplifies the separation process of zirconium tetrachloride syngas, reduces the requirement of separation equipment, reduces the separation cost. The silicon tetrachloride generated at the same time of chlorine removal can continue to be used in the production of polycrystalline silicon, and makes the chlorine element recovered and utilized.

【技术实现步骤摘要】
四氯化锆合成气的净化装置及方法
本专利技术属于四氯化锆生产
，具体涉及一种四氯化锆合成气的净化装置及方法。
技术介绍
沸腾氯化法是最具有发展潜力的四氯化锆生产工艺，具有产品质量高，生产成本低，原料利用率高等优点。沸腾氯化法采用锆英砂、碳还原剂、氯气，在流化床反应器内进行反应制备四氯化锆，同时副产四氯化硅，其中碳还原剂包括木炭、石油焦、煤粉等。沸腾氯化法生产四氯化锆过程中，为了实现反应床层内的正常流化，氯气的流量会超过锆英砂氯化反应过程中的理论量，导致四氯化锆合成气中存在过量的氯气，过量氯气的存在增加了四氯化锆合成气分离的难度及分离成本，同时存在很大的安全隐患。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对现有技术中存在的上述不足，提供一种四氯化锆合成气的净化装置及方法，解决了现有技术中因四氯化锆合成气中含有氯气造成的分离难度大、分离成本高的问题。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是提供一种四氯化锆合成气的净化装置，包括：储硅器，用于存储硅，向储硅器内通入氯化法制备四氯化锆得到的四氯化锆合成气，储硅器中的硅与四氯化锆合成气中的氯气反应生成四氯化硅，除去四氯化锆合成气中的氯气，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种四氯化锆合成气的净化装置，其特征在于，包括：储硅器，用于存储硅，向储硅器内通入氯化法制备四氯化锆得到的四氯化锆合成气，储硅器中的硅与四氯化锆合成气中的氯气反应生成四氯化硅，除去四氯化锆合成气中的氯气，得到第一合成气；第一冷却器，与储硅器连接，第一冷却器用于将第一合成气降温冷却析出固体四氯化锆，得到第二合成气；第二冷却器，与第一冷却器连接，第二冷却器用于将第二合成气降温冷却析出液体四氯化硅，得到尾气。

【技术特征摘要】
1.一种四氯化锆合成气的净化装置，其特征在于，包括：储硅器，用于存储硅，向储硅器内通入氯化法制备四氯化锆得到的四氯化锆合成气，储硅器中的硅与四氯化锆合成气中的氯气反应生成四氯化硅，除去四氯化锆合成气中的氯气，得到第一合成气；第一冷却器，与储硅器连接，第一冷却器用于将第一合成气降温冷却析出固体四氯化锆，得到第二合成气；第二冷却器，与第一冷却器连接，第二冷却器用于将第二合成气降温冷却析出液体四氯化硅，得到尾气。2.根据权利要求1所述的四氯化锆合成气的净化装置，其特征在于，在反应器内通过氯化法制备四氯化锆合成气，储硅器与反应器的出口连接，四氯化锆合成气由反应器流入到储硅器中。3.根据权利要求1或2所述的四氯化锆合成气的净化装置，其特征在于，还包括：用于过滤除尘的第一过滤器，第一过滤器的出口与储硅器的入口连接，向第一过滤器内通入四氯化锆合成气进行过滤除尘，再流入到储硅器中除氯气。4.根据权利要求1所述的四氯化锆合成气的净化装置，其特征在于，在反应器内通过氯化法制备四氯化锆合成气，储硅器设置于反应器内，储硅器将反应器内的反应区域与反应器的出口分隔开，反应器内的反应区域得到的四氯化锆合成气先通过储硅器除去氯气，再通过反应器的出口排出。5.根据权利要求1、2、4任意一项所述的四氯化锆合成气的净化装置，其特征在于，还包括：用于过滤除尘的第一过滤器，第一过滤器设置于储硅器与第一冷却器之间，第一过滤器分别与储硅器、第一冷却器连接。6.根据权利要求1、2、4任意一项所述的四氯化锆合成气的净化装置，其特征在于，还包括：第二过滤器，设置于第一冷却器与第二冷却器之间，第二过滤器分别与第一冷却器、第二冷却器连接，第二过滤器用于过滤出固体四氯化锆；四氯化硅储罐，与第二冷却器连接，四氯化硅储罐用于接收液体四氯化硅。7.一种使用...

【专利技术属性】
技术研发人员：武珠峰，刘兴平，范协诚，银波，
申请(专利权)人：新特能源股份有限公司，新疆晶硕新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：新疆,65