一种MoS2/C复合材料及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种MoS2/C纳米复合材料及其制备方法。称取碳纳米片加入到去离子水中，先搅拌30min、再超声30min使之均匀分散。加入MoO3和KSCN，持续磁力搅拌30min后转移至100mL反应釜中，在220℃下反应24h，使MoO3与KSCN反应完全生成MoS2并生长在碳纳米片上。反应结束后取出冷却至室温，用去离子水洗涤离心，并在真空干燥箱中干燥。本发明专利技术解决了MoS2单体比电容低和团聚问题。所得产品是一种结构稳定并具有良好电化学性能的纳米复合材料。

【技术实现步骤摘要】
一种MoS2/C复合材料及其制备方法
本专利技术涉及一种MoS2/C纳米复合材料及其制备方法。通过球磨法和水热法结合制备出MoS2/C纳米复合材料。该材料具有良好的电化学性能，制备工艺简单、绿色环保，作为新型能量储存材料在超级电容器、锂电池等先进能量储存领域具有广阔的应用前景。
技术介绍
能源危机和日益严重的环境问题促使研究人员对可持续、高效能源存储器件进行深入研究，超级电容器作为一种新型储能元件，其发展对能源的高效、可持续利用有着至关重要的推动作用。过渡族金属硫化物二硫化钼(MoS2)是一种性能优异的超级电容器赝电容电极材料。它具有大比表面积、强吸附能力、高反应活性、良好的电化学电容性能、成本低、环境友好等优点。但是，随着对电极材料研究的深入，MoS2的一些固有缺陷逐渐显露出来，目前的研究主要通过以下三种途径来改善MoS2的电化学性能：与良导体材料复合、边缘或表面功能化和结构设计。通过与柔性良导体复合可以有效地改善MoS2导电性能以及体积膨胀问题，目前广泛采用的良导体有碳纳米管、石墨烯、导电聚合物以及金属纳米颗粒等。根据已有报道，碳纳米材料的制备方法主要有激光蒸发石墨法、等离子体喷本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MoS2/C纳米复合材料，用作超级电容器电极材料，其特征在于：所述材料由二维MoS2纳米片和碳纳米片两种材料复合而成，具有2D/2D的形貌特征，复合材料以碳纳米片为基底，MoS2纳米片均匀生长在碳纳米片表面；所述MoS2/C纳米复合材料的电化学性能，在单体MoS2纳米片的基础上有显著的提升；在测试电压范围‑1～‑0.2V，扫描速度为10、50、100mV s‑1的CV循环测试中，MoS2/C纳米复合材料表现出优良的电化学性能；在10mV s‑1的扫描速率下，比容量达到50F g‑1。

【技术特征摘要】
1.一种MoS2/C纳米复合材料，用作超级电容器电极材料，其特征在于：所述材料由二维MoS2纳米片和碳纳米片两种材料复合而成，具有2D/2D的形貌特征，复合材料以碳纳米片为基底，MoS2纳米片均匀生长在碳纳米片表面；所述MoS2/C纳米复合材料的电化学性能，在单体MoS2纳米片的基础上有显著的提升；在测试电压范围-1～-0.2V，扫描速度为10、50、100mVs-1的CV循环测试中，MoS2/C纳米复合材料表现出优良的电化学性能；在10mVs-1的扫描速率下，比容量达到50Fg-1。2.如权利要求1所述的一种MoS2/C功能复合材料的制备方法，其特征在于，制备步骤如下：称取球磨制备得到的碳纳米片加入到去离子水中，先搅拌、再超声使之均匀分散；加入MoO3和KSCN，持续磁力搅拌后转移至反应釜中进行反应，使MoO3与KSCN反应完全生成MoS2并生长在碳纳米片上；反应结束后取出冷却至室温，用去离子水洗涤离心，并在真空干...

【专利技术属性】
技术研发人员：严学华，王静静，沙大巍，周辰，王琼，王东风，潘建梅，程晓农，
申请(专利权)人：江苏大学，
类型：发明
国别省市：江苏,32