阵列基板、显示面板和显示装置制造方法及图纸

技术编号:19024841 阅读:31 留言:0更新日期:2018-09-26 19:26
本发明专利技术公开了一种阵列基板、显示面板和显示装置,属于显示技术领域,包括:显示区和非显示区;显示区包括多条沿第一方向延伸的栅极线和多条沿第二方向延伸的数据线;阵列基板包括至少一段异形边缘;非显示区包括多个移位寄存器,移位寄存器包括多个晶体管,多个晶体管包括敏感晶体管和非敏感晶体管;多个移位寄存器包括至少一个第一移位寄存器,第一移位寄存器与异形边缘相邻;在第一移位寄存器中,至少一个敏感晶体管的沟道方向与第一方向或者第二方向平行,至少一个非敏感晶体管的沟道方向分别与第一方向和第二方向相交。相对于现有技术,可以提高第一移位寄存器所在的部分非显示区对应的阵列基板的厚度的均一性,提升显示品质。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板、显示面板和显示装置
本专利技术涉及显示
,更具体地,涉及一种阵列基板、显示面板和显示装置。
技术介绍
请参考图1,现有技术提供的一种显示面板中,包括显示区01和非显示区02,其中,显示区01包括一段圆弧形边缘011和一段直线段边缘012。显示区包括多条栅极线03,非显示区包括移位寄存器电路,移位寄存器电路包括多个移位寄存器04,移位寄存器04和栅极线03电连接。其中,多个移位寄存器04包括和圆弧形边缘011相邻的移位寄存器041,以及和直线段边缘012相邻的移位寄存器042。移位寄存器04包括制作在显示面板中的电路元件,因此移位寄存器04具有一定的厚度。现有技术提供的显示面板中,不同移位寄存器042的边缘距离显示面板边缘05的距离均为d1,显示面板在移位寄存器042对应的位置处厚度较为均一。而不同移位寄存器041的边缘距离显示面板边缘05的距离不均一,移位寄存器041的边缘距离显示面板边缘05的距离为d2到d3之间,其中,d3>d2>d1,显示面板在移位寄存器041对应的位置处厚度不均一,会影响显示面板的封装效果,严重时可能会出现封装失效。如果对移位寄存器041中的晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:显示区和围绕所述显示区的非显示区;所述显示区包括多条沿第一方向延伸的栅极线和多条沿第二方向延伸的数据线,所述第二方向和所述第一方向相交;所述阵列基板包括至少一段异形边缘,所述异形边缘的延伸方向与所述第一方向和所述第二方向均相交;所述非显示区包括多个移位寄存器,所述移位寄存器包括多个晶体管,所述多个晶体管包括敏感晶体管和非敏感晶体管;所述多个移位寄存器包括至少一个第一移位寄存器,所述第一移位寄存器与所述异形边缘相邻;在所述第一移位寄存器中,至少一个所述敏感晶体管的沟道方向与所述第一方向或者所述第二方向平行,至少一个所述非敏感晶体管的沟道方向分别与所述第一方向和...

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:显示区和围绕所述显示区的非显示区;所述显示区包括多条沿第一方向延伸的栅极线和多条沿第二方向延伸的数据线,所述第二方向和所述第一方向相交;所述阵列基板包括至少一段异形边缘,所述异形边缘的延伸方向与所述第一方向和所述第二方向均相交;所述非显示区包括多个移位寄存器,所述移位寄存器包括多个晶体管,所述多个晶体管包括敏感晶体管和非敏感晶体管;所述多个移位寄存器包括至少一个第一移位寄存器,所述第一移位寄存器与所述异形边缘相邻;在所述第一移位寄存器中,至少一个所述敏感晶体管的沟道方向与所述第一方向或者所述第二方向平行,至少一个所述非敏感晶体管的沟道方向分别与所述第一方向和所述第二方向相交。2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述多个移位寄存器包括多个所述第一移位寄存器;对于功能相同,且分别位于不同所述第一移位寄存器中的各所述敏感晶体管,具有相同的沟道方向。3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,对于不同所述第一移位寄存器中的各所述敏感晶体管,均具有相同的沟道方向。4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述多个移位寄存器包括多个所述第一移位寄存器;对于功能相同,且分别位于相邻所述第一移位寄存器中的各所述非敏感晶体管,具有不同的沟道方向。5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述多个移位寄存器包括多个所述第一移位寄存器;对于不同所述第一移位寄存器中的各所述非敏感晶体管,均具有分别与所述第一方向和所述第二方向相交的沟道方向。6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述移位寄存器还包括高电位信号线、低电位信号线、栅极信号输出端、自举点、时钟信号端、初始化信号端和栅极信号端;其中,所述晶体管包括栅极、第一极和第二极;所述敏感晶体管包括第一晶体管、至少一个第二晶体管、至少一个第三晶体管;所述第一晶体管的栅极与所述自举点电连接,所述第一晶体管的第一极与所述栅极信号输出端电连接;所述第二晶体管的栅极与时钟信号端、初始化信号端和栅极信号端中的任一者电连接,所述第二晶体管的第一极与所述自举点电连接,所述第二晶体管的第二极与所述高电位信号线电连接;所述第三晶体管的栅极与时钟信号端、初始化信号端和栅极信号端中的任...

【专利技术属性】
技术研发人员:金慧俊苏畅邵琬童
申请(专利权)人:上海中航光电子有限公司
类型:发明
国别省市:上海,31

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