高集成化器件二维N×M通道光纤阵列的装置及加工方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种易加工的高集成化器件二维N×M通道光纤阵列的装置及加工方法，该装置包括有陶瓷插芯和金属光纤基座，所述陶瓷插芯中间带有光纤插入孔，现有光纤端头插入光纤插入孔，光纤端头与陶瓷插芯外侧端头齐平，所述金属光纤基座设有N×M个光纤固定通孔，所述金属光纤基座包括有插入面和连接面，所述陶瓷插芯从插入面插入光纤固定通孔后，光纤端头、陶瓷插芯端头、金属光纤基座连接面齐平。光纤基座采用金属材质容易进行加工，比现有的塑料等材质容易达到更高的精度，金属材质比塑料等材质变形程度小，容易固定更多的光纤，其固定后形成的光纤矩阵突破了现有光纤阵列不能达到5×M以上的二维阵列限制。

【技术实现步骤摘要】
高集成化器件二维N×M通道光纤阵列的装置及加工方法
本专利技术属于光纤阵列领域，特别涉及用于高集成化器件二维N×M通道光纤阵列的装置及其加工方法。
技术介绍
随着通信系统的发展以及网络宽带的需求不断提升，光纤传输的负载越来越大，网络设备的高度的集成化成为一种趋势，光纤的集成化的关键部分在于光纤连接端头的高度集成化。现有常规的光纤连接网络中，光纤的连接方式由单芯对单芯、12芯对12芯的点对点的一维连接方式过渡到24芯对24芯、48芯对48芯的二维连接方式。但是现有的光纤端头基座采用塑料等材质，其基座精度降低导致连接后传输有部分损失，传输效率低，现有基座采用塑料等材质其连接时产生轻微的不规则变形，导致在连接后会有光耦合损耗导致其工作效率不高，现有的光纤端头基座大，当多芯光纤进行连接后，对连接处端头进行保护时需要使用体积大重量重的保护壳，操作不便。专利106896445公开了一种任意纤芯距离的M×N二维光纤阵列及其制造方法，M为每层的光纤数量，N为光纤层，M、N均为正整数，数包括：二维微孔玻璃块和M×N根光纤，所述二维微孔玻璃块用于固定光纤，所述二维微孔玻璃块上设有若干个呈二维排列的微小通本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高集成化器件二维N×M通道光纤阵列的装置，其特征在于该装置包括有陶瓷插芯和金属光纤基座，所述陶瓷插芯中间带有光纤插入孔，现有光纤端头插入光纤插入孔，光纤端头与陶瓷插芯外侧端头齐平，所述金属光纤基座设有N×M个光纤固定通孔，所述金属光纤基座包括有插入面和连接面，所述陶瓷插芯从插入面插入光纤固定通孔，光纤端头、陶瓷插芯端头、金属光纤基座连接面齐平。

【技术特征摘要】
1.一种高集成化器件二维N×M通道光纤阵列的装置，其特征在于该装置包括有陶瓷插芯和金属光纤基座，所述陶瓷插芯中间带有光纤插入孔，现有光纤端头插入光纤插入孔，光纤端头与陶瓷插芯外侧端头齐平，所述金属光纤基座设有N×M个光纤固定通孔，所述金属光纤基座包括有插入面和连接面，所述陶瓷插芯从插入面插入光纤固定通孔，光纤端头、陶瓷插芯端头、金属光纤基座连接面齐平。2.根据权利要求1所述的光纤阵列的装置，其特征在于现有光纤端头通过耐高温胶黏剂黏接于光纤插入孔内壁；所述光纤端头插入陶瓷插芯后，对陶瓷插芯外侧端头进行研磨抛光。3.根据权利要求2所述的光纤阵列的装置，其特征在于所述金属光纤基座采用可伐合金，所述陶瓷插芯采用氧化锆陶瓷。4.根据权利要求3所述的光纤阵列的装置，其特征在于所述陶瓷插芯插入光纤固定通孔后，对金属光纤基座连接面、光纤端头、陶瓷插芯外侧端头进行研磨抛光，金属光纤基座连接端面在400倍光纤显微镜下无目视划痕。5.根据权利要求1～4之一所述的光纤阵列的装置，其特征在于所述光纤固定通孔设有5排以上，既N≥5。6.根据权利要求5所述的光纤阵列的装置，其特征在于所述光纤固定通孔设有495个，其中N＝15，M＝33。7.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱福琦，黄李坤，
申请(专利权)人：深圳市鹏大光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44