链式链路转换器的子模块制造技术

本公开涉及用于链式链路转换器腿（2）的子模块（3）。所述子模块包括：第一半导体结构（4a），其形成通过所述子模块的第一电流路径；以及第二半导体结构（4b），其与所述第一半导体结构（4a）并联连接，所述第二半导体结构（4b）形成通过所述子模块的第二电流路径。至少所述第一半导体结构（4a）包括DC电容器（5），并且至少所述第二半导体结构（4b）包括反向阻断布置（8）。所述子模块配置用于当处于旁路模式中时允许电流经过所述反向阻断布置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】链式链路转换器的子模块
本公开涉及用于电转换器的链式链路转换器腿的子模块。
技术介绍
多电平转换器存在于许多高功率应用中，其中中到高电压电平存在于该系统中。由于它们的设计，多电平转换器共享系统电压，从而消除对装置的串联连接的需要。特别地，模块化转换器已变得流行，其中多个单元被串联连接以便形成可变电压源，每个单元包含多个半导体切换元件以及采取直流（DC）电容器形式的能量存储元件。这些转换器能够用于驱动、高压直流（HVDC）以及柔性交流AC输电系统（FACTS）应用。图1描绘了采用三角形配置的典型的三相链式链路转换器，每个相腿采用全桥（也称为H桥）单元（所谓的级联或链式链路连接的单元）的串联连接来构造。图2描绘了三相模块化多电平转换器，其中每个相腿包括上臂和下臂，每个臂采用半桥的串联连接来构造。总的半导体损耗由切换损耗和传导损耗两者组成。在高功率电网连接的转换器中，传导损耗是主要损耗分量。传导损耗通常随着电流路径中半导体装置的数量减少而减少。在FACTS应用中，与每个相腿相关联的电压和电流波形是异相90°。这暗示，在电流波形接近其峰时，H桥单元的大多数被旁路。如果在该时间期间能够减少电流本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于链式链路转换器腿（2）的子模块（3），所述子模块包括：第一半导体结构（4a），所述第一半导体结构（4a）形成通过所述子模块的第一电流路径；以及第二半导体结构（4b），所述第二半导体结构（4b）与所述第一半导体结构（4a）并联连接，所述第二半导体结构（4b）形成通过所述子模块的第二电流路径；其中至少所述第一半导体结构（4a）包括DC电容器（5），并且至少所述第二半导体结构（4b）包括反向阻断布置（8）；其中所述子模块配置用于当处于旁路模式中时允许电流经过所述反向阻断布置。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于链式链路转换器腿（2）的子模块（3），所述子模块包括：第一半导体结构（4a），所述第一半导体结构（4a）形成通过所述子模块的第一电流路径；以及第二半导体结构（4b），所述第二半导体结构（4b）与所述第一半导体结构（4a）并联连接，所述第二半导体结构（4b）形成通过所述子模块的第二电流路径；其中至少所述第一半导体结构（4a）包括DC电容器（5），并且至少所述第二半导体结构（4b）包括反向阻断布置（8）；其中所述子模块配置用于当处于旁路模式中时允许电流经过所述反向阻断布置。2.如权利要求1所述的子模块，其中所述反向阻断布置包括两个反并联的反向阻断IGBT，RBIGBT。3.如权利要求1所述的子模块，其中所述反向阻断布置包括与二极管串联的MOSFET的两个反并联组。4.如任何前述权利要求所述的子模块，其中所述第一半导体结构（4a）包括第一半桥单元，并且所述第二半导体结构（4b）包括与所述第一半桥单元反并联的第二半桥单元。5.如权利要求4所述的子模块，其中所述第一和第...

【专利技术属性】
技术研发人员：C唐森德，A纳米，M拉希莫，H泽拉雅德拉帕拉，F卡纳勒斯，R艾维斯，T尼尔森，
申请(专利权)人：ABB瑞士股份有限公司，
类型：发明
国别省市：瑞士,CH