A method for protecting a MEMS unit from infrared inspection is proposed, in which at least one layer is loaded into the structure of the element or at least one layer is applied to the surface of the element. Here, more than 50%, especially more than 90%, of the infrared light incident on the layer is absorbed, reflected or diffused by the at least one layer.
【技术实现步骤摘要】
保护MEMS单元免受红外线检查的方法和MEMS单元
本专利技术涉及一种用于保护MEMS单元、尤其是MEMS传感器免受红外线检查的方法以及对此的MEMS单元和MEMS传感器。
技术介绍
在过去这些年中，微系统（英语：microelectromechanicalsystem（微机电系统），MEMS）的重要性已经强烈增加。MEMS传感器、诸如基于MEMS的惯性传感器在无数电子设备和系统中被使用。机密的、不能读出或复制的密钥的应用是针对网络化世界中的数据安全的基础。这些密钥例如被用于加密数据传输或也被用于对网络参与者进行鉴权。在首先纯软件密钥已在非易失性存储器中、必要时在特别受保护的存储区域中被使用并且还在被使用之后，该趋势明确地走向基于硬件的密钥的方向。当前最普遍的方法是所谓的SRAM-PUF（PhysicalUnclonableFunction（物理不可克隆函数）），其中在晶体管中的制造公差导致在施加工作电压之后存储单元的随机的然而能够重复的接通状态。然而，如果用显著的耗费，则SRAM-PUF也已经不仅被读出而且也被复制。申请US2015200775A描述对基于硬件的...
【技术保护点】
1.一种用于保护MEMS单元（1）、尤其是MEMS传感器免遭红外线检查的方法，其中至少一个层（16）被装入到所述MEMS单元（1）的结构中或者至少一个层（16）被施加到所述MEMS单元（1）的表面上，其中所述至少一个层（16）将多于50%的、尤其是多于90%的入射到所述层上的红外线光吸收、反射或漫散射。
【技术特征摘要】
2017.04.13 DE 102017206388.21.一种用于保护MEMS单元（1）、尤其是MEMS传感器免遭红外线检查的方法，其中至少一个层（16）被装入到所述MEMS单元（1）的结构中或者至少一个层（16）被施加到所述MEMS单元（1）的表面上，其中所述至少一个层（16）将多于50%的、尤其是多于90%的入射到所述层上的红外线光吸收、反射或漫散射。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述至少一个层（16）在制造所述MEMS单元（1）时被装入或施加。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述至少一个层（16）在对于洞（15）的所述MEMS单元（1）的内面上被施加或者在对于所述洞（15）的内面的附近处被引入。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述至少一个层（16）在制造所述MEMS单元（1）之后被施加到所述MEMS单元（1）的外部表面上。5.根据上述权利要求之一所述的方法，其特征在于，作为所述至少一个层将另外的晶片装...
【专利技术属性】
技术研发人员：M库尔齐克，O维勒斯，S齐诺贝尔，U孔茨，
申请(专利权)人：罗伯特·博世有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE
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