一种多晶硅大锭粘锭装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种多晶硅大锭粘锭装置，包括晶托，所述晶托的四个边侧均匀对称设置导轨，导轨上配合设置夹块，所述晶托的上方设置切割钢线，所述晶托的一侧设有若干喷浆管，所述晶托上平铺缠绕膜，缠绕膜长宽尺寸均伸到晶托外；具有方法简单，易于操作实现，多晶硅大锭底部平整，线切割沙浆能很均匀分布在大锭上表面和四周侧面，使切割后的小方锭长宽尺寸更标准，泡沫填充剂在缠绕膜内发泡使切割结束后36个小方锭受力均匀，不会出现一边切割完后产生断线，多晶硅头部向下，使切割到最后阶段硅锭表面不会产生表面裂纹，减少报废，提高收益。

A polysilicon large spindle ingots device

The utility model discloses a polycrystalline silicon ingot sticking device for large ingots, which comprises a crystal bracket. The four sides of the crystal bracket are evenly and symmetrically arranged with guide rails, and the guide rails are matched with clamping blocks. Cutting steel wires are arranged above the crystal bracket, and a number of grouting pipes are arranged on one side of the crystal bracket. The crystal bracket is covered with a winding film and the length and width of the film are wound. The size is extended to the outside of the crystal support. The method is simple and easy to operate, and the bottom of the polysilicon large ingot is smooth. The line cutting sand can distribute evenly on the upper surface and the sides of the big spindle, so that the size of the small square ingot is longer and the size is more standard. The foaming agent is foamed in the winding film, so that the 36 small ingots are evenly stressed after cutting. There will be a broken line after one side cutting, the polycrystalline silicon head down, so that cutting to the final stage of the surface of silicon ingot will not produce surface cracks, reduce scrap, improve revenue.

【技术实现步骤摘要】
一种多晶硅大锭粘锭装置
本技术涉及线切割
，特别是涉及一种多晶硅大锭粘锭装置。
技术介绍
多晶硅，是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。利用价值:从目前国际太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料。多晶硅开方是生产太阳能电池板产业链中的一道重要工序，粘锭是多晶硅开方的第一道工序，正常泡沫填充剂粘锭由于多晶硅大锭顶部凸凹不平，开方时不能使沙浆均匀分布在多晶硅大锭上，而且多晶硅大锭底部较脆头部较硬，底部向下切割到最后5厘米左右时，容易产生蚯蚓状表面裂纹，造成产品损失。
技术实现思路
本技术的目的是针对现有问题，提供了一种多晶硅大锭粘锭装置。本技术是通过以下技术方案实现的：一种多晶硅大锭粘锭装置，包括晶托，所述晶托的四个边侧均匀对称设置导轨，导轨上配合设置夹块，所述晶托的上方设置切割钢线，所述晶托的一侧设有若干喷浆管，所述晶托上平铺缠绕膜，缠绕膜长宽尺寸均伸到晶托外。作为对上述方案的进一步改进，所述的晶托的每一个边侧均对称设置四个夹块及与夹块相适应的导轨。作为对上述方案的进一步改进，所述的缠绕膜的长宽尺寸均超出晶托外50-60cm。作为对上述方案的进一步改进，所述平铺在晶托上的缠绕膜为5-6层，并在顶层缠绕膜上喷涂泡沫填充剂，待10-20min后，泡沫填充剂半干时，先把超出晶托一侧边缘的缠绕膜向内折叠覆盖在泡沫填充剂上，依次再其相对边侧的缠绕膜向内折叠覆盖在泡沫填充剂上，如此反复把其他二个边侧的缠绕膜向内对折覆盖在泡沫填充剂上，使晶托上形成一个气垫床的效果，然后把多晶硅大锭头部向下底部向上通过夹块固定在形成的气垫床效果的晶托上，再通过沙浆管向倒置的多晶硅大锭的上方喷淋沙浆，首先从位于倒置的多晶硅大锭的底平面均匀铺满沙浆后，沙浆再溢到四周的四个侧面，然后即可通到切割钢线对多晶硅大锭进行线切割，切割成36块小方锭。本技术相比现有技术具有以下优点：具有方法简单，易于操作实现，多晶硅大锭底部平整，线切割沙浆能很均匀分布在大锭上表面和四周侧面，使切割后的小方锭长宽尺寸更标准，泡沫填充剂在缠绕膜内发泡使切割结束后36个小方锭受力均匀，不会出现一边切割完后产生断线，多晶硅头部向下，使切割到最后阶段硅锭表面不会产生表面裂纹，减少报废，提高收益。附图说明图1为一种多晶硅大锭粘锭装置的结构示意图。图2为图1的俯视结构示意图。图3为晶托上平铺缠绕膜后喷涂泡沫填充剂后示意图。图4为晶托上平铺缠绕膜后喷涂泡沫填充剂进行左右向内对折缠绕膜的示意图。图5为晶托上平铺缠绕膜后喷涂泡沫填充剂左右向内对折缠绕膜后的示意图。图6为晶托上缠绕膜前后向内对折的示意图。图7为晶托上缠绕膜前后向内对折后的示意图。具体实施方式下面结合附图对本技术进一步说明。如图1-7中所示，一种多晶硅大锭粘锭装置，包括晶托1，所述晶托1的四个边侧均匀对称设置导轨2，导轨2上配合设置夹块3，所述晶托1的上方设置切割钢线5，所述晶托5的一侧设有若干喷浆管6，所述晶托1上平铺缠绕膜7，缠绕膜7长宽尺寸均伸到晶托1外。作为对上述方案的进一步改进，所述的晶托1的每一个边侧均对称设置四个夹块3及与夹块相适应的导轨2。作为对上述方案的进一步改进，所述的缠绕膜7的长宽尺寸均超出晶托1外50-60cm。作为对上述方案的进一步改进，所述平铺在晶托1上的缠绕膜7为5-6层，并在顶层缠绕膜上喷涂泡沫填充剂8，待10-20min后，泡沫填充剂8半干时，先把超出晶托1一侧边缘的缠绕膜7向内折叠覆盖在泡沫填充剂8上，依次再其相对边侧的缠绕膜向内折叠覆盖在泡沫填充剂上，如此反复把其他二个边侧的缠绕膜向内对折覆盖在泡沫填充剂上，使晶托上形成一个气垫床的效果，然后把多晶硅大锭4头部向下底部向上通过夹块3固定在形成的气垫床效果的晶托1上，再通过沙浆管6向倒置的多晶硅大锭4的上方喷淋沙浆，首先从位于倒置的多晶硅大锭的底平面均匀铺满沙浆9后，沙浆9再溢到四周的四个侧面，然后即可通到切割钢线5对多晶硅大锭4进行线切割，切割成36块小方锭。以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多晶硅大锭粘锭装置，包括晶托，其特征在于，所述晶托的四个边侧均匀对称设置导轨，导轨上配合设置夹块，所述晶托的上方设置切割钢线，所述晶托的一侧设有若干喷浆管，所述晶托上平铺缠绕膜，缠绕膜长宽尺寸均伸到晶托外。

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅大锭粘锭装置，包括晶托，其特征在于，所述晶托的四个边侧均匀对称设置导轨，导轨上配合设置夹块，所述晶托的上方设置切割钢线，所述晶托的一侧设有若干喷浆管，所述晶托上平铺缠绕膜，缠绕膜长宽尺寸均伸到晶托外。2.根据权利要求1所述的一种多晶硅大锭粘锭装置，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱新江，
申请(专利权)人：安徽日能中天半导体发展有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34