低电阻氧化锌陶瓷材料及其制备方法技术

本发明专利技术提出了一种低电阻氧化锌陶瓷材料及其制备方法，按照重量份数计算，包括以下原料：氧化锌90～94份、氧化铝0.3～0.9份、硫化锌2～5份、氧化钇0.1～0.4份、二氧化钛1～2份、氧化铁0.1～0.4份及二氧化硅1～2份。制备方法：将上述原料进行粉碎得到粉体，然后混合再加入润滑剂，进行球磨；球磨粉体烘干，然后进行预烧，得到粉末；粉末进行压制成胚体；将胚体升温至900℃～1200℃，保温，冷却至室温后得到低电阻氧化锌陶瓷材料。该陶瓷材料提高了Al的固溶度并降低晶粒和晶界的结构差异，从而显著地降低了陶瓷的电阻率。

【技术实现步骤摘要】
低电阻氧化锌陶瓷材料及其制备方法
本专利技术属于陶瓷
，具体涉及一种低电阻氧化锌陶瓷材料及其制备方法。
技术介绍
氧化锌是一种宽带半导体多功能材料，具有高热稳定性和化学稳定性。近年来，关于ZnO压敏陶瓷材料制备的研究很多，但关于ZnO透明陶瓷材料制备的研究却非常少，主要是因为ZnO为纤锌矿结构，对于光的透射存在各向异性，另外由于陶瓷中存在大量晶界，也导致ZnO陶瓷电阻率偏高，因此不能作为光学陶瓷器件使用。ZnO透明导电薄膜及热电材料都是基于高电导的n型ZnO。纯ZnO的导电率比较低，需要进一步提高其电导率。施主掺杂改性是提高ZnO导电率最常用的方法，常用的掺杂元素有Al、Ga、In、Mg、Ni和Co等。例如中国专利102584207A号报道了Al和Mg共掺的ZnO陶瓷，其电阻率可以达到40-50欧姆·厘米；中国专利104018118A号研究了Al和Ti共掺的ZnO薄膜，其电阻率约为5欧姆·厘米。但是在目前的研究当中，施主元素在ZnO中的固溶度极低，掺杂元素非常容易形成第二相，难以实现有效掺杂，以掺杂效果是最优的Al为例，Tsubota(T.Tsubota,M.Ohtaki,K.本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低电阻氧化锌陶瓷材料，其特征在于，按照重量份数计算，包括以下原料：氧化锌90～94份、氧化铝0.3～0.9份、硫化锌2～5份、氧化钇0.1～0.4份、二氧化钛1～2份、氧化铁0.1～0.4份及二氧化硅1～2份。

【技术特征摘要】
1.一种低电阻氧化锌陶瓷材料，其特征在于，按照重量份数计算，包括以下原料：氧化锌90～94份、氧化铝0.3～0.9份、硫化锌2～5份、氧化钇0.1～0.4份、二氧化钛1～2份、氧化铁0.1～0.4份及二氧化硅1～2份。2.根据权利要求1所述的低电阻氧化锌陶瓷材料，其特征在于，按照重量份数计算，包括以下原料：氧化锌92份、氧化铝0.6份、硫化锌3份、氧化钇0.2份、二氧化钛1份、氧化铁0.2份及二氧化硅2份。3.根据权利要求1所述的低电阻氧化锌陶瓷材料，其特征在于，按照重量份数计算，包括以下原料：氧化锌90份、氧化铝0.9份、硫化锌2份、氧化钇0.4份、二氧化钛2份、氧化铁0.1份及二氧化硅1份。4.根据权利要求1所述的低电阻氧化锌陶瓷材料，其特征在于，按照重量份数计算，包括以下原料：氧化锌94份、氧化铝0.3份、硫化锌5份、氧化钇0.1份、二氧化钛1份、氧化铁0.4份及二氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：章波，郭元，
申请(专利权)人：芜湖市元奎新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34