一种以S,S-二氧二苯并噻吩为受电子单元的齐聚噻吩衍生物及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种以S,S‑二氧二苯并噻吩为受电子单元的齐聚噻吩衍生物及其制备方法；在惰性气氛中，将2‑(三甲基锡)‑5‑(4‑正己基苯基)噻吩(1)，3,7‑二溴‑S,S‑二氧‑二苯并噻吩(2)和催化剂溶于溶剂，进行Stille交叉偶联反应，得到3‑溴‑7‑(5‑己基‑2,2’‑二噻吩基)二苯并噻吩‑S,S‑二氧化物；将3‑溴‑7‑(5‑己基‑2,2’‑二噻吩基)二苯并噻吩‑S,S‑二氧化物，中间体2,6‑二(三甲基锡)‑4,8‑二(2‑乙基己氧基)苯并[1,2‑b:4,5‑b’]二噻吩(3)和催化剂溶于溶剂，进行Stille交叉偶联反应，得到齐聚噻吩衍生物有机半导体材料；其具有较低的HOMO能级和合适的光学带隙，应用于有机发光二极管和有机太阳能电池器件制备的新材料。

【技术实现步骤摘要】
一种以S,S-二氧二苯并噻吩为受电子单元的齐聚噻吩衍生物及其制备方法
本实专利技术涉及噻吩衍生物及有机半导体材料领域，尤其涉及一种以S,S-二氧二苯并噻吩为受电子单元的齐聚噻吩衍生物及其制备方法。
技术介绍
齐聚噻吩及其衍生物具有优异的光电转换效率，良好的环境稳定性,适宜的能级以及良好的可修饰性，近年来常被运用于有机发光二极管(OLED)、有机场效应管(OFET)、有机太阳能电池(OSV)等领域。在半导体材料分子结构中构筑给电子单元-受电子单元(D-A)交替结构，可有效提高载流子的迁移率，从而获得良好的半导体性能。二苯并噻吩是一种常见的噻吩衍生物，常被引入有机半导体材料分子结构中作为给电子单元，若将其噻吩环上的硫原子氧化，即可转变为新的受电子单元：二苯并噻吩-S,S-二氧化物(DBTSO)。DBTSO单元具有较高的亲和势，有利于电子的注入和传输。其不仅具有荧光量子产率高、热稳定性好等特点，同时因其硫原子处于最高的化学价态，使其同时具备了良好的抗氧化性能。近年来，研究者们把DBTSO受体单元与芴、咔唑、芳胺、喹喔啉或吡嗪等给电子单元键联，制备得到了一系列D-A型有机半导体新材料，并在O本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种以S,S‑二氧二苯并噻吩为受电子单元的齐聚噻吩衍生物，其特征在于，如下化学结构式P1所示：

【技术特征摘要】
1.一种以S,S-二氧二苯并噻吩为受电子单元的齐聚噻吩衍生物，其特征在于，如下化学结构式P1所示：2.一种如权利要求1所述的以S,S-二氧二苯并噻吩为受电子单元的齐聚噻吩衍生物的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)、在惰性气氛中，将2-(三甲基锡)-5-(4-正己基苯基)噻吩(1)，3,7-二溴-S,S-二氧-二苯并噻吩(2)和催化剂溶于溶剂，进行Stille交叉偶联反应，得到3-溴-7-(5-己基-2,2’-二噻吩基)二苯并噻吩-S,S-二氧化物(M1)；2)、在惰性气氛中，将3-溴-7-(5-己基-2,2’-二噻吩基)二苯并噻吩-S,S-二氧化物(M1)，中间体2,6-二(三甲基锡)-4,8-二(2-乙基己氧基)苯并[1,2-b:4,5-b’]二噻吩(3)和催化剂溶于溶剂，进行Stille交叉偶联反应，得到所述以S,S-二氧二苯并噻吩为受电子单元的齐聚噻吩衍生物有机半导体材料(P1)；3.根据权利要求2所述的一种以S,S-二氧二苯并噻吩为受电子单元的齐聚噻吩衍生物的制备方法，其特征在于，所述Stille交叉偶联反应的温度为100-120℃，反应时间为12-72小时。4.根据权利要求2所述的一种以S,S-二氧二苯并噻吩为受电子单元的齐聚噻吩衍生物的制备方法，其特征在于，3-溴-7-(5-己基-2,2’-二噻吩基)二苯并噻吩-S,S-二氧化物(M1)与中间体2,6-二...

【专利技术属性】
技术研发人员：段宗范，何刚，李康，
申请(专利权)人：西安理工大学，
类型：发明
国别省市：陕西,61