MEMS声学换能器元件和制造MEMS声学换能器元件的方法技术

本公开涉及一种MEMS声学换能器元件(100)以及一种用于制造这样的MEMS声学换能器元件(100)的方法，其中，所述方法还包括提供第一衬底(200)，其中所述第一衬底(200)具有第一衬底侧(201)、对置的第二衬底侧(202)和布置在所述第一衬底侧(201)上的膜层(203)。另外的方法步骤包括：从所述第二衬底侧(202)起，在对置于所述膜层(203)的第一面部段(221)中实施第一蚀刻，直到第一深度(d1)，另外的方法步骤包括：从所述第二衬底侧(202)起，在大于所述第一面部段(221)并且包括所述第一面部段(221)的第二面部段(222)中实施第二蚀刻，以便在所述第一面部段(221)中暴露所述膜层(203)并且为所述膜层(203)产生背部容积。

【技术实现步骤摘要】
MEMS声学换能器元件和制造MEMS声学换能器元件的方法
本公开的实施方式涉及MEMS声学换能器元件以及涉及用于制造MEMS声学换能器元件的方法或用于MEMS麦克风的晶片层封装。
技术介绍
MEMS声学换能器元件(MEMS：微机电系统)可以例如以MEMS麦克风的形式或以MEMS扬声器等的形式形成。此时，对这样的MEMS声学换能器元件尤其提出以下两个要求：在较大信噪比(SNR)方面的高声学性能，小封装尺寸。声学性能与所谓的背部容积直接相关。这里的一般规则是：背部容积越大，声学性能越好。因此，在高声学性能方面的第一要求在很大程度上与大背部容积关联，并且因此当然也不可避免地与很大的封装尺寸关联。如今，例如所谓的OCP(开腔式封装)被用于MEMS麦克风，如图12所示。在此，MEMS麦克风的背部容积1250借助于固定在衬底1200处的盖1201实现。有时借助于预成型衬底或借助于特殊的层压技术提供背部容积1250。为此，使用不同类型的盖1201和材料，例如金属盖或铸造盖。然而，背部容积1250与封装尺寸之间的尺寸比受到不利影响，这是由于所提供的腔1208内布置有单个裸片1202、1203这一事实本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于制造MEMS声学换能器元件(100)的方法，包括以下步骤：提供第一衬底(200)，所述第一衬底具有第一衬底侧(201)、对置的第二衬底侧(202)和布置在所述第一衬底侧(201)上的膜层(203)，从所述第二衬底侧(202)起，在对置于所述膜层(203)的第一面部段(221)中实施第一蚀刻，直到第一深度(d1)，从所述第二衬底侧(202)起，在大于所述第一面部段(221)并且包括所述第一面部段(221)的第二面部段(222)中实施实施第二蚀刻，以便在所述第一面部段(221)中使得所述膜层(203)裸露暴露并且为所述膜层(203)产生背部容积。

【技术特征摘要】
2017.04.07 DE 102017205971.01.一种用于制造MEMS声学换能器元件(100)的方法，包括以下步骤：提供第一衬底(200)，所述第一衬底具有第一衬底侧(201)、对置的第二衬底侧(202)和布置在所述第一衬底侧(201)上的膜层(203)，从所述第二衬底侧(202)起，在对置于所述膜层(203)的第一面部段(221)中实施第一蚀刻，直到第一深度(d1)，从所述第二衬底侧(202)起，在大于所述第一面部段(221)并且包括所述第一面部段(221)的第二面部段(222)中实施实施第二蚀刻，以便在所述第一面部段(221)中使得所述膜层(203)裸露暴露并且为所述膜层(203)产生背部容积。2.根据权利要求1所述的方法，还包括将盖(240)安装到所述第二衬底侧(202)上，其中，所述盖(240)与所述第一衬底(200)一起形成闭合腔(208)，所述闭合腔为所述膜层(203)提供所述背部容积。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，在所述第一蚀刻之前，在空出与所述膜层(203)对置的第一面部段(221)的情况下，将第一蚀刻掩模(211)布置在所述第二衬底侧(202)上，并且其中，实施使用所述第一蚀刻掩模(211)的所述第一蚀刻。4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在所述第二蚀刻之前，将第二蚀刻掩模(212)布置在所述第二衬底侧(202)上，其中，所述第二蚀刻掩模(212)围绕所述第二面部段(222)，并且其中，实施使用所述第二蚀刻掩模(212)的所述第二蚀刻。5.根据权利要求1或2所述的方法，其中，在所述第一蚀刻之前并且在所述第二蚀刻之前，将第一蚀刻掩模(211)和第二蚀刻掩模(212)布置在所述第二衬底侧(202)上，其中，所述第一蚀刻掩模(211)在与所述膜层(203)对置的第一面部段(221)中具有留空部，并且所述第二蚀刻掩模(212)围绕所述第二面部段(222)，其中，使用所述第一蚀刻掩模(211)进行所述第一蚀刻，并且实施使用所述第二蚀刻掩模(212)的所述第二蚀刻。6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第一蚀刻掩模(211)至少部分地覆盖所述第二蚀刻掩模(212)。7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括将遮盖部(301)布置在所述第一衬底侧(201)上，其中，所述遮盖部(301)与所述膜层(203)间隔并且至少部分地覆盖所述膜层(203)，并且其中，所述遮盖部(301)具有对置于所述膜层(203)的开口(302)。8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括布置接触部段(205)，以用于电接触所述MEMS声学换能器元件(100)，其中，所述接触部段(205)布置在所述第一衬底侧(201)上。9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括在所述第一衬底侧(201)上提供电路装置(204)，其中，所述电路装置(204)是被集成在所述第一衬底侧(201)中的电路装置，或者其中，所述电路装置(204)是构造在单独元件(263)中的电路装置，所述电路装置与所述第一衬底(200)至少机械耦合或电耦合。10.根据权利要求9所述的方法，还包括布置接触部段(205)，以用于电接触所述MEMS声学换能器元件(100)，其中，所述接触部段(205)布置在所述电路装置(204)的背离于所述第一衬底侧(201)的侧面(601)上。11.根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括提供电路装置(204)并且将所述电路装置(204)布置在所述背部容积(250)的内部。12.根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括利用浇铸料至少浇铸所述第一衬底侧(201)。13.根据前述权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·施泰尔特，H·托伊斯，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE