【技术实现步骤摘要】
基于非平面结构的响应来表征流体样本
本公开涉及流体样本测试并且更具体地涉及基于非平面结构的响应(例如,通过渗透)来表征流体样本。
技术介绍
本文中所提供的背景描述用于总地呈现本公开的上下文的目的。除非在本文中另有指示,本部分中描述的材料不是本申请中的权利要求的现有技术,并且不因为包含在本部分中而被承认为现有技术。用于化学分析的设备可包括形成在半导体衬底上的薄膜。该薄膜可提供对流体(例如,液体或气体)中物质的浓度的指示。例如,在血糖监测中,可将一滴血置于与数字血糖仪对接的一次性试纸条上。血糖水平可在该数字血糖仪的显示器上被示出。为了减少成本,提高精确度,提高速度,扩大可被测量的材料的范围,和/或为了其他原因,需要对于使用形成在半导体衬底上的薄膜的化学分析的替代方案。附图简述通过下列具体实施方式连同附图,将容易理解实施例。为了便于该描述,相同的附图标记指示相同的结构元件。在附图中,通过示例而非限制地说明实施例。图1例示出根据各个实施例的配备有用于基于非平面结构的响应来表征流体样本的技术的示例系统。图2例示出根据各个实施例的配备有用于基于非平面结构的响应来表征流体样本的技术的另一示例系统的截面图。图3是示出形成图2的系统的过程的流程图。图4是使用本文所描述的系统中的任一个来标识指示流体样本的特征的值的过程的流程图。图5示出了根据各个实施例的可采用本文中所描述的装置和/或方法的示例计算设备。具体实施方式本文公开了与基于非平面结构的响应(例如,通过渗透)来表征流体样本相关联的装置、方法和存储介质。在实施例中,装置可包括非平面结构,该非平面结构具有外表(例如,弯曲外表 ...
【技术保护点】
1.一种装置,包括:衬底;形成于衬底上的非平面结构,所述非平面结构具有半透膜以及可由所述半透膜限定的核心,所述半透膜用于将物质渗透到所述核心或从所述核心向外渗透,其中所述非平面结构的特征将响应于通过所述半透膜的所述物质的渗透而改变;以及形成于所述衬底上的传感器,所述传感器用于响应于所述非平面结构对流体样本的暴露来获得测量结果;以及电路,用于基于所述测量结果来标识指示所述流体样本的特征的值。
【技术特征摘要】
2017.03.30 US 15/474,5301.一种装置,包括:衬底;形成于衬底上的非平面结构,所述非平面结构具有半透膜以及可由所述半透膜限定的核心,所述半透膜用于将物质渗透到所述核心或从所述核心向外渗透,其中所述非平面结构的特征将响应于通过所述半透膜的所述物质的渗透而改变;以及形成于所述衬底上的传感器,所述传感器用于响应于所述非平面结构对流体样本的暴露来获得测量结果;以及电路,用于基于所述测量结果来标识指示所述流体样本的特征的值。2.如权利要求1所述的装置,进一步包括致动器,用于执行以下各项的至少一者:将电流施加到所述非平面结构以使用所述传感器获得所述测量结果,将光投射于所述非平面结构上以使用所述传感器获得所述测量结果,将机械应力施加于所述半透膜的外表面以使用所述传感器获得所述测量结果,或将气压变化施加于所述半透膜的所述外表面以使用所述传感器获得所述测量结果。3.如权利要求2所述的装置,其中所述致动器包括以下各项中的至少一者:可见光谱光源,UV(紫外线)光谱光源,或者红外线光谱光源。4.如权利要求2所述的装置,其中所述光包括激光束。5.如权利要求1所述的装置,其中所述传感器用于响应于所述流体通过所述半透膜的所述渗透来测量流体地耦合至所述非平面结构的储器的容积。6.如权利要求1所述的装置,其中所述非平面结构形成于所述衬底的表面上的开口中。7.如权利要求1所述的装置,其中所述半透膜将从所述表面突出。8.如权利要求1所述的装置,其中所述非平面结构完全形成于所述衬底的表面上的开口内。9.如权利要求1所述的装置,其中所述非平面结构将响应于所述流体样本的吸收或排出而膨胀或收缩。10.如权利要求1-9中任一项所述的装置,其中所述非平面结构的形状包括以下各项的至少一个:球体、椭球体、半球体、截球体或截椭球体。11.一种装置,包括:衬底;形成于所述衬底上的非平面结构,所述非平面结构具有弯曲外表以及由所述弯曲外表限定的核心,其中所述核心的内容物将响应于将流体样本施加于所述非平面结构而通过渗透来改变;以及形成于所述衬底上的模块,用于响应于将所述流体样本施加于所述非平面结构来标识所述非平面结构的特征的改变,所标识的改变指示所述流体样本的属性。12.如权利要求11所述的装置,其中所述模块包括处理器,用于:响应于所述非平面结构的体积变化来标识对电容、电阻或电感中的至少一者上的改变的测量结果;以及基于所述测量结果来计算指示所述流体样本的所述属性的值。13.如权利要求11所述的装置,其中所述模块包括处理器,用于:响应于施加于所述弯曲外表的不同位置的力来标识对所述弯曲外表的部分的位置的改变的测量结果;以及基于所述测量结果来计算指示所述流体样本的所述属性的值。14.如权利要求11所述的装置,其中所述模块包括处理器,用于:响应于施加于所述非平面...
【专利技术属性】
技术研发人员:V·曼纳波,H·考尔,Y·I·克里蒙,D·I·颇斯纳,A·K·艾纳曼德拉姆,
申请(专利权)人:英特尔公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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