The invention belongs to the technical field of semiconductor devices, in particular to a tunable focal plane array device and a preparation method thereof. The preparation method of the invention comprises the following steps: fabricating a focal plane array on a substrate; separating the focal plane array from a substrate; forming a hemispherical polymer transfer support substrate; transferring the focal plane array to the hemispherical polymer transfer support substrate and packaging the focal plane array; and packaging the encapsulated focal plane. The array is pasted onto the upper surface of the variable curvature mirror surface, and the focal plane array is tunable by exerting a force at the middle position of the back of the variable curvature mirror surface. The invention can make the deformation of the focal plane array device to be spherical, thereby improving the performance of the optical system and eliminating the performance loss caused by other irregular deformation.
【技术实现步骤摘要】
可调谐焦平面阵列器件及其制备方法
本专利技术属于半导体器件
,具体涉及一种可调谐焦平面阵列器件及其制备方法。
技术介绍
近年来,对于柔性电子器件的研究兴趣与日俱增,尤其是在光电系统领域。光学系统的功能是将环境中的光线传递给传感器,但是光学系统普遍存在着畸变,尤其是佩兹瓦尔像场弯曲会导致宽视场中焦平面的弯曲。为了消除这些因素的影响,需要更复杂的设计以及更多的透镜,但是这样一来又会降低成像质量。通过直接弯曲焦平面阵列,会消除佩兹瓦尔像场弯曲现象,简化光学系统的设计,提高成像质量。然而,要将焦平面阵列尽可能的弯曲成理想的球形面是非常困难的。
技术实现思路
为了解决上述问题,本专利技术提供一种可调谐焦平面阵列器件及其制备方法。本专利技术提供的可调谐焦平面阵列器件制备方法,包括以下步骤:在衬底上制作焦平面阵列;将所述焦平面阵列从衬底上分离;形成半球形聚合物转移支撑衬底;将所述焦平面阵列转移至所述半球形聚合物转移支撑衬底上,并进行封装;以及将所述封装后的焦平面阵列粘贴到可变曲率镜面的上表面,通过在所述可变曲率镜面背面的中间位置施加作用力,使所述焦平面阵列可调谐。本专利技术的制备方法中,优选为,所述衬底为绝缘体上硅。本专利技术的制备方法中,优选为,所述聚合物为聚二甲基硅氧烷。本专利技术的制备方法中,优选为,所述将焦平面阵列从衬底上分离,具体包括以下子步骤:旋涂光刻胶,曝光出器件间的刻蚀区域;通过反应离子刻蚀表面硅露出氧化硅层;在浓缩的氢氟酸溶液中浸泡,刻蚀氧化硅层;去除光刻胶,然后在晶片表面旋涂高分子聚合物,并使其充满刻蚀所形成的空洞区;在所述高分子聚合物凝聚成形之后 ...
【技术保护点】
1.一种可调谐焦平面阵列器件制备方法,其特征在于,包括以下步骤:在衬底上制作焦平面阵列;将所述焦平面阵列从衬底上分离;形成半球形聚合物转移支撑衬底;将所述焦平面阵列转移至所述半球形聚合物转移支撑衬底上,并进行封装;以及将所述封装后的焦平面阵列粘贴到可变曲率镜面的上表面,通过在所述可变曲率镜面背面的中间位置施加作用力,使所述焦平面阵列可调谐。
【技术特征摘要】
1.一种可调谐焦平面阵列器件制备方法,其特征在于,包括以下步骤:在衬底上制作焦平面阵列;将所述焦平面阵列从衬底上分离;形成半球形聚合物转移支撑衬底;将所述焦平面阵列转移至所述半球形聚合物转移支撑衬底上,并进行封装;以及将所述封装后的焦平面阵列粘贴到可变曲率镜面的上表面,通过在所述可变曲率镜面背面的中间位置施加作用力,使所述焦平面阵列可调谐。2.根据权利要求1所述的可调谐焦平面阵列器件制备方法,其特征在于,所述衬底为绝缘体上硅。3.根据权利要求1所述的可调谐焦平面阵列器件制备方法,其特征在于,所述聚合物为聚二甲基硅氧烷。4.根据权利要求2所述的可调谐焦平面阵列器件制备方法,其特征在于,所述将焦平面阵列从衬底上分离,具体流程如下:旋涂光刻胶,曝光出器件间的刻蚀区域;通过反应离子刻蚀表面硅露出氧化硅层;在浓缩的氢氟酸溶液中浸泡,刻蚀氧化硅层;去除光刻胶,然后在晶片表面旋涂高分子聚合物,并使其充满刻蚀所形成的空洞区;在所述高分子聚合物凝聚成形之后,刻蚀出互连图形,淀积金属互连线,在隔离的器件间建立互连;刻蚀硅通孔,建立湿法刻蚀氧化硅层的通道;继续在浓缩的氢氟酸溶液中浸泡,刻蚀剩余氧化硅层,完成分离。5.根据权利要求1所述的可调谐焦平...
【专利技术属性】
技术研发人员:张卫,郑亮,陈琳,孙清清,
申请(专利权)人:复旦大学,
类型:发明
国别省市:上海,31
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