一种硝酸盐体系制备铜铟碲薄膜的方法技术

一种硝酸盐体系制备铜铟碲薄膜材料的制备方法，属于光电薄膜制备技术领域，本发明专利技术通过如下步骤得到，首先清洗玻璃基片，然后将TeO2、Cu(NO3)2和In(NO3)3先后放入溶剂中，配制澄清透明溶液，用旋涂法在玻璃片上得到前驱体薄膜，自然晾干，放入有水合联氨的可密闭容器，使前驱体薄膜样品不与水合联氨接触，将装有前驱体薄膜样品的密闭容器进行加热后取出样品进行干燥，可通过增加反应次数和热处理工艺改善薄膜质量，得到铜铟碲光电薄膜。本发明专利技术不需要高温高真空条件，对仪器设备要求低，生产成本低，生产效率高，易于操作。所得铜铟碲光电薄膜有较好的连续性和均匀性，这种新工艺为制备高性能的铜铟碲光电薄膜提供了一种成本低、可实现工业化的生产方法。

Method for preparing Cu indium tellurium thin film by nitrate system

A preparation method of copper-indium-tellurium thin film material prepared by nitrate system belongs to the technical field of photoelectric thin film preparation. The invention is obtained by the following steps: firstly, the glass substrate is cleaned, then TeO2, Cu (NO3) 2 and In (NO3) 3 are put into the solvent to prepare a clear and transparent solution, and the precursor thin is obtained on the glass sheet by spin coating method. The film is dried naturally and placed in a sealed container with hydrazine so that the precursor film sample does not contact with hydrazine. The sealed container containing the precursor film sample is heated and then the sample is taken out for drying. The film quality can be improved by increasing the reaction times and heat treatment process. The invention does not need high temperature and high vacuum conditions, requires low instrument and equipment, has low production cost, high production efficiency and is easy to operate. The obtained Cu-in-tellurium photoelectric thin films have good continuity and uniformity. This new process provides a low cost and industrialized production method for preparing high performance Cu-in-tellurium photoelectric thin films.

【技术实现步骤摘要】
一种硝酸盐体系制备铜铟碲薄膜的方法
本专利技术属于太阳能电池用光电薄膜制备
，尤其涉及一种硝酸盐体系制备铜铟碲薄膜的方法。
技术介绍
铜铟碲基薄膜太阳电池目前可以认为是最有发展前景的薄膜电池，这是因为其吸收层材料CuInTe2具有较高的光电转化率等一系列优点。特别是以铜铟碲光电薄膜的制备研究已经取得了较大的进展。目前铜铟碲薄膜的制备方法主要有溶剂热法、喷射热解法、离子烧结法、化学沉积法、反应溅射法、真空蒸发法等。由于原料成本低，因此是一种非常有发展前途的光电薄膜材料，但现有工艺路线复杂、制备成本高，因而需要探索低成本的制备工艺。如前面所述方法一样，其它方法也有不同的缺陷。与本专利技术相关的还有如下文献：[1]I.T.Zedana,E.M.El-Menyawy,Illumination-inducedchangesontheopticalfunctionsandvalencebandsplittingparametersofflashevaporatedCuInTe2films.Optik-InternationalJournalforLightandElectronOptics本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硝酸盐体系制备铜铟碲薄膜的方法，包括如下顺序的步骤：玻璃基片或硅基片的清洗；先将2.0～5.0份TeO2放入30～120份的溶剂中，待其完全反应后，将1.0～3.0份Cu(NO3)2、1.0～3.0份In(NO3)3放入，使溶液中的物质均匀混合；制作表面均匀涂布步骤b所述溶液的基片，自然晾干，得到前驱体薄膜样品；将步骤c所得前驱体薄膜样品置于支架上，放入有水合联氨的可密闭容器，使前驱体薄膜样品不与水合联氨接触；水合联氨放入量为30.0～45.0份；将上述装有前驱体薄膜样品的密闭容器放入烘箱中，加热至160～220℃之间，保温时间10～60小时，然后冷却到室温取出；取出自然干燥后，重复上...

【技术特征摘要】
1.一种硝酸盐体系制备铜铟碲薄膜的方法，包括如下顺序的步骤：玻璃基片或硅基片的清洗；先将2.0～5.0份TeO2放入30～120份的溶剂中，待其完全反应后，将1.0～3.0份Cu(NO3)2、1.0～3.0份In(NO3)3放入，使溶液中的物质均匀混合；制作表面均匀涂布步骤b所述溶液的基片，自然晾干，得到前驱体薄膜样品；将步骤c所得前驱体薄膜样品置于支架上，放入有水合联氨的可密闭容器，使前驱体薄膜样品不与水合联氨接触；水合联氨放入量为30.0～45.0份；将上述装有前驱体薄膜样品的密闭容器放入烘箱中，加热至160～220℃之间，保温时间10～60小时，然后冷却到室温取出；取出自然干燥后，重复上述步骤2~6次，以增加所制备薄膜的厚度；将步骤e所得物，使其常温自然干燥后，增加热处理工艺，在管式加热炉中加热至200~400℃，保温5~15小时，即得到铜铟碲光电薄膜。2...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘科高，李静，许超，赵忠新，刘宏，
申请(专利权)人：山东建筑大学，
类型：发明
国别省市：山东,37