芯片型过电压吸收器制造技术

本发明专利技术公开一种芯片型过电压吸收器，其具有在过电压流入过程中也能够实现稳定的功能的电容。所述电压吸收器的放电电极的对向部以放电电极的水平面为基准而向放电空间的内部引入预定深度。

【技术实现步骤摘要】
芯片型过电压吸收器
本专利技术涉及一种芯片型过电压吸收器，尤其涉及一种具有能够在过电压的流入下实现稳定的功能的电容的芯片型过电压吸收器(surgearrester)。
技术介绍
最近，使用金属素材的壳体的便携式电子装置逐渐增加。金属壳体具有天线等的电路有用性以及耐久性等多样的优点，但是由于与人体直接接触的面较多，因此可能会存在如下的两种问题。其中的一种为，在对电子设备的电池进行充电的过程中，如果发生充电器电路的电短路，则基于该原因的漏电流通过电路而流入到壳体，从而对与壳体接触的人体产生电击等。另一种为，根据周围的环境而从人体产生的静电放电等通过壳体而流入到内部电路，从而损害半导体IC电路部件。为了解决如上所示的两个问题，壳体和电子设备的内部电路将具有高绝缘耐力的无源元件串联连接而使用。如上所示的无源元件可看作执行一种过电压保护功能，附加地，由于壳体在执行无线通信的电子设备中执行天线的功能，所以针对预定频率范围以上或者以下的信号则需要起到滤波作用。如上所述的无源元件可看作具备能够执行过电压保护功能的过电压吸收器的功能和执行频率的滤波功能的具有预定范围的电容值的电容器的复合功能。在芯片型本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片型电压吸收器，其特征在于，包括：电介质陶瓷；放电电极，埋设于所述电介质陶瓷的内部并分别电连接到外部电极；以及，放电空间，在放电电极的彼此对向的对向部之间且在所述电介质陶瓷内部垂直地形成，其中，所述对向部以所述放电电极的水平面为基准而向所述放电空间内部引入预定深度。

【技术特征摘要】
2017.03.29 KR 10-2017-00397331.一种芯片型电压吸收器，其特征在于，包括：电介质陶瓷；放电电极，埋设于所述电介质陶瓷的内部并分别电连接到外部电极；以及，放电空间，在放电电极的彼此对向的对向部之间且在所述电介质陶瓷内部垂直地形成，其中，所述对向部以所述放电电极的水平面为基准而向所述放电空间内部引入预定深度。2.如权利要求1所述的芯片型电压吸收器，其特征在于，满足0.1×Lb<La<0.95×Lb，其中，La是所述对向部之间的间距，Lb是所述放电电极之间的间距。3....

【专利技术属性】
技术研发人员：金善基，崔光辉，李尚奂，
申请(专利权)人：卓英社有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR