一种提高西瓜种子发芽率的方法技术

本发明专利技术公开了一种提高西瓜种子发芽率的方法，其包括以下步骤：步骤一，选择颗粒饱满、无损伤的种子自然干燥，再在温度为20‑25℃的密闭条件下进行紫外线杀菌，随后用快中子源进行辐照；步骤二，将步骤一黄瓜种子采用变温处理，随后进行磁化处理，随后再置于引发液中浸泡12‑14h，在室温条件下再晾干，随后置于木筛上进行蒸汽熏蒸；步骤三，将步骤二中熏蒸后种子在低温条件下处理，随后再阳光下均匀摊开种子自然干燥，得到提高发芽率的种子。本发明专利技术的一种提高西瓜种子发芽率的方法，该方法不仅可提高种子发芽率，同时可提高种子抗病能力，绿色环保，具有较高的使用价值和良好的应用前景。

【技术实现步骤摘要】
一种提高西瓜种子发芽率的方法
本专利技术涉及农业种植
，具体涉及一种提高西瓜种子发芽率的方法。
技术介绍
西瓜喜温暖、干燥的气候、不耐寒，生长发育的最适温度24-30度，根系生长发育的最适温度30-32度，根毛发生的最低温度14度，西瓜在生长发育过程中需要较大的昼夜温差，西瓜耐旱、不耐湿，阴雨天多时，湿度过大，易感病，西瓜喜光照，西瓜生育期长，因此需要大量养分，西瓜随着植株的生长，需肥量逐渐增加，到果实旺盛生长时，达到最大值，其适应性强，以土质疏松，土层深厚，排水良好的砂质土最佳，中国使最大的西瓜产地，而西瓜是人们最喜爱的水果之一，西瓜为夏季水果，果肉味甜，能降温去署，有清热、利尿、降血压之效。现有技术中，多采用浸泡方式提高种子发芽率，该方法导致种子发芽率低，病菌侵害严重，中国专利文献(公开号：CN104025837B)公开了一种西瓜种子催芽方法，包括选种、浸种剂浸种、微波营养液浸种、磁化机中磁化、冰箱变温藏种，稀土拌种，最后催芽，该方法提高种子发芽率效果还不是很好，仍需进一步改善，以提高种子发芽率。
技术实现思路
针对现有技术的缺陷，本专利技术的目的是提供一种提高西瓜种子发芽率的方法，该方法不仅可提高种子发芽率，同时可提高种子抗病能力，绿色环保，具有较高的使用价值和良好的应用前景。本专利技术解决技术问题采用如下技术方案：本专利技术提供了一种提高西瓜种子发芽率的方法，包括以下步骤：步骤一，选择颗粒饱满、无损伤的种子自然干燥，再在温度为20-25℃的密闭条件下进行紫外线杀菌，随后用快中子源进行辐照；步骤二，将步骤一黄瓜种子采用变温处理，随后进行磁化处理，随后再置于引发液中浸泡12-14h，在室温条件下再晾干，随后置于木筛上进行蒸汽熏蒸；步骤三，将步骤二中熏蒸后种子在低温条件下处理，随后再阳光下均匀摊开种子自然干燥，得到提高发芽率的种子。优选地，所述快中子源为252Cf裂变中子。优选地，所述快中子源照射条件为快中子强度为2.0×106s-1，辐照4-6min。优选地，所述快中子源照射条件为快中子强度为2.0×106s-1，辐照5min。优选地，所述变温处理条件为先将温度以4-6℃/min升温至40℃，随后以5℃/min将温度降至4℃。优选地，所述磁化处理条件为先在磁化强度为750G，磁化处理时间为6min，随后再在磁化强度为850G，磁化处理4min。优选地，所述引发液为质量浓度150mg/l赤霉素浓度、稀土矿按照重量比5:1组成的混合物。优选地，所述稀土矿为独居石粉，且独居石粉粒径为20目。优选地，所述步骤二中蒸汽熏蒸的蒸汽采用黄芩、麦冬、黄柏、鱼腥草、厚朴放入水中，煮沸，之后用小火加热，采用15min后冒出蒸汽熏蒸。优选地，所述低温处理条件为在温度为-6℃下处理6min。与现有技术相比，本专利技术具有如下的有益效果：(1)先杀菌再采用快中子源照，可有效的提高种子发芽率和降低病虫害率，本专利技术的引发液为赤霉素、稀土矿进行复配，相比现有技术中，添加的稀土矿含有多种稀土元素，能促进种子发芽，进行变温处理和低温处理使种子抵抗力增强，因种子较厚，单采用处理液处理效果不佳，本专利技术相比现有技术中，采用多种外界因素对种子处理，很大程度提高种子发芽率和抗病率。(2)本专利技术的对比例1未采用快中子源辐照病虫害率提高了0.21％，提高率85.7％，因此快中子源辐照具有降低病虫害率作用，对比例2未采用变温处理发芽率降低了1.3％，对比例3引发液未添加独居石粉发芽率降低了0.9％。(3)一种提高西瓜种子发芽率的方法，该方法不仅可提高种子发芽率，同时可提高种子抗病能力，绿色环保，具有较高的使用价值和良好的应用前景。具体实施方式下面结合具体实施例，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。实施例1.本实施例的一种提高西瓜种子发芽率的方法，包括以下步骤：步骤一，选择颗粒饱满、无损伤的种子自然干燥，再在温度为20-25℃的密闭条件下进行紫外线杀菌，随后用快中子源进行辐照；步骤二，将步骤一黄瓜种子采用变温处理，随后进行磁化处理，随后再置于引发液中浸泡12h，在室温条件下再晾干，随后置于木筛上进行蒸汽熏蒸；步骤三，将步骤二中熏蒸后种子在低温条件下处理，随后再阳光下均匀摊开种子自然干燥，得到提高发芽率的种子。本实施例的快中子源为252Cf裂变中子。本实施例的快中子源照射条件为快中子强度为2.0×106s-1，辐照4min。本实施例的变温处理条件为先将温度以4℃/min升温至40℃，随后以5℃/min将温度降至4℃。本实施例的磁化处理条件为先在磁化强度为750G，磁化处理时间为6min，随后再在磁化强度为850G，磁化处理4min。本实施例的引发液为质量浓度150mg/l赤霉素浓度、稀土矿按照重量比5:1组成的混合物。本实施例的稀土矿为独居石粉，且独居石粉粒径为20目。本实施例的步骤二中蒸汽熏蒸的蒸汽采用黄芩、麦冬、黄柏、鱼腥草、厚朴放入水中，煮沸，之后用小火加热，采用15min后冒出蒸汽熏蒸。本实施例的低温处理条件为在温度为-6℃下处理6min。实施例2.本实施例的一种提高西瓜种子发芽率的方法，包括以下步骤：步骤一，选择颗粒饱满、无损伤的种子自然干燥，再在温度为25℃的密闭条件下进行紫外线杀菌，随后用快中子源进行辐照；步骤二，将步骤一黄瓜种子采用变温处理，随后进行磁化处理，随后再置于引发液中浸泡14h，在室温条件下再晾干，随后置于木筛上进行蒸汽熏蒸；步骤三，将步骤二中熏蒸后种子在低温条件下处理，随后再阳光下均匀摊开种子自然干燥，得到提高发芽率的种子。本实施例的快中子源为252Cf裂变中子。本实施例的快中子源照射条件为快中子强度为2.0×106s-1，辐照6min。本实施例的变温处理条件为先将温度以4-6℃/min升温至40℃，随后以5℃/min将温度降至4℃。本实施例的磁化处理条件为先在磁化强度为750G，磁化处理时间为6min，随后再在磁化强度为850G，磁化处理4min。本实施例的引发液为质量浓度150mg/l赤霉素浓度、稀土矿按照重量比5:1组成的混合物。本实施例的稀土矿为独居石粉，且独居石粉粒径为20目。本实施例的步骤二中蒸汽熏蒸的蒸汽采用黄芩、麦冬、黄柏、鱼腥草、厚朴放入水中，煮沸，之后用小火加热，采用15min后冒出蒸汽熏蒸。本实施例的低温处理条件为在温度为-6℃下处理6min。实施例3.本实施例的一种提高西瓜种子发芽率的方法，包括以下步骤：步骤一，选择颗粒饱满、无损伤的种子自然干燥，再在温度为22.5℃的密闭条件下进行紫外线杀菌，随后用快中子源进行辐照；步骤二，将步骤一黄瓜种子采用变温处理，随后进行磁化处理，随后再置于引发液中浸泡13h，在室温条件下再晾干，随后置于木筛上进行蒸汽熏蒸；步骤三，将步骤二中熏蒸后种子在低温条件下处理，随后再阳光下均匀摊开种子自然干燥，得到提高发芽率的种子。本实施例的快中子源为252Cf裂变中子。本实施例的快中子源照射条件为快中子强度为2.0×106s-1，辐照5min。本实施例的变温处理条件为先将温度以4-6℃/min升温本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种提高西瓜种子发芽率的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，选择颗粒饱满、无损伤的种子自然干燥，再在温度为20‑25℃的密闭条件下进行紫外线杀菌，随后用快中子源进行辐照；步骤二，将步骤一黄瓜种子采用变温处理，随后进行磁化处理，随后再置于引发液中浸泡12‑14h，在室温条件下再晾干，随后置于木筛上进行蒸汽熏蒸；步骤三，将步骤二中熏蒸后种子在低温条件下处理，随后再阳光下均匀摊开种子自然干燥，得到提高发芽率的种子。

【技术特征摘要】
1.一种提高西瓜种子发芽率的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，选择颗粒饱满、无损伤的种子自然干燥，再在温度为20-25℃的密闭条件下进行紫外线杀菌，随后用快中子源进行辐照；步骤二，将步骤一黄瓜种子采用变温处理，随后进行磁化处理，随后再置于引发液中浸泡12-14h，在室温条件下再晾干，随后置于木筛上进行蒸汽熏蒸；步骤三，将步骤二中熏蒸后种子在低温条件下处理，随后再阳光下均匀摊开种子自然干燥，得到提高发芽率的种子。2.根据权利要求1所述的一种提高西瓜种子发芽率的方法，其特征在于，所述快中子源为252Cf裂变中子。3.根据权利要求1所述的一种提高西瓜种子发芽率的方法，其特征在于，所述快中子源照射条件为快中子强度为2.0×106s-1，辐照4-6min。4.根据权利要求3所述的一种提高西瓜种子发芽率的方法，其特征在于，所述快中子源照射条件为快中子强度为2.0×106s-1，辐照5min。5.根据权利要求1所述的一种提高西瓜种子发芽率的方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘利，
申请(专利权)人：合肥慧谷农业科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34