低压断路器制造技术

技术编号:19182110 阅读:40 留言:0更新日期:2018-10-17 01:17
本发明专利技术提供低压断路器(100)。低压断路器(100)包括接触系统(110),接触系统(110)具有第一接触件(112)和第二接触件(114),第一接触件(112)和第二接触件(114)可以相对于彼此而电连接和断开。第一接触件(112)包括主体(b),主体(b)具有第一层(l1)和第二层(l2),其中,第一层(l1)布置于第二层(l2)上,并且,配置成与第二接触件(114)接触,以便提供与第二接触件(114)的电连接。第一层(l1)具有第一材料组成,第一材料组成具有比第二层(l2)的第二材料组成的Ag含量更高的Ag含量。而且,第一材料组成具有比第二材料组成的WC含量更低的WC含量。

Low voltage circuit breaker

The invention provides a low voltage circuit breaker (100). The low voltage circuit breaker (100) includes a contact system (110), which has a first contact (112) and a second contact (114), and a first contact (112) and a second contact (114) which can be electrically connected and disconnected relative to each other. The first contact (112) includes a body (b), which has a first layer (l1) and a second layer (l2), wherein the first layer (l1) is arranged on the second layer (l2) and is configured to contact the second contact (114) in order to provide an electrical connection with the second contact (114). The first layer (l1) has a first material composition, and the first material composition has a higher Ag content than the second material of the second layer (l2). Moreover, the first material consists of a WC content lower than the WC content of second material.

【技术实现步骤摘要】
低压断路器
本申请涉及低压断路器,且具体地,涉及具有双层活动接触件的低压断路器。
技术介绍
低压断路器在家庭应用、商业应用以及工业应用中很常见。低压断路器可为自动操作的电气开关,其特别设计和配置成保护电路免受由(典型地,起因于过载或短路而导致的)过电流引起的损伤。低压断路器的基本功能是,在检测到故障之后,阻断电流流动。与操作一次然后就必须更换的熔断器不同,断路器可(手动地或自动地)复位,以恢复正常运行。低压断路器通常包括接触系统,接触系统具有两个接触件,这两个接触件可以相对于彼此而电连接和断开。低压断路器中的接触件(具体地,活动接触件)通常由AgWC材料制成,以质量%为单位,该AgWC材料包括60%的Ag含量和40%的WC含量。高Ag含量提供低接触电阻和良好的抗氧化性。然而,Ag是昂贵的材料,具有低抗电弧侵蚀性,并且,相对较弱,特别是当与WC相比时。因此,用于低压断路器的常规的接触件为制造成本密集型,并且,仅具有较短的寿命。
技术实现思路
在本文中处理上面提到的缺陷、缺点以及问题,这将通过阅读且理解下文的说明书而理解。具体地,本公开概述低压断路器的成本高效且可靠的接触件。根据一个方面,提本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低压断路器(100),包括:接触系统(110),其具有可以相对于彼此而电连接和断开的第一接触件(112)和第二接触件(114),其中,所述第一接触件(112)包括主体(b),该主体(b)具有第一层(l1)和第二层(l2),其中,所述第一层(l1)布置于所述第二层(l2)上,并且,配置成与所述第二接触件(114)接触,以便提供与所述第二接触件(114)的电连接,其中,所述第一层(l1)具有第一材料组成,该第一材料组成具有比所述第二层(l2)的第二材料组成的Ag含量更高的Ag含量,且其中,所述第一材料组成具有比所述第二材料组成的WC含量更低的WC含量。

【技术特征摘要】
2017.03.27 LU LU1001481.一种低压断路器(100),包括:接触系统(110),其具有可以相对于彼此而电连接和断开的第一接触件(112)和第二接触件(114),其中,所述第一接触件(112)包括主体(b),该主体(b)具有第一层(l1)和第二层(l2),其中,所述第一层(l1)布置于所述第二层(l2)上,并且,配置成与所述第二接触件(114)接触,以便提供与所述第二接触件(114)的电连接,其中,所述第一层(l1)具有第一材料组成,该第一材料组成具有比所述第二层(l2)的第二材料组成的Ag含量更高的Ag含量,且其中,所述第一材料组成具有比所述第二材料组成的WC含量更低的WC含量。2.根据权利要求1所述的低压断路器(100),其特征在于,以质量%为单位,所述第一材料组成包括Ag:30至80、W:25至65、Ni:0至40、Co:0至40、Cu:0至40、C:1.5至5、Cr:0至20、Mo:0至20,剩余部分是Fe和不可避免的杂质,其中,Ag、W、Ni、Co、Cu、C、Cr以及Mo被包括在至少80%的总量中。3.根据权利要求1或2所述的低压断路器(100),其特征在于,以质量%为单位,所述第二材料组成包括Ag:20至70、W:35至75、Ni:0至40、Co:0至40、Cu:0至40、C:2至5.5、Cr:0至20、Mo:0至20,剩余部分是Fe和不可避免的杂质,其中,Ag、W、Ni、Co、Cu、C、Cr以及Mo被包括在至少80%的总量中。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的低压断路器(100),其特征在于,所述第一层(l1)具有第一导电率σ1,该第一导电率σ1比所述第二层(l2)的第二导电率σ2更高。5.根据权利要求4所述的低压断路器(100),其特征在于,所述第一导电率σ1等于或大于10MS/m,具体地,等于或大于15MS/m且/或等于或小于35MS/m,具体地,等于或小于20MS/m,且/或所述第二导电率σ2等于或大于5MS/m,具体地,等于或大于8MS/m且/或等于或小于30MS/m,具体地,等于或小于20MS/m。6.根据权利要求1至5中的任一项所述的低压断路器(100),其特征在于,所述第一层(l1)具有第一硬度H1,该第一硬度H1小于所述第二层(l2)的第二硬度H2。7.根据权利要求6所述的低压断路器(100)...

【专利技术属性】
技术研发人员:T施梅尔策M霍伊迪斯ED奥罗C肯蒂尼A安托尼亚兹R西蒙
申请(专利权)人:ABB瑞士股份有限公司
类型:发明
国别省市:瑞士,CH

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