一种新型墙体构造制造技术

本实用新型专利技术公开一种新型墙体构造，涉及墙体领域，包括内墙、外墙和半导体组件，所述半导体组件与电源连接，所述半导体组件的热端连接所述内墙，所述半导体组件的冷端连接所述外墙，所述内墙内设置有内墙毛细管，所述内墙毛细管内充有低沸点工质，所述外墙内设置有外墙毛细管，所述外墙毛细管内充有高效储能工质。本实用新型专利技术的新型墙体构造实施性强，传热得到优化，在减少围护结构传热的同时，能有效利用外界环境热源从而实现内墙高效快速辐射供暖。

【技术实现步骤摘要】
一种新型墙体构造
本技术涉及墙体领域，特别是涉及一种新型墙体构造。
技术介绍
半导体制冷片，也叫热电制冷片，是一种热泵，它的优点是没有滑动部件，应用在一些空间受到限制，可靠性要求高，无制冷剂污染的场合。利用半导体材料的Peltier效应，当直流电通过两种不同半导体材料串联成的电偶时，在电偶的两端即可分别吸收热量和放出热量，可以实现制冷或加热的目的。现有技术中公开了一种半导体冷暖墙体，专利申请号为CN201020559477.0，该专利中半导体组件直接布置于内墙、外墙之间，半导体组件之间装隔热材料，该方案具有以下缺点：1.传热差，半导体组件功率大且间隔设置，直接传热给内墙体会导致冷热不均，舒适性低；2.外墙传热差会导致综合性能低且外墙外界的能量没有得到有效利用。
技术实现思路
为解决以上技术问题，本技术提供一种实施性强，传热得到优化，在减少围护结构传热的同时，能有效利用外界环境热源从而实现内墙高效快速辐射供暖的新型墙体构造。为实现上述目的，本技术提供了如下方案：本技术提供一种新型墙体构造，包括内墙、外墙和半导体组件，所述半导体组件与电源连接，所述半导体组件的热端连接所述内墙，所述半导体组件的冷端连接所述外墙，所述内墙内设置有内墙毛细管，所述内墙毛细管内充有低沸点工质，所述外墙内设置有外墙毛细管，所述外墙毛细管内充有高效储能工质。优选地，所述半导体组件设置于所述内墙内侧的底部。优选地，所述内墙毛细管在所述内墙内均匀设置。优选地，所述外墙毛细管在所述外墙内均匀设置。优选地，所述内墙和所述外墙之间设置有保温材料。优选地，所述低沸点工质为丙酮。优选地，所述高效储能工质为石蜡或脂酸。本技术相对于现有技术取得了以下技术效果：本技术的新型墙体构造，半导体组件冷端连接外墙，半导体组件热端连接内墙，外墙毛细管中充有高效储能工质，利用白天室外太阳直射、较高室外温度将能量储存于外墙中，夜间时通过半导体组件把外墙储能输送给内墙，半导体组件热端在工作时加热内墙毛细管内的低沸点工质，能快速均匀加热整个内墙，由此使得外墙外界能源得到有效利用并实现内墙的高效快速辐射供暖。本技术中通过采用高效储能工质使得外墙高效储存外界的热能，通过采用低沸点工质使得内墙快速升温，同时，通过在内墙和外墙内均匀设置毛细管提高传热效率及传热均匀性，进而优化传热过程，另外在半导体组件工作时产生内外墙温差能有效降低围护结构负荷。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术的新型墙体构造的剖视图；图2为图1中A-A剖面图；图3为图1中B-B折剖面图。附图标记说明：1、内墙；2、外墙；3、半导体组件；4、保温材料；5、内墙毛细管；6、外墙毛细管。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。为使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细的说明。如图1-3所示，本实施例提供一种新型墙体构造，包括内墙1、外墙2和半导体组件3，半导体组件3设置于内墙1内侧的底部，半导体组件3与电源连接，半导体组件3的热端连接内墙1，半导体组件3的冷端连接外墙2，内墙1内设置有均匀分布的内墙毛细管5，内墙毛细管5内充有低沸点工质，通过采用低沸点工质使得内墙1快速升温，同时，低沸点工质的沸点可根据具体需求温度进行设置，外墙2内设置有均匀分布的外墙毛细管6，外墙毛细管6内充有高效储能工质，通过采用高效储能工质使得外墙2高效储存外界的热能。为了增强墙体的保温性，在内墙1和外墙2之间设置保温材料4。于本具体实施例中，低沸点工质为丙酮，高效储能工质为适用于夏热冬冷地区室外气温的相变材料，可以是石蜡、脂酸等有机相变储热材料。具体工作过程为：利用白天室外太阳直射、较高室外温度将能量储存于外墙2中，夜间时半导体组件3通电，通过半导体组件3把外墙2储能输送给内墙1，半导体组件3热端在工作时加热内墙毛细管5内的低沸点工质，能快速均匀加热整个内墙1，由此使得外墙2外界能源得到有效利用并实现内墙1的高效快速辐射供暖。同时，通过在内墙1内均匀设置内墙毛细管5使得内墙1均匀高效受热，且通过在外墙2内均匀设置外墙毛细管6使得外墙2均匀高效吸热，提高传热效率及传热均匀性，进而优化传热过程，另外在半导体组件工作时产生内外墙温差能有效降低围护结构负荷。需要说明的是，本技术中的低沸点工质不限于丙酮，需要时可选择其他具有低沸点特点的物质，同样的，本技术中的高效储能工质不限于石蜡或脂酸，需要时可选择其他具有高效储能特点的物质。本说明书中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处。综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型墙体构造，其特征在于，包括内墙、外墙和半导体组件，所述半导体组件与电源连接，所述半导体组件的热端连接所述内墙，所述半导体组件的冷端连接所述外墙，所述内墙内设置有内墙毛细管，所述内墙毛细管内充有低沸点工质，所述外墙内设置有外墙毛细管，所述外墙毛细管内充有高效储能工质。

【技术特征摘要】
1.一种新型墙体构造，其特征在于，包括内墙、外墙和半导体组件，所述半导体组件与电源连接，所述半导体组件的热端连接所述内墙，所述半导体组件的冷端连接所述外墙，所述内墙内设置有内墙毛细管，所述内墙毛细管内充有低沸点工质，所述外墙内设置有外墙毛细管，所述外墙毛细管内充有高效储能工质。2.根据权利要求1所述的新型墙体构造，其特征在于，所述半导体组件设置于所述内墙内侧的底部。3.根据权利要求2所述的新型墙体构...

【专利技术属性】
技术研发人员：林波荣，孙弘历，林智荣，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：新型
国别省市：北京,11