一种单层盖板制造技术

技术编号:19264543 阅读:34 留言:0更新日期:2018-10-27 02:58
本实用新型专利技术涉及一种单层盖板,应用于热场,起到过渡支撑和密封作用,所述单层盖板包括N个环形小中空体,N为大于等于二的整数;N为二时,所述单层盖板包括一内环形小中空体和一外环形小中空体,所述内环形小中空体的外沿和外环形小中空体的内沿连接;N大于二时,所述单层盖板包括一内环形小中空体、至少一个中环形小中空体和一外环形小中空体,所述内环形小中空体的外沿和中环形小中空体的内沿连接;所述中环形小中空体的外沿和外环形小中空体的内沿连接。本申请的原材料选择范围广,不受尺寸限制,原料成本低;设计灵活,批量生产缩短交货周期,材料加工浪费少。

【技术实现步骤摘要】
一种单层盖板
本技术涉及热场零件,具体地说是涉及一种由碳/碳复合材料或石墨材料或耐高温金属材料或陶瓷材料制作、组装,用于覆盖连接导流板和保温桶的单层盖板。
技术介绍
在单晶硅的制作中,目前普遍采用直拉法(CZ法),就是沿着垂直方向从熔体中拉制单晶的方法。在现有技术设备中,随着单晶硅生长的晶体直径越来越粗,相应的单晶炉的直径也越做越大,这样对热场的可靠性和安全性也要求越来越高;单晶硅拉制炉的热场系统,对单晶硅的整棒率及成品率、拉速、单晶硅棒质量影响很大,因此,热场系统设计和热场内关键元件的选材和使用备受关注。在太阳能直拉单晶炉中使用的导流筒、保温桶等装置,是用石墨或者碳/碳材料制作的,这些装置的主要作用是隔绝硅棒与热源的热量,以便形成温度梯度提高晶体生长速度,让硅由半熔界面形成结晶,提拉成硅棒;对高温硅熔体起保温作用,节约能源。现有技术中,由于大尺寸单晶炉的迅速发展,导流筒、保温桶等装置也变成大尺寸导流筒和保温桶,而覆盖连接在两者之间的盖板尺寸和用于支撑导流筒的盖板尺寸也跟着变大,盖板是一个环形中空体,现有技术的盖板采用一整块板子加工成型或者采用预制体气相沉积后再机加工,不仅浪费材料,本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单层盖板,应用于热场,起到过渡支撑和密封作用,其特征在于,所述单层盖板是一个环形中空体,所述单层盖板包括N个环形小中空体,N为大于等于二的整数;N为二时,所述单层盖板包括一内环形小中空体和一外环形小中空体,所述内环形小中空体的外沿和外环形小中空体的内沿连接;N大于二时,所述单层盖板包括一内环形小中空体、至少一个中环形小中空体和一外环形小中空体,所述内环形小中空体的外沿和中环形小中空体的内沿连接;所述中环形小中空体的外沿和外环形小中空体的内沿连接。

【技术特征摘要】
1.一种单层盖板,应用于热场,起到过渡支撑和密封作用,其特征在于,所述单层盖板是一个环形中空体,所述单层盖板包括N个环形小中空体,N为大于等于二的整数;N为二时,所述单层盖板包括一内环形小中空体和一外环形小中空体,所述内环形小中空体的外沿和外环形小中空体的内沿连接;N大于二时,所述单层盖板包括一内环形小中空体、至少一个中环形小中空体和一外环形小中空体,所述内环形小中空体的外沿和中环形小中空体的内沿连接;所述中环形小中空体的外沿和外环形小中空体的内沿连接。2.如权利要求1所述的盖板,其特征在于,所述内环形小中空体包括若干个内环形片,所述内环形片的外沿开设环凹槽,所述内环形片的...

【专利技术属性】
技术研发人员:申富强申钰静
申请(专利权)人:上海骐杰碳素材料有限公司
类型:新型
国别省市:上海,31

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