可抑制电磁干扰的自适应驱动电路及应用其的开关电源制造技术

本实用新型专利技术涉及一种可抑制电磁干扰的自适应驱动电路及应用其的开关电源，该驱动电路包括：偏置电流源、第一至第七晶体管、反相器，第一电阻及第二电阻；该开关电源包括变压器以及采用该驱动电路的控制电路，且控制电路与变压器的初级侧以及次级侧相连或与变压器次级侧的回授单元相连。本实用新型专利技术提出的一种可抑制电磁干扰的自适应驱动电路及应用其的开关电源，能够实现对电源系统EMI的极大抑制，有效使电源系统的电磁干扰（EMI）平坦化，从而有效降低开关电源系统的EMI处理难度，降低客户设计成本，具有较好的使用价值。

Adaptive driving circuit capable of suppressing electromagnetic interference and switching power supply applying the same

The utility model relates to an adaptive driving circuit capable of suppressing electromagnetic interference and a switching power supply for the application thereof. The driving circuit comprises a bias current source, a first to seventh transistor, a inverter, a first resistance and a second resistance; the switching power supply comprises a transformer and a control circuit adopting the driving circuit, and the control thereof. The circuit is connected to the primary side and secondary side of the transformer or connected to the feedback unit on the secondary side of the transformer. The utility model provides an adaptive driving circuit which can suppress electromagnetic interference and its switching power supply, which can greatly suppress the EMI of the power supply system, effectively flatten the electromagnetic interference (EMI) of the power supply system, thereby effectively reducing the difficulty of EMI processing of the switching power supply system, and reducing the design cost of customers. It has better use value.

【技术实现步骤摘要】
可抑制电磁干扰的自适应驱动电路及应用其的开关电源
本技术涉及一种可抑制电磁干扰的自适应驱动电路及应用其的开关电源。
技术介绍
电源作为所有电子产品的供电设备，不仅需要满足性能上的要求，其自身所产生的电磁干扰也需要最小化，需要增加降低电磁干扰线路以达到能源规范要求，以减轻对用电设备的污染。传统开关电源转换器如图1所述，图1描绘了一种基于传统的脉宽调制技术的电源转换器100。通过将变压器TR1的辅助线圈中的电压分压后进行采样至电源转换器100的FB端口来产生脉冲宽度变化的方波信号（Vsw）控制功率开关管M1的开启和关闭，Vsw为ON/OFF方波信号，在OFF到ON转换过程中，上升边沿所经历的时间极其短暂，传统控制线路中，由于对上升边沿无特殊处理，导致功率管导通瞬间电磁干扰极大，包含大量的能量高的高频谐波干扰。所以有必要采取特殊技术消减开关电源变换器功率管导通瞬间的电磁干扰，使得被供电设备避免这样的电磁干扰。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种可抑制电磁干扰的自适应驱动电路及应用其的开关电源，以克服现有技术中存在的缺陷。为实现上述目的，本技术的技术方案是：一种可抑制电磁干扰的自适应驱动电路，包括：偏置电流源、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、反相器、第一电阻及第二电阻；所述偏置电流源的输入端、所述第六晶体管的漏极、所述第一晶体管的漏极、所述第二晶体管的漏极分别与电源VCC相连；所述偏置电流源的输出端分别与所述第五晶体管的栅极以及所述第七晶体管的漏极相连；所述第六晶体管的栅极与所述第四晶体管的栅极相连，并接入所述反相器的输出端，所述第六晶体管的源极与所述第五晶体管的漏极相连；所述第一晶体管的栅极分别与所述第五晶体管的源极以及所述第四晶体管的漏极相连，所述第一晶体管的源极与GATE输出端相连；所述第二晶体管的栅极与所述反相器的输入端相连，并接入PWM输入端，所述第二晶体管的源极与所述GATE输出端相连；所述第三晶体管的漏极与所述GATE输出端相连，所述第三晶体管的源极接地，所述第三晶体管的栅极与所述反相器的输出端相连；所述第四晶体管的源极接地；所述第七晶体管的源极接地，所述第七晶体管的栅极分别与所述第一电阻的另一端以及所述第二电阻的一端相连；所述第一电阻的一端与所述GATE输出端相连；所述第二电阻的另一端接地。在本技术一实施例中，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管为极大电流能力的驱动管，且所述第一晶体管、所述第三晶体管的电流能力大于所述第二晶体管。进一步的，还提供一种可抑制电磁干扰的自适应驱动电路的开关电源，包括一变压器，还包括一控制电路；所述控制电路包括一欠压锁定电路、所述可抑制电磁干扰的自适应驱动电路以及一脉宽调制器；所述控制电路与设置于所述变压器初级侧的回授单元相连。进一步的，还提供一种可抑制电磁干扰的自适应驱动电路的开关电源，包括一变压器，还包括一控制电路；所述控制电路包括一欠压锁定电路、所述可抑制电磁干扰的自适应驱动电路以及一脉宽调制器；所述控制电路与设置于所述变压器次级侧的回授单元相连。进一步的，开关电源能够应用于光耦反馈隔离型和非光耦反馈隔离型开关电源系统中；开关电源由欠压锁定电路、可抑制电磁干扰的自适应驱动电路以及一脉宽调制器内嵌于一集成电路中，以节省外部器件。相较于现有技术，本技术具有以下有益效果：本技术提出的一种可抑制电磁干扰的自适应驱动电路及应用其的开关电源，能够实现对电源系统EMI的极大抑制，有效使电源系统的电磁干扰（EMI）平坦化，从而有效降低开关电源系统的EMI处理难度，降低客户设计成本，具有较好的使用价值。附图说明图1是基于传统的开关电源转换系统示意图。图2是本技术中一实施例中带有可抑制电磁干扰的自适应驱动电路的开关电源转换系统示意图。图3是本技术中一实施例中可抑制电磁干扰的自适应驱动电路的电路连接示意图。图4是带有可抑制电磁干扰的自适应驱动电路的开关电源转换系统中功率管栅极的驱动信号波形图。图5是本技术中另一实施例中可抑制电磁干扰的自适应驱动电路的电路连接示意图。【标号说明】：100-传统的开关电源控制器；100A-采用本专利技术的开关电源控制器；2000-欠压锁定电路；3000-脉宽调制器；4000-传统驱动电路；4000A-可抑制电磁干扰的自适应驱动电路；4000B-带有可抑制电磁干扰的自适应驱动电路的开关电源转换系统中功率管栅极的驱动信号波形图；Q1~Q7-第一至第七开关晶体管；M1-外部功率开关管；TR1-变压器；D1、D2-第一至第二极管；R1、R2、R3、Ron、Rcs-电阻器；Cvcc、C1-电容器；INV-反相器；I1-偏置电流源；VIN-输入线电压；Vsw-开关信号；VFB-反馈电压；PWM-脉冲宽度比较器输出信号；Is-初级线圈电感峰值电流；Vcc-电源电压；Vth-功率管Q1的临界导通阈值。具体实施方式下面结合附图以及现有软件，对本技术的技术方案进行具体说明。在该说明过程中所涉及的现有软件均不是本技术所保护的客体，本技术仅保护该装置的结构以及连接关系。本技术提供一种可抑制电磁干扰的自适应驱动电路，包括：偏置电流源I1、第一晶体管Q1、第二晶体管Q2、第三晶体管Q3、第四晶体管Q4、第五晶体管Q5、第六晶体管Q6、第七晶体管Q7、反相器INV、第一电阻R1及第二电阻R2；偏置电流源的输入端I1、第六晶体管Q6的漏极、第一晶体管Q1的漏极、第二晶体管Q2的漏极分别与电源VCC相连；偏置电流源I1的输出端分别与第五晶体管Q5的栅极以及第七晶体管Q7的漏极相连；第六晶体管Q6的栅极与第四晶体管Q4的栅极相连，并接入反相器INV的输出端，第六晶体管Q6的源极与第五晶体管Q5的漏极相连；第一晶体管Q1的栅极分别与第五晶体管Q5的源极以及第四晶体管Q4的漏极相连，第一晶体管Q1的源极与GATE输出端相连；第二晶体管Q2的栅极与反相器INV的输入端相连，并接入PWM输入端，第二晶体管Q2的源极与GATE输出端相连；第三晶体管Q3的漏极与GATE输出端相连，第三晶体管Q3的源极接地，第三晶体管Q3的栅极与反相器的输出端相连；第四晶体管Q4的源极接地；第七晶体管Q7的源极接地，第七晶体管Q7的栅极分别与第一电阻R1的另一端以及第二电阻R2的一端相连；第一电阻R1的一端与GATE输出端相连；第二电阻R2的另一端接地。进一步的，在本实施例中，PWM输入端输入脉宽调制PWM信号；反相器的输入端响应PWM信号在其输出端产生反相的逻辑信号PWM_N。第一电阻R1、第二电阻R2，第四晶体管Q4、第五晶体管Q5、第六晶体管Q6、第七晶体管Q7以及偏置电流源I1响应信号PWM_N和GATE输出端产生的信号Vsw，在第一晶体管Q1的栅极产生信号B；第一晶体管Q1、第二晶体管Q2、第三晶体管Q3响应PWM信号、PWM_N以及信号B在GATE输出端产生输出信号Vsw。进一步的，在本实施例中，第一晶体管Q1、第二晶体管Q2、第三晶体管Q3为极大电流能力的驱动管，且第一晶体管Q1、第三晶体管Q3的电流能力大于第二晶体管Q2。为了让本领域技术人员进一步了解本技术提出的技术方案，下本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可抑制电磁干扰的自适应驱动电路，其特征在于，包括：偏置电流源、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、反相器、第一电阻及第二电阻；所述偏置电流源的输入端、所述第六晶体管的漏极、所述第一晶体管的漏极、所述第二晶体管的漏极分别与电源VCC相连；所述偏置电流源的输出端分别与所述第五晶体管的栅极以及所述第七晶体管的漏极相连；所述第六晶体管的栅极与所述第四晶体管的栅极相连，并接入所述反相器的输出端，所述第六晶体管的源极与所述第五晶体管的漏极相连；所述第一晶体管的栅极分别与所述第五晶体管的源极以及所述第四晶体管的漏极相连，所述第一晶体管的源极与GATE输出端相连；所述第二晶体管的栅极与所述反相器的输入端相连，并接入PWM输入端，所述第二晶体管的源极与所述GATE输出端相连；所述第三晶体管的漏极与所述GATE输出端相连，所述第三晶体管的源极接地，所述第三晶体管的栅极与所述反相器的输出端相连；所述第四晶体管的源极接地；所述第七晶体管的源极接地，所述第七晶体管的栅极分别与所述第一电阻的另一端以及所述第二电阻的一端相连；所述第一电阻的一端与所述GATE输出端相连；所述第二电阻的另一端接地。...

【技术特征摘要】
1.一种可抑制电磁干扰的自适应驱动电路，其特征在于，包括：偏置电流源、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、反相器、第一电阻及第二电阻；所述偏置电流源的输入端、所述第六晶体管的漏极、所述第一晶体管的漏极、所述第二晶体管的漏极分别与电源VCC相连；所述偏置电流源的输出端分别与所述第五晶体管的栅极以及所述第七晶体管的漏极相连；所述第六晶体管的栅极与所述第四晶体管的栅极相连，并接入所述反相器的输出端，所述第六晶体管的源极与所述第五晶体管的漏极相连；所述第一晶体管的栅极分别与所述第五晶体管的源极以及所述第四晶体管的漏极相连，所述第一晶体管的源极与GATE输出端相连；所述第二晶体管的栅极与所述反相器的输入端相连，并接入PWM输入端，所述第二晶体管的源极与所述GATE输出端相连；所述第三晶体管的漏极与所述GATE输出端相连，所述第三晶体管的源极接地，所述第三晶体管的栅极与所述反相器的输出端相连；所述第四晶体管的源极接地；所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：高耿辉，王利，
申请(专利权)人：大连连顺电子有限公司，友顺科技股份有限公司，厦门元顺微电子技术有限公司，
类型：新型
国别省市：辽宁,21