【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于便携式应用的高性能两相冷却设备相关申请的交叉引用本非临时专利申请要求于2016年5月23日提交的美国临时专利申请序列号62/340308的优先权,并且其全部内容通过引用的方式被并入以用于所有目的。关于联邦政府资助的研究的声明不适用。关于微缩胶片附录的声明不适用。
本专利技术涉及半导体装置的冷却,且更具体地,涉及用以冷却半导体及其它装置的冷却系统。
技术介绍
采用各种半导体装置和集成电路的电子设备通常受到各种环境应力。这类电子设备的应用极其广泛,并且利用了不同的半导体材料。许多电子环境,比如移动装置或膝上型计算机,具有薄的/平面的构造,其中许多部件被有效包装在非常有限的空间中。因此,冷却解决方案还必须适应于薄的/平面的构造。对于许多电子冷却应用,采用薄的热接地平面(TGPs)形式的散热器会是期望的。
技术实现思路
本申请公开了两相冷却装置。两相冷却装置是可以以非常高的效率传递热的一类装置,并且可包括:热管、热接地平面、蒸汽室和热虹吸管等。在一些实施例中,本申请提供了包括至少三个基底的两相冷却装置。在一些实施例中,基底中的一个或更多个由微制造的金属形成,比如但不限于钛 ...
【技术保护点】
1.一种便携式装置,包括:热接地平面,所述热接地平面包含蒸汽区域和用于工作流体的液体区域,所述热接地平面布置在所述便携式装置的外壳体内,其中,所述热接地平面包括:钛背板、蒸汽腔、和形成在金属基底上的芯吸结构;集成电路芯片,所述集成电路芯片与所述热接地平面热连通,使得由所述芯片产生的热通过所述热接地平面被分布遍及所述便携式装置;并且其中,所述热接地平面与所述便携式装置的至少一个结构元件热连通,并且所述至少一个结构元件是大体等温的,其中,跨越所述结构元件的温度梯度小于10℃。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.05.23 US 62/3403081.一种便携式装置,包括:热接地平面,所述热接地平面包含蒸汽区域和用于工作流体的液体区域,所述热接地平面布置在所述便携式装置的外壳体内,其中,所述热接地平面包括:钛背板、蒸汽腔、和形成在金属基底上的芯吸结构;集成电路芯片,所述集成电路芯片与所述热接地平面热连通,使得由所述芯片产生的热通过所述热接地平面被分布遍及所述便携式装置;并且其中,所述热接地平面与所述便携式装置的至少一个结构元件热连通,并且所述至少一个结构元件是大体等温的,其中,跨越所述结构元件的温度梯度小于10℃。2.如权利要求1所述的便携式装置,其中,所述蒸汽腔由所述金属基底和所述钛背板围成,其中,所述金属基底由激光焊接密封到所述金属背板,以便形成密闭密封的蒸汽腔。3.如权利要求1所述的便携式装置,其中,所述结构元件是如下中的至少一个:所述便携式装置的中间框架构件、前面和背表面,其中,所述前面和所述背表面限定所述便携式装置的所述外壳体,并且所述中间框架构件是所述外壳体内的结构构件。4.如权利要求1所述的便携式装置,进一步包括在所述热接地平面内的芯吸结构,其中,所述芯吸结构包括与所述芯吸结构的至少一个区域交织的多个微结构,以便在所述热接地平面的至少一个区域中形成高效的高宽比芯吸结构,并且其中,所述微结构中的一个或更多个具有在大约1-1000微米之间的高度、在大约1-1000微米之间的宽度和在大约1-1000微米之间的间距,并且其中,所述微结构包括如下中的至少一个:通道、柱、槽和沟。5.如权利要求1所述的便携式装置,其中,所述热接地平面是所述便携式装置的结构元件,并且机械联接到所述便携式装置的所述外壳体或内壳体或中间壳体,但通过附接到所述中间框架构件悬挂在所述外壳体的内侧。6.如权利要求1所述的便携式装置,其中,所述热接地平面布置在形成在中间框架构件中的腔中,其中,所述中间框架构件包括钛。7.如权利要求6所述的便携式装置,其中,形成到所述中间框架构件中的所述腔的深度在约100和约1000微米之间,留下大约100到200微米的钛横跨所述腔跨越所述中间框架构件。8.如权利要求1所述的便携式装置,其中,所述热接地...
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