一种基于水平腔面发射激光二极管技术的Micro LD的装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种基于水平腔面发射激光二极管技术的Micro LD的装置，通过计算机控制MOS集成电路(有源矩阵)，MOS集成电路能分别控制微小的激光二极管阵列中的每一个水平腔面发射激光二极管开关和强弱，最终形成图像。Micro LD与Micro LED相比具有单位面积上更大的光强、更好的方向性与更好的相干性，在工业领域和显示领域有更广阔的应用前景。

A device for Micro LD based on horizontal cavity surface emitting laser diode technology

The utility model discloses a micro LD device based on horizontal cavity surface emitting laser diode technology. By computer controlling MOS integrated circuit (active matrix), the MOS integrated circuit can control each horizontal cavity surface emitting laser diode switch and intensity in the micro LD array, and finally form an image. Compared with micro-LED, micro-LD has more light intensity per unit area, better directivity and better coherence, and has a broader application prospect in industrial and display fields.

【技术实现步骤摘要】
一种基于水平腔面发射激光二极管技术的MicroLD的装置
本技术涉及一种水平腔面发射激光二极管技术的MicroLD的装置。
技术介绍
近年来MicroLED技术快速进步，在显示领域和工业领域应用爆发。并获得了以苹果、三星、京东方等大型企业的巨量技术投资。MicroLED技术，即LED微缩化和矩阵化技术。指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED阵列，如LED显示屏每一个LED像素可定址、单独驱动点亮。也就是说MicroLED技术是将微小的LED芯片阵列在集成供电电路上，以集成供电电路单独控制每一个MicroLED颗粒的开关和明暗，最终形成所需的二维图形。由于MicroLED中微小LED颗粒是360°发光，通过反光层、反光杯、微透镜等收敛发散角，但最终发散角仍然很大。在实际应用中，经常需要在作用表面产生足够的光强，反光层，反光杯等收敛发散角的机构会大幅降低LED的光效率。同时，实际应用中也对单位面积光强提出了更高的要求。为解决上述问题，本技术申请人在世界范围内首次提出基于水平腔面发射激光二极管的MicroLD技术作为MicroLED技术的下一代显示和工业应用的可替代方案。水平腔面发本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于水平腔面发射激光二极管技术的Micro LD的装置包括：衬底(1)、MOS集成电路(2)、水平腔面发射激光二极管阵列(3)、外部控制系统(4)；通过外部控制系统(4)可独立寻址MOS集成电路(2)上的电极阵列(22)的每一个电极供电状态，进而通过控制电极阵列(22)中的每一个电极的供电独立控制每一个水平腔面发射激光二极管(31)发光与熄灭，通过可控的每个水平腔面发射激光二极管(31)发光与熄灭最终组成所需的特定激光图案。

【技术特征摘要】
1.一种基于水平腔面发射激光二极管技术的MicroLD的装置包括：衬底(1)、MOS集成电路(2)、水平腔面发射激光二极管阵列(3)、外部控制系统(4)；通过外部控制系统(4)可独立寻址MOS集成电路(2)上的电极阵列(22)的每一个电极供电状态，进而通过控制电极阵列(22)中的每一个电极的供电独立控制每一个水平腔面发射激光二极管(31)发光与熄灭，通过可控的每个水平腔面发射激光二极管(31)发光与熄灭最终组成所需的特定激光图案。2.根据权利要求1所述的一种基于水平腔面发射激光二极管技术的MicroLD的装置，其特征在于，衬底(1)材料采用硅基或玻璃基。3.根据权利要求1所述的一种基于水平腔面发射激光二极管技术的MicroLD的装置，其特征在于，MOS集成电路(2)包括PMOS、NMOS和CMOS。4.根据权利要求1所述的一种基于水平腔面发射激光二极管技术的MicroLD的装置，其特征在于，MOS集成电路(2)表面含有C≥1个引脚(21)与外部控制系统(4)连接，含有电极阵列(22)与水平腔面发射激光二极管阵列(3)相连并为水平腔面发射激光二极管阵列(3)供电，引脚(21)可以在MOS集成电路(2)的任意位置。5.根据权利要求1所述的一种基于水平腔面发射激光二极管技术的MicroLD的装置，其特征在于，MOS集成电路(2)含有多层电路结构，MOS集成电路(2)表面含有电极阵列(22)，电极阵列(22)中的每个电极都可独立寻址并独立控制电流开关，每个电极均有其对应的独立驱动电路，驱动电流由薄膜晶体管提供。6.根据权利要求4所述的一种基于水平腔面发射激光二极管技术的MicroLD的装置，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙雷，
申请(专利权)人：北京德瑞工贸有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11