一种高电压梯度、低残压、低泄露电流的氧化锌压敏电阻陶瓷及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种高电压梯度、低残压、低泄露电流的氧化锌压敏电阻陶瓷及其制备方法，属于压敏电阻材料制备技术领域，该方法的制备步骤包括将Bi2O3、Sb2O3、MnO2、Cr2O3、Co2O3、SiO2混合，加入去离子水砂磨；在砂磨好的浆料中加入ZnO和去离子水，再次砂磨；在砂磨好的ZnO浆料中加入Al(NO3)3、In(NO3)3、Y(NO3)3或Y2O3，再次砂磨；将砂磨好的浆料压片烧结。该方法制备出的电阻陶瓷具有泄露电流小、梯度高、残压低、通流容量大、老化性能稳定的特点，更能适合输电线路避雷器和GIS避雷器、以及深度限制电力系统过电压的应用需求。

A Zinc Oxide varistor ceramics with high voltage gradient, low residual voltage and low leakage current and its preparation method

The invention relates to a zinc oxide varistor ceramics with high voltage gradient, low residual voltage and low leakage current and a preparation method thereof, belonging to the technical field of varistor material preparation. The preparation steps of the method include mixing Bi2O3, Sb2O3, MnO2, Cr2O3, Co2O3 and SiO2, adding deionized water grinding to the mortar; Adding ZnO and deionized water, grinding again; adding Al (NO3) 3, In (NO3) 3, Y (NO3) 3 or Y2O3 to the grinded ZnO slurry, grinding again; pressing and sintering the grinded slurry. The resistance ceramics prepared by this method have the characteristics of small leakage current, high gradient, low residual voltage, large current capacity and stable aging performance. It is more suitable for the application of transmission line arresters and GIS arresters, as well as the application requirements of deeply limiting overvoltage in power system.

【技术实现步骤摘要】
一种高电压梯度、低残压、低泄露电流的氧化锌压敏电阻陶瓷及其制备方法
本专利技术属于材料领域，特别涉及一种高电压梯度、低残压、低泄露电流的氧化锌压敏电阻陶瓷及其制备方法。
技术介绍
氧化锌压敏电阻是以ZnO为主要原料，添加少量的Bi2O3、Sb2O3、MnO2、Cr2O3、Co2O3等作为辅助成份，采用陶瓷烧结工艺制备而成。由于其优异的非线性伏安特性和能量吸收能力，基于氧化锌压敏电阻的金属氧化物避雷器成为了现代电力系统中过电压保护的关键设备，为电力系统雷电过电压防护、电力设备绝缘配合起到了至关重要的作用。与此同时，避雷器的过电压保护水平直接决定了输变电设备的绝缘水平。一般将1mA直流电流作用下压敏电阻的电压称为压敏电压U1mA，单位高度的压敏电压称为压敏梯度。压敏梯度越高，则相同电压作用下压敏电阻陶瓷的高度就越小。因此，高电压梯度的ZnO压敏电阻可以减小气体绝缘变电站(GIS)避雷器的高度，实现GIS的小型化，另外也可以缩短线路避雷器的高度，易于实现与线路绝缘子并联安装。而优良的老化性能则可以确保避雷器的安全、可靠运行。ZnO压敏电阻的残压被定义为放电电流流过电阻片两端子间的最大电压峰本文档来自技高网...

【技术保护点】
1. 一种高电压梯度、低残压、低泄露电流的氧化锌压敏电阻陶瓷及其制备方法，其特征在于，该方法具体包括以下步骤：1）原料配制按以下比例ZnO(87.5~95.8mol%)，Bi2O3(0.5~2.0mol%)、Sb2O3(0.5~1.5mol%)、MnO2(0.5~1.0mol%)、Cr2O3(0.5~1.0mol%)、Co2O3(0.5~1.5mol%)、SiO2(1.0~2.0mol%)，以及Al(NO3)3(0.1~1.0mol%)、In(NO3)3(0.1~1.0mol%)、Y(NO3)3或Y2O3(0.5~1.5mol%)配制初始原料；2）制备辅助添加浆料将步骤1）中配制的Bi2O3、...

【技术特征摘要】
1.一种高电压梯度、低残压、低泄露电流的氧化锌压敏电阻陶瓷及其制备方法，其特征在于，该方法具体包括以下步骤：1）原料配制按以下比例ZnO(87.5~95.8mol%)，Bi2O3(0.5~2.0mol%)、Sb2O3(0.5~1.5mol%)、MnO2(0.5~1.0mol%)、Cr2O3(0.5~1.0mol%)、Co2O3(0.5~1.5mol%)、SiO2(1.0~2.0mol%)，以及Al(NO3)3(0.1~1.0mol%)、In(NO3)3(0.1~1.0mol%)、Y(NO3)3或Y2O3(0.5~1.5mol%)配制初始原料；2）制备辅助添加浆料将步骤1）中配制的Bi2O3、Sb2O3、MnO2、Cr2O3、Co2O3、SiO2混合作为辅助添加料，放入卧式砂磨机的砂磨罐中，加入去离子水，去离子水与粉料的重量比为1:1.5，混合砂磨，砂磨1～2小时，使所...

【专利技术属性】
技术研发人员：何金良，胡军，王晓强，赵锐，孟鹏飞，王忠，冯利伟，
申请(专利权)人：清华大学，国网山西省电力公司大同供电公司，
类型：发明
国别省市：北京,11