具有MRI相容性磁体装置的耳蜗植入物制造方法及图纸

一种耳蜗植入物包括耳蜗引线、天线、刺激处理器、磁体装置，磁体装置与天线相关联，包括限定中心轴线的壳体、位于壳体中并且绕壳体中心轴线可旋转的磁体框架、和布置在磁体框架内的多个细长径向磁化的磁体，磁体限定纵向轴线和N‑S方向，并且绕纵向轴线相对于磁体框架可自由旋转。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有MRI相容性磁体装置的耳蜗植入物相关申请的交叉引用本申请是2015年12月18日提交的国际申请No.PCT/US2015/066862的部分继续申请，并且要求该国际申请的优先权，该国际申请整体上以引用方式并入本申请。
本公开物总体上涉及可植入耳蜗刺激(或称ICS)系统的可植入部分。
技术介绍
ICS系统被用于借助受控的电流脉冲直接刺激无损的听神经来帮助深度失聪者感受到声音知觉。环境声压被外部佩戴的麦克风拾取并且转换成电信号。电信号则被声处理器处理，转换成具有变化的脉冲宽度、速率和/或幅值的脉冲序列，并且被传输到ICS系统的植入的接收器电路。植入的接收器电路被连接到已被插入内耳的耳蜗中的可植入电极阵列，并且刺激电流被施加到变化的电极组合以产生声音感知。作为替代方案，电极阵列可以直接插入耳蜗神经，而不必驻留于耳蜗中。一种代表性ICS系统在美国专利No.5,824,022中公开，该专利的名称为“采用耳背式声处理器的带遥控耳蜗刺激系统”并且整体上以引用方式并入本申请。商业供应的ICS声处理器的例子包括但不限于AdvancedBionicsHarmonyTMBTE声处理器，AdvancedBionicsNaídaCIQ系列BTE声处理器，和AdvancedBionicsNeptuneTM身体穿戴声处理器。如上面所提及的，一些ICS系统包括可植入耳蜗刺激器(或耳蜗植入物)，声处理器单元(例如身体佩戴处理器或耳背式处理器)，和麦克风，麦克风作为声处理器单元的一部分或与其通讯。耳蜗植入物与声处理器单元通讯，并且一些ICS系统包括与声处理器单元和耳蜗植入物都通讯的头戴式元件。头戴式元件借助于头戴式元件上的发射器(例如天线)和植入物上的接收器(例如天线)与耳蜗植入物通讯。当发射器和接收器彼此对正时，最优化通讯被实现。为此，头戴式元件和耳蜗植入物可包括各自的彼此吸引的定位磁体，由此维持头戴式元件发射器在植入物接收器上面的位置。植入物磁体可以，例如，定位在耳蜗植入物容置体的凹穴中。将头戴式元件磁体和植入物磁体分开的皮肤和皮下组织有时称作“皮瓣”，其常为3mm到10mm厚。所述头戴式元件磁体和植入物磁体之间保持力的量值是ICS系统的一个重要方面。如果力太小，则在典型活动中，头戴式元件将不能保持就位于头部上。另一方面，如果力太大，作用于皮瓣的压力可能导致不舒服和组织坏死。保持力的量值取决于磁体的强度和磁体之间的距离，该距离为皮瓣的厚度的函数。头戴式元件磁体的强度经常在头戴式元件植入后装配过程中来选择。本申请的专利技术人确定，传统耳蜗植入物可接受改进。例如，许多传统耳蜗植入物中的磁体是盘形的并具有沿着盘的轴向方位的南北双磁极。这样的磁体与磁共振成像(MRI)系统不相容。特别地讲，图1所示的耳蜗植入物10包括容置体12和盘形实心块式磁体14等等。植入物磁体在垂直于患者皮肤且平行于轴线A的方向上产生磁场M，并且该磁场方向不与MRI磁场的方向B对正，并且可能垂直于(如图中所示)它。由于若干原因，相互作用的磁场M和B的非对正是有问题的。主导MRI磁场B(典型地1.5特斯拉或以上)可能给植入物磁体14消磁或在植入物磁体14上产生显著量值的扭矩T。扭矩T可能导致植入物磁体14从容置体12中的凹穴脱开，反转磁体14和/或使耳蜗植入物10错位，所有这些都可能还会导致组织受损。提出过的一种解决方案涉及在MRI程序之前手术移除植入物磁体14，然后，在该程序之后手术重新置入植入物磁体。提出过的一种解决方案涉及使用可自由旋转的球磁体，所述球磁体产生的磁场能够从垂直于患者皮肤的前述方向旋转到与MRI磁场B的方向对正的方向。为此，并且参看图2，所提出的一种可植入磁体装置20包括位于壳体24内的多个可自由旋转的球磁体22。当磁体装置20非常接近于外部磁体26时，球磁体22将以所示方式与外部磁体26对正，其中球磁体的N-S方向与外部磁体的相同。当外部磁体26被移除后(图3)，球磁体22将彼此对正。球磁体22接下来响应于MRI磁场的施加而必然将旋转，由此最小化扭矩T，因为MRI磁场远比球磁体之间的引力强。转到图4，本申请的专利技术人确定，使用可自由旋转的球磁体22不是最佳的方式，因为植入的球磁体(位于耳蜗植入物28内)和外部磁体26(位于外部头戴式元件30内)之间的距离如此之大，以致球磁体之间的磁引力大于球磁体和外部磁体之间的磁引力。球磁体22的N-S方向垂直于外部磁体26的N-S方向。同示于图3的情况相比距离的增大的原因是，例如，存在植入物和头戴式元件容置体，以及皮瓣的厚度。磁场的非对正导致的弱磁引力阻碍了头戴式元件被正确安装于患者头部。一种简单的解决方案是增大外部磁体的尺寸，由此将相关磁场的强度增大到这样的程度，即耳蜗植入物中球磁体22将能旋转到示于图2的方位。然而，本申请的专利技术人确定，相关地增大头戴式元件的尺寸和重量是不希望的。另一种提出的方案如图5所示。这里，耳蜗植入物32包括径向磁化的盘形的磁体34，其相对于植入物的保持体绕轴线A可旋转，并且其N-S方位垂直于轴线A。外部头戴式元件36包括径向磁化的盘形的磁体38，其相对于头戴式元件的保持体不可旋转。植入的磁体34能够旋转绕轴线A旋转到与外部磁体38对正，并且还能绕轴线A旋转到与垂直于轴线A的MRI磁性对正。转到图6，本申请的专利技术人确定，使用径向磁化的盘形的磁体34不是最佳的，因为主导磁场(例如MRI磁场B)错位了30°或以上的话，可以导致磁体消磁或在磁体上产生的扭矩T的量值足以使磁体脱开或反转和/或相关耳蜗植入物脱离位置。另一问题与使用者不能将头戴式元件38精确定位在耳蜗植入物32上有关。参看图5，当头戴式元件36被精确定位在耳蜗植入物32上时，径向磁化植入物磁体34将简单地旋转到与不可旋转的径向磁化头戴式元件磁体38对正。磁性保持力将对应于在装配过程中所选择的。在这些情况下，头戴式元件36不能正确定位在植入物32上，并且植入物磁体34将旋转到磁性对正，如图6A中所示。然而，磁性保持力不能强到牵拉头戴式元件36(及其天线)到对正于植入物32(及其天线)上面。另外，即使头戴式元件36最终移动到植入物32上面的对正位置，声处理器单元和耳蜗植入物之间的电子锁将会基于错位位置。
技术实现思路
根据本专利技术之一的耳蜗植入物可包括耳蜗引线，天线，刺激处理器，植入物磁体装置，其与天线相关联并包括限定中心轴线的壳体，位于壳体内并且绕壳体中心轴线可旋转的磁体框架，和布置在磁体框架内的多个细长径向磁化的磁体，磁体限定纵向轴线和N-S方向并且绕纵向轴线相对于磁体框架可自由旋转。根据本专利技术之一的系统包括这样的耳蜗植入物和外部器件。外部器件可包括天线和外部磁体。有多种优点与所述装置和方法相关。例如，强磁场，例如MRI磁场，将不能给磁体装置消磁。也不能在磁体装置和相关耳蜗植入物上产生显著量值的扭矩。结果，不需要在MRI程序之前医学移除耳蜗植入物磁体并在之后医学重新置入耳蜗植入物磁体。另外，在不存在强磁场时，磁体装置中的可旋转磁体之间的磁引力将不会引起磁体旋转到不希望的N-S方位。通过参考下面的详细描述并结合附图考虑，随着本专利技术被更好地理解，本专利技术的前述以及许多其他特征将变得更为清晰。附图说明下面将参照附图详细描述示例性实施方式本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种耳蜗植入物，包括：耳蜗引线，其包括多个电极；天线；刺激处理器，其可操作地连接到天线和连接到耳蜗引线；和磁体装置，其与天线相关联，包括限定中心轴线的壳体、位于壳体中并且绕壳体的中心轴线可旋转的磁体框架、和布置在磁体框架中的多个细长的径向磁化的磁体，磁体限定纵向轴线和N‑S方向并且绕纵向轴线相对于磁体框架可自由旋转。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.12.18 US PCT/US2015/668621.一种耳蜗植入物，包括：耳蜗引线，其包括多个电极；天线；刺激处理器，其可操作地连接到天线和连接到耳蜗引线；和磁体装置，其与天线相关联，包括限定中心轴线的壳体、位于壳体中并且绕壳体的中心轴线可旋转的磁体框架、和布置在磁体框架中的多个细长的径向磁化的磁体，磁体限定纵向轴线和N-S方向并且绕纵向轴线相对于磁体框架可自由旋转。2.如权利要求1所述的耳蜗植入物，其中每个磁体限定N-S旋转方位；并且各磁体被以下述方式朝彼此磁性吸引，即在不存在主导磁场的情况下，使得各磁体的N-S旋转方位垂直于壳体的中心轴线。3.如权利要求1所述的耳蜗植入物，其中每个磁体限定沿纵向轴线的方向的长度，以及厚度和宽度；并且所述长度大于所述宽度和所述厚度。4.如权利要求3所述的耳蜗植入物，其中所述宽度大于所述厚度。5.如权利要求4所述的耳蜗植入物，其中所述宽度沿N-S方向延伸。6.如权利要求3所述的耳蜗植入物，其中每个磁体在垂直于纵向轴线的平面中限定横截面，包括通过第一和第二平坦面连接到彼此的第一和第二曲面；所述曲面在N-S方向上彼此分开；并且所述平坦面在垂直于N-S方向的方向上彼此分开。7.如权利要求3所述的耳蜗植入物，其中所述磁体框架限定厚度；并且各磁体的厚度小于磁体框架的厚度。8.如权利要求7所述的耳蜗植入物，其中所述磁体框架包括多个磁体槽，磁体槽限定槽长度和槽宽度，所述多个磁体安置在所述多个磁体槽中；所述磁体槽长度基本上等于磁体长度；并且所述磁体槽宽度基本上等于磁体宽度。9.如权利要求3所述的耳蜗植入物，其中至少一个磁体比相邻磁...

【专利技术属性】
技术研发人员：李成真，J·L·沃尔特，J·G·E·史密斯，U·戈梅尔，S·M·里德，
申请(专利权)人：领先仿生公司，
类型：发明
国别省市：瑞士,CH