一种型材氧化着色工艺制造技术

技术编号:19191721 阅读:36 留言:0更新日期:2018-10-17 03:55
本发明专利技术公开了一种型材氧化着色工艺,氧化槽中硫酸135~165g/L、温度7~11℃;氧化电流从0.5~0.55A/dm2多阶递增至1~1.1A/dm2;相邻两阶的递增量为0.04~0.08A/dm2;着色槽中16~20g/L的H2SO4、13~17g/L的Sn2+、13~17g/L的Ni2+,着色槽温度15~25℃,电压15~22V,时间17~23min。多种氧化工艺叠加,氧化膜层形成多层不同硬度膜层,再以金属离子电解着色方法,使膜层底层硬外层较软,外层的线彭涨系数等于或接近基体的线彭涨系数,膜层硬度高耐磨,高温工作环境下膜层不裂,不退色。

【技术实现步骤摘要】
一种型材氧化着色工艺
本专利技术涉及一种型材氧化着色工艺。
技术介绍
铝合金的部分应用领域中,要求其表面既要有好的装饰性,还要在高温情况下耐磨、不裂和不退色。现有工艺中,采用普通氧化、或硬质氧化、或微弧氧化,该种工艺均无法满足上述要求。如图1所示,传统工艺中,铝合金型材表面外观及性能较差,型材表层易开裂、易褪色。
技术实现思路
为克服现有技术的不足,本专利技术的目的在于提供一种型材氧化着色工艺,保证型材表面外观及性能。本专利技术为解决其技术问题采用的技术方案是:一种型材氧化着色工艺,包括有以下步骤,步骤a,氧化槽中硫酸135~165g/L,氧化液温度7~11℃,型材置入氧化槽;步骤b,氧化槽连接电源,流经型材的氧化电流按照多阶递增;型材的第一阶氧化中,氧化电流0.5~0.55A/dm2,型材的最后一阶氧化中,氧化电流1~1.1A/dm2;相邻两阶氧化电流的递增量为0.04~0.08A/dm2;第一阶至倒数第二阶中每一阶的氧化时间4.5~5.5min,最后一阶氧化时间35~60min;步骤c,着色槽中液体成分包括有16~20g/L的H2SO4、13~17g/L的Sn2+、13~17g/L的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种型材氧化着色工艺,其特征在于,包括有以下步骤,步骤a,氧化槽中硫酸135~165g/L,氧化液温度7~11℃,型材置入氧化槽;步骤b,氧化槽连接电源,流经型材的氧化电流按照多阶递增;型材的第一阶氧化中,氧化电流0.5~0.55A/dm2,型材的最后一阶氧化中,氧化电流1~1.1A/dm2;相邻两阶氧化电流的递增量为0.04~0.08A/dm2;第一阶至倒数第二阶中每一阶的氧化时间4.5~5.5min,最后一阶氧化时间35~60min;步骤c,着色槽中液体成分包括有16~20g/L的H2SO4、13~17g/L的Sn2+、13~17g/L的Ni2+,着色槽温度15~25℃;步骤e,着色槽...

【技术特征摘要】
1.一种型材氧化着色工艺,其特征在于,包括有以下步骤,步骤a,氧化槽中硫酸135~165g/L,氧化液温度7~11℃,型材置入氧化槽;步骤b,氧化槽连接电源,流经型材的氧化电流按照多阶递增;型材的第一阶氧化中,氧化电流0.5~0.55A/dm2,型材的最后一阶氧化中,氧化电流1~1.1A/dm2;相邻两阶氧化电流的递增量为0.04~0.08A/dm2;第一阶至倒数第二阶中每一阶的氧化时间4.5~5.5min,最后一阶氧化时间35~60min;步骤c,着色槽中液体成分包括有16~20g/L的H2SO4、13~17g/L的Sn2+、13~17g/L的Ni2+,着色槽温度15~25℃;步骤e,着色槽连接电源,着色液体接通电源,电压15~22V,着色时间17~23min。2.根据权利要求1所述的一种型材氧化着色工艺,其特征在于:所述步骤b中,相邻两阶氧化电流的递增量为0.05~0.07A/dm2;第一阶至倒数第二阶中每一阶的氧化时间4.8~5.2min,最后一阶氧化时间40~50min。3.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈少鹏
申请(专利权)人:珠海市美图金属科技有限公司
类型:发明
国别省市:广东,44

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