MEMS声学传感器的噪音抑制方法技术

本发明专利技术提供一种MEMS声学传感器的噪音抑制方法，包括：对声学MEMS芯片上电；通过设置在MEMS声学传感器的封装结构内的感应口，检测声学MEMS芯片是否处于工作状态；当感应口检测到声学MEMS芯片处于非工作状态时，设置在第二ASIC芯片的发热功率模块为间歇性工作模式；当感应口检测到声学MEMS芯片处于工作状态时，发热功率模块由间歇性工作模式转换为持续性工作模式。利用本发明专利技术，能够解决现有的MEMS声学传感器工作时由于芯片间歇性的发热而导致的MEMS声学噪音升高的问题。

【技术实现步骤摘要】
MEMS声学传感器的噪音抑制方法
本专利技术涉及MEMS
，更为具体地，涉及一种MEMS声学传感器的噪音抑制方法。
技术介绍
MEMS(MicroelectromechanicalSystems，微机电系统)是一种用微机械加工技术制作出来的电声换能器，其具有体积小、频响特性好、噪声低等特点。随着电子设备的小巧化、薄型化发展，MEMS麦克风被越来越广泛地运用到这些设备上。目前的MEMS声学传感器中，MEMS声学传感器包括MEMS芯片、ASIC芯片等数字芯片，当数字芯片间歇性工作时(周期性唤醒)，其间歇性的发热容易引起周围气体周期性的微小气压变动，被声学MEMS拾取，引起本噪升高。为解决上述问题，本专利技术提供一种MEMS声学传感器的噪音抑制方法。
技术实现思路
鉴于上述问题，本专利技术的目的是提供一种MEMS声学传感器的噪音抑制方法，以解决声学MEMS芯片工作时由于芯片间歇性的发热而导致的噪音升高的问题。本专利技术提供一种MEMS声学传感器的噪音抑制方法，包括：对声学MEMS芯片上电；通过设置在MEMS声学传感器的封装结构内的感应口，检测声学MEMS芯片是否处于工作状态；其中，当感应口检测到声学MEMS芯片处于非工作状态时，设置在第二ASIC芯片的发热功率模块为间歇性工作模式；当感应口检测到声学MEMS芯片处于工作状态时，发热功率模块由间歇性工作模式转换为持续性工作模式。此外，优选的方案是，封装结构由外壳和PCB板形成，其中，声学MEMS芯片、第二ASIC芯片设置在封装结构内部，并且，在封装结构内部还设置有第一ASIC芯片和第二MEMS芯片。此外，优选的方案是，感应口设置在第一ASIC芯片与第二ASIC芯片之间。此外，优选的方案是，在PCB板上设置有使声学MEMS芯片与外部连通的声孔。此外，优选的方案是，第一ASIC芯片通过金属线分别与声学MEMS芯片、第二ASIC芯片、PCB板电连接。此外，优选的方案是，声学MEMS芯片、第二MEMS芯片、第一ASIC芯片以及第二ASIC芯片均通过粘片胶固定在PCB板上。从上面的技术方案可知，本专利技术提供的MEMS声学传感器噪音的抑制方法，通过感应口检测声学MEMS芯片的工作状态，若声学MEMS芯片处于工作状态，第二ASIC芯片进入噪音抑制模式，此措施有效抑制了声学噪音的产生，提升声学传感器稳定性；同时这种分模式抑制模式也可减少不必要的功率损耗。为了实现上述以及相关目的，本专利技术的一个或多个方面包括后面将详细说明的特征。下面的说明以及附图详细说明了本专利技术的某些示例性方面。然而，这些方面指示的仅仅是可使用本专利技术的原理的各种方式中的一些方式。此外，本专利技术旨在包括所有这些方面以及它们的等同物。附图说明通过参考以下结合附图的说明，并且随着对本专利技术的更全面理解，本专利技术的其它目的及结果将更加明白及易于理解。在附图中：图1为根据本专利技术实施例的MEMS声学传感器噪音的抑制方法流程示意图；图2为根据本专利技术实施例的MEMS声学传感器结构示意图。其中的附图标记包括：1、外壳，2、PCB板，3、声学MEMS芯片，4、金属线，5、第一ASIC芯片，6、感应口，7、第二ASIC芯片，8、发热功率模块，9、第二MEMS芯片，10，声孔。在所有附图中相同的标号指示相似或相应的特征或功能。具体实施方式在下面的描述中，出于说明的目的，为了提供对一个或多个实施例的全面理解，阐述了许多具体细节。然而，很明显，也可以在没有这些具体细节的情况下实现这些实施例。针对前述提出的现有的MEMS声学传感器工作时由于芯片间歇性的发热而导致的噪音升高的问题，本专利技术提供了一种MEMS声学传感器的噪音抑制方法，通过不同的模式控制，抑制噪音的产生，提升MEMS声学传感器的稳定性。以下将结合附图对本专利技术的具体实施例进行详细描述。为了说明本专利技术提供的MEMS声学传感器的噪音抑制方法，图1示出了根据本专利技术实施例的MEMS声学传感器的噪音抑制方法流程。如图1所示，本专利技术提供的MEMS声学传感器的噪音抑制方法，包括：S110：对声学MEMS芯片上电；S120：通过设置在MEMS声学传感器的封装结构内的感应口，检测声学MEMS芯片是否处于工作状态；其中，若处于非工作状态，进入步骤S130；若处于工作状态，进入步骤S140；S130：当感应口检测到所述声学MEMS芯片处于非工作状态时，设置在第二ASIC芯片的发热功率模块为间歇性工作模式；S140：当感应口检测到所述声学MEMS芯片处于工作状态时，所述发热功率模块由间歇性工作模式转换为持续性工作模式；步骤结束后，循环检测声学MEMS芯片所处的状态，即：S150：设置在MEMS声学传感器的封装结构内的感应口，检测声学MEMS芯片是否处于工作状态；其中，若处于非工作状态，返回步骤S130；若处于工作状态，返回步骤S140。上述为本专利技术提供的MEMS声学传感器的噪音抑制的具体方法，其中，需要说明的是，步骤S130，设置在第二ASIC芯片的发热功率模块为间歇性工作模式，即：MEMS声学传感器为进入正常模式；步骤S140，第二ASIC芯片的发热功率模块由间歇性工作模式转换为持续性工作模式，即：MEMS声学传感器为进入抑制噪音模式。在步骤S140中，第二ASIC芯片的发热功率模块为间歇性工作模式转换为持续性工作模式，是为了避免引起周围气体的微小气压变动。此措施有效抑制了噪音的产生，提升MEMS声学传感器的稳定性。在本专利技术中，采用了正常模式和抑制噪音的模式两种工作模式，这种分模式控制方式的工作模式，不但可以有效抑制声学噪音的产生，还可以减少不必要的功率损耗。为了进一步说明MEMS声学传感器的结构，图2为根据本专利技术实施例的MEMS声学传感器结构。如图2所示，MEMS声学传感器包括由外壳1和PCB板2形成的封装结构，其中，声学MEMS芯片3、第二ASIC芯片7设置在封装结构内部，并且，在封装结构内部还设置有第一ASIC芯片5和第二MEMS芯片9。在本专利技术图2所示的实施例中，声学MEMS芯片3、第二MEMS芯片9、第一ASIC芯片5以及第二ASIC芯片7固定在PCB板2上。其中，感应口6设置在第一ASIC芯片5与第二ASIC芯片6之间。感应口6用于检测MEMS声学传感器中声学MEMS芯片是否工作状态。其中，在第二ASIC芯片7上设置有发热功率模块8，当声学MEMS芯片3工作时，第二ASIC芯片的发热功率模块8为间歇性工作模式转换为持续性工作模式，是为了避免引起周围气体的微小气压变动，从而抑制声学噪音。其中，在PCB板2上设置有使声学MEMS芯片3与外部连通的声孔10。在本专利技术的实施例中，第一ASIC芯片5通过金属线4分别与所述声学MEMS芯3片、第二ASIC芯片7、PCB板2电连接；同时，声学MEMS芯片3、第二MEMS芯片9、第一ASIC芯片5以及第二ASIC芯片7均通过粘片胶固定在PCB板2上。通过上述实施方式可以看出，本专利技术提供的MEMS声学传感器噪音的抑制方法，通过感应口检测声学MEMS芯片的工作状态，若声学MEMS芯片处于工作状态，第二ASIC芯片进入噪音抑制模式，此措施有效抑制了噪音的产生，提升声学传感器稳定性；同时这种分模式抑制模式也可减少不必要的功率损耗。如上参照附图以示例的方式描述了根据本专利技术提出的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MEMS声学传感器的噪音抑制方法，包括：MEMS声学传感器对声学MEMS芯片上电；通过设置在所述MEMS声学传感器的封装结构内的感应口，检测所述声学MEMS芯片是否处于工作状态；其中，当所述感应口检测到所述声学MEMS芯片处于非工作状态时，设置在第二ASIC芯片的发热功率模块为间歇性工作模式；当所述感应口检测到所述声学MEMS芯片处于工作状态时，所述发热功率模块由间歇性工作模式转换为持续性工作模式。

【技术特征摘要】
1.一种MEMS声学传感器的噪音抑制方法，包括：MEMS声学传感器对声学MEMS芯片上电；通过设置在所述MEMS声学传感器的封装结构内的感应口，检测所述声学MEMS芯片是否处于工作状态；其中，当所述感应口检测到所述声学MEMS芯片处于非工作状态时，设置在第二ASIC芯片的发热功率模块为间歇性工作模式；当所述感应口检测到所述声学MEMS芯片处于工作状态时，所述发热功率模块由间歇性工作模式转换为持续性工作模式。2.如权利要求1所述的MEMS声学传感器的噪音抑制方法，其中，所述封装结构由外壳和PCB板形成，其中，所述声学MEMS芯片、所述第二ASIC芯片设置在所述封装结构内部，并且，在所述封装结构内部还设置有所述第一AS...

【专利技术属性】
技术研发人员：端木鲁玉，徐香菊，王德信，
申请(专利权)人：歌尔股份有限公司，
类型：发明
国别省市：山东,37