一种阵列基板、触控显示面板和触控显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种阵列基板、触控显示面板和触控显示装置，第二缓存单元中反相器的个数小于第一缓存单元中反相器的个数，或者，第二缓存单元中反相器的尺寸小于第一缓存单元中反相器的尺寸，或者，第二缓存单元中反相器的个数小于第一缓存单元中反相器的个数，且第二缓存单元中反相器的尺寸小于第一缓存单元中反相器的尺寸，因此，通过减小第二移位寄存器单元中第二缓存单元的信号放大作用，可以减小第二移位寄存器单元传输给第二扫描线的扫描信号的强度，从而可以减小第一扫描线输出的扫描信号的强度和第二扫描线输出的扫描信号的强度差异，进而可以减小常规显示区的亮度与缺口显示区的亮度差异，提高显示面板的亮度均匀性。

An array substrate, touch display panel and touch display device.

The present invention provides an array substrate, a touch display panel, and a touch display device, in which the number of inverters in the second buffer unit is less than the number of inverters in the first buffer unit, or the size of the inverters in the second buffer unit is less than the size of the inverters in the first buffer unit, or the number of inverters in the second buffer unit. The number of phases is smaller than the number of inverters in the first buffer cell, and the size of inverters in the second buffer cell is smaller than the size of inverters in the first buffer cell. Therefore, by reducing the signal amplification effect of the second buffer cell in the second shift register cell, the transmission of the second shift register cell to the first shift register cell can be reduced. The intensity of the scanning signal of the two scanning lines can thus reduce the intensity difference between the scanning signal output by the first scanning line and the scanning signal output by the second scanning line, thereby reducing the brightness difference between the conventional display area and the notch display area, and improving the brightness uniformity of the display panel.

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板、触控显示面板和触控显示装置
本专利技术涉及显示设备
，更具体地说，涉及一种阵列基板、触控显示面板和触控显示装置。
技术介绍
随着显示技术的发展，人们不但对显示面板的功能要求越来越高，而且对外形的要求也越来越高。为了更好的适应环境和使用要求的整体变化，异形显示面板应运而生。如图1所示，图1为现有的一种异形显示面板的俯视结构示意图，该异形显示面板延伸方向与扫描线延伸方向相同的边缘具有缺口10，该缺口10将异形显示面板的显示区分成常规显示区A1和位于缺口10两侧的缺口显示区A2。但是，在实际应用中发现，缺口显示区A2的亮度与常规显示区A1的亮度不一致，导致异形显示面板的亮度均匀性较差，影响异形显示面板的显示效果。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种阵列基板、触控显示面板和触控显示装置，以解决现有的异形显示面板中缺口显示区的亮度与常规显示区的亮度不一致导致的异形显示面板的亮度均匀性较差的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种阵列基板，包括显示区和包围所述显示区的非显示区；所述阵列基板的至少一个边缘具有i个缺口，i为大于或者等于1的整数；所述显示区包括常规显示区和位于所述缺口两侧的缺口显示区，所述常规显示区包括多条沿第一方向延伸的第一扫描线，所述缺口显示区包括多条沿所述第一方向延伸的第二扫描线；沿所述第一方向，所述常规显示区相对两侧的非显示区分别为第一非显示区和第二非显示区，所述缺口显示区相对两侧的非显示区分别为第三非显示区和第四非显示区，所述第三非显示区位于所述缺口显示区靠近所述第一非显示区的一侧，所述第四非显示区位于所述缺口显示区靠近所述第二非显示区的一侧；所述第一非显示区和所述第二非显示区均设置有级联的第一移位寄存器单元，所述第三非显示区和所述第四非显示区均设置有级联的第二移位寄存器单元，所述第一非显示区的第一移位寄存器单元与相邻的所述第三非显示区的第二移位寄存器单元级联，相邻的所述第三非显示区的第二移位寄存器单元级联，所述第二非显示区的第一移位寄存器单元与相邻的所述第四非显示区的第二移位寄存器单元级联，且相邻的所述第四非显示区的第二移位寄存器单元级联；所述第一移位寄存器单元包括第一缓存单元，所述第二移位寄存器单元包括第二缓存单元；所述第二缓存单元中反相器的个数小于所述第一缓存单元中反相器的个数；或者，所述第二缓存单元中反相器的尺寸小于所述第一缓存单元中反相器的尺寸；或者，所述第二缓存单元中反相器的个数小于所述第一缓存单元中反相器的个数，且所述第二缓存单元中反相器的尺寸小于所述第一缓存单元中反相器的尺寸。一种触控显示面板，包括如上所述的阵列基板。一种触控显示装置，包括如上所述的触控显示面板。与现有技术相比，本专利技术所提供的技术方案具有以下优点：本专利技术所提供的阵列基板、触控显示面板和触控显示装置，由于第二缓存单元中反相器的个数小于第一缓存单元中反相器的个数，或者，第二缓存单元中反相器的尺寸小于第一缓存单元中反相器的尺寸，或者，第二缓存单元中反相器的个数小于第一缓存单元中反相器的个数，且第二缓存单元中反相器的尺寸小于第一缓存单元中反相器的尺寸，因此，通过减小第二移位寄存器单元中第二缓存单元的信号放大作用，减小了第二移位寄存器单元传输给第二扫描线的扫描信号的强度，减小了第一扫描线输出的扫描信号的强度和第二扫描线输出的扫描信号的强度差异，从而减小了与第一扫描线相连的像素中的像素电极的充电电压和与第二扫描线相连的像素中的像素电极的充电电压的差异，进而减小了常规显示区的亮度与缺口显示区的亮度差异，提高了显示面板的亮度均匀性。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为现有的一种异形显示面板的俯视结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的阵列基板的俯视结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的阵列基板的又一种俯视结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的移位寄存器单元的结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的第一移位寄存器单元中各单元的一种具体结构示意图；图6为本专利技术实施例提供的第二移位寄存器单元中各单元的一种具体结构示意图；图7为本专利技术实施例提供的第二移位寄存器单元中各单元的又一种具体结构示意图；图8为本专利技术实施例提供的第二移位寄存器单元中各单元的又一种具体结构示意图；图9为本专利技术实施例提供的第二移位寄存器单元中各单元的又一种具体结构示意图；图10为图9所示的第二缓存单元的反相器中一种晶体管的平面结构示意图；图11为本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的俯视结构示意图；图12为本专利技术实施例提供的触控显示面板的结构示意图；图13为本专利技术实施例提供的触控显示装置的结构示意图。具体实施方式正如
技术介绍
所述，异形显示面板的缺口显示区A2的亮度与常规显示区A1的亮度不一致，即缺口显示区A2的亮度大于常规显示区A1的亮度，专利技术人研究发现，导致这一现象的原因是缺口显示区A2的第二扫描线12的长度小于常规显示区A1的第一扫描线11的长度，使得扫描信号在第二扫描线12上的衰减更小，即第二扫描线12输出给与其相连的缺口显示区A2内的像素的扫描信号的强度大于第一扫描线11输出给与其相连的常规显示区A1内的像素的扫描信号的强度，使得缺口显示区A2的像素的数据写入时长大于常规显示区A1的像素的数据写入时长，从而使得缺口显示区A2的像素中的像素电极的充电电压大于常规显示区A1的像素中的像素电极的充电电压，进而使得缺口显示区A2的亮度大于常规显示区A1的亮度，影响异形显示面板亮度的均匀性。基于此，本专利技术提供了一种阵列基板，以克服现有技术存在的上述问题，包括显示区和包围所述显示区的非显示区；所述阵列基板的至少一个边缘具有i个缺口，i为大于或者等于1的整数；所述显示区包括常规显示区和位于所述缺口两侧的缺口显示区，所述常规显示区包括多条沿第一方向延伸的第一扫描线，所述缺口显示区包括多条沿所述第一方向延伸的第二扫描线；沿所述第一方向，所述常规显示区相对两侧的非显示区分别为第一非显示区和第二非显示区，所述缺口显示区相对两侧的非显示区分别为第三非显示区和第四非显示区，所述第三非显示区位于所述缺口显示区靠近所述第一非显示区的一侧，所述第四非显示区位于所述缺口显示区靠近所述第二非显示区的一侧；所述第一非显示区和所述第二非显示区均设置有级联的第一移位寄存器单元，所述第三非显示区和所述第四非显示区均设置有级联的第二移位寄存器单元，所述第一非显示区的第一移位寄存器单元与相邻的所述第三非显示区的第二移位寄存器单元级联，相邻的所述第三非显示区的第二移位寄存器单元级联，所述第二非显示区的第一移位寄存器单元与相邻的所述第四非显示区的第二移位寄存器单元级联，且相邻的所述第四非显示区的第二移位寄存器单元级联；所述第一移位寄存器单元包括第一缓存单元，所述第二移位寄存器单元包括第二缓存单元；所述第二缓存单元中反相器的个数小于所述第一缓存单元中反相器的个数；或者，所述第二缓存单元中反相器的尺寸小于所述第一缓存单元中反相器的尺寸；或者，所述第二缓存单元本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括显示区和包围所述显示区的非显示区；所述阵列基板的至少一个边缘具有i个缺口，i为大于或者等于1的整数；所述显示区包括常规显示区和位于所述缺口两侧的缺口显示区，所述常规显示区包括多条沿第一方向延伸的第一扫描线，所述缺口显示区包括多条沿所述第一方向延伸的第二扫描线；沿所述第一方向，所述常规显示区相对两侧的非显示区分别为第一非显示区和第二非显示区，所述缺口显示区相对两侧的非显示区分别为第三非显示区和第四非显示区，所述第三非显示区位于所述缺口显示区靠近所述第一非显示区的一侧，所述第四非显示区位于所述缺口显示区靠近所述第二非显示区的一侧；所述第一非显示区和所述第二非显示区均设置有级联的第一移位寄存器单元，所述第三非显示区和所述第四非显示区均设置有级联的第二移位寄存器单元，所述第一非显示区的第一移位寄存器单元与相邻的所述第三非显示区的第二移位寄存器单元级联，相邻的所述第三非显示区的第二移位寄存器单元级联，所述第二非显示区的第一移位寄存器单元与相邻的所述第四非显示区的第二移位寄存器单元级联，且相邻的所述第四非显示区的第二移位寄存器单元级联；所述第一移位寄存器单元包括第一缓存单元，所述第二移位寄存器单元包括第二缓存单元；所述第二缓存单元中反相器的个数小于所述第一缓存单元中反相器的个数；或者，所述第二缓存单元中反相器的尺寸小于所述第一缓存单元中反相器的尺寸；或者，所述第二缓存单元中反相器的个数小于所述第一缓存单元中反相器的个数，且所述第二缓存单元中反相器的尺寸小于所述第一缓存单元中反相器的尺寸。...

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括显示区和包围所述显示区的非显示区；所述阵列基板的至少一个边缘具有i个缺口，i为大于或者等于1的整数；所述显示区包括常规显示区和位于所述缺口两侧的缺口显示区，所述常规显示区包括多条沿第一方向延伸的第一扫描线，所述缺口显示区包括多条沿所述第一方向延伸的第二扫描线；沿所述第一方向，所述常规显示区相对两侧的非显示区分别为第一非显示区和第二非显示区，所述缺口显示区相对两侧的非显示区分别为第三非显示区和第四非显示区，所述第三非显示区位于所述缺口显示区靠近所述第一非显示区的一侧，所述第四非显示区位于所述缺口显示区靠近所述第二非显示区的一侧；所述第一非显示区和所述第二非显示区均设置有级联的第一移位寄存器单元，所述第三非显示区和所述第四非显示区均设置有级联的第二移位寄存器单元，所述第一非显示区的第一移位寄存器单元与相邻的所述第三非显示区的第二移位寄存器单元级联，相邻的所述第三非显示区的第二移位寄存器单元级联，所述第二非显示区的第一移位寄存器单元与相邻的所述第四非显示区的第二移位寄存器单元级联，且相邻的所述第四非显示区的第二移位寄存器单元级联；所述第一移位寄存器单元包括第一缓存单元，所述第二移位寄存器单元包括第二缓存单元；所述第二缓存单元中反相器的个数小于所述第一缓存单元中反相器的个数；或者，所述第二缓存单元中反相器的尺寸小于所述第一缓存单元中反相器的尺寸；或者，所述第二缓存单元中反相器的个数小于所述第一缓存单元中反相器的个数，且所述第二缓存单元中反相器的尺寸小于所述第一缓存单元中反相器的尺寸。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一移位寄存器单元与一条所述第一扫描线相连，所述第二移位寄存器单元与一条所述第二扫描线相连；相邻的两条所述第一扫描线分别与所述第一非显示区和所述第二非显示区的第一移位寄存器单元相连，相邻的两条所述第二扫描线分别与所述第三非显示区和所述第四非显示区的第二移位寄存器单元相连。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，任一所述第一缓存单元中反相器的个数和任一所述第二缓存单元中反相器的个数之比正相关于与所述第一缓存单元相连的第一扫描线的长度和与所述第二缓存单元相连的第二扫描线的长度之比。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一缓存单元中反相器的个数与所述第二缓存单元中反相器的个数之比的范围为x～x(x+1)/2，其中，x等于所述第一扫描线的长度与所述第二扫描线的长度之比。5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二缓存单元中反相器的尺寸小于所述第一缓存单元中反相器的尺寸包括所述第二缓存单元中构成反相器的晶体管的宽长比小于所述第一缓存单元中构成反相器的晶体管的宽长比。6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，任一所述第一缓存单元中构成反相器的晶体管的宽长比和任一所述第二缓存单元中构成反相器的晶体管的宽长比的比例正相关于与所述第一缓存单元相连的第一扫描线的长度和与所述第二缓存单元相连的第二扫描线的长度之比。7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第一缓存单元中构成反相器的晶体管的宽长比和所述第二缓存单元中构成反相器的晶体管的宽长比的比例的范围为x～x(x+1)/2，其中，x等于所述第一扫描线的长度与所述第二扫描线的长度之比。8.根据权利要求4或7所述的阵列基板，其特征在于，x等于3。9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，任意两个缺口显示区内同一行的第二扫描线的长度相等，不同行的第二扫描线的长度也相等。10.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述缺口的形状为矩形。11.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述缺口两侧的缺口显示区内同一行的第二扫描线的长度相等，不同行的第二扫描线的长度不相等。12.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：王雨，谢振清，孙莹，刘冰萍，许育民，陈国照，黄敏，
申请(专利权)人：厦门天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35