【技术实现步骤摘要】
图像传感器和成像系统
本技术涉及图像传感器和成像系统,并且具体地涉及包括具有凸表面的介电元件的图像传感器以及对应的成像系统。
技术介绍
电子设备(诸如移动电话、相机和计算机)通常使用图像传感器来捕获图像。典型的CMOS(互补金属氧化物半导体)成像器电路包括像素的焦平面阵列,并且每个像素包括用于在衬底的一部分中聚积光生电荷的光传感器,诸如光电门或光电二极管。许多常规高性能图像传感器由一种或多种规范描述,诸如高分辨率、高动态范围、高速度、高量子效率、低噪声、低暗电流、无图像滞后、电荷存储容量、输出电压摆幅等。虽然规范中的一些是相互关联的,但一些是因图像传感器的物理特性和设计而产生的折衷。例如,当像素尺寸减小时,到达光传感器的光的量减少,这可引起低量子效率。另外,具有彼此非常接近的像素和/或电路的图像传感器可表现出因噪声、电荷迁移到相邻光传感器和/或串扰而引起的光学伪影,这会对图像质量产生不利影响。
技术实现思路
本技术所解决的技术问题是在一些像素中发生的低量子效率、信号噪声、电荷迁移和/或串扰。图像传感器可包括具有凸表面的滤色器以及对应的下层介电元件。滤色器的凸表面平行于介电 ...
【技术保护点】
1.一种图像传感器,其特征在于,包括:衬底,所述衬底包括多个像素;设置在所述衬底的表面上的介电元件阵列,其中,每个介电元件包括向上远离所述衬底的所述表面延伸的凸表面;并且每个介电元件对应于一个像素并与一个像素竖直地对准;滤色器阵列,其中,每个滤色器设置在一个介电元件的所述凸表面上;并且每个滤色器包括定位在所述介电元件的所述凸表面上方的凸表面;其中,所述衬底、所述介电元件阵列和所述滤色器阵列形成竖直堆叠。
【技术特征摘要】
2017.01.18 US 15/408,8391.一种图像传感器,其特征在于,包括:衬底,所述衬底包括多个像素;设置在所述衬底的表面上的介电元件阵列,其中,每个介电元件包括向上远离所述衬底的所述表面延伸的凸表面;并且每个介电元件对应于一个像素并与一个像素竖直地对准;滤色器阵列,其中,每个滤色器设置在一个介电元件的所述凸表面上;并且每个滤色器包括定位在所述介电元件的所述凸表面上方的凸表面;其中,所述衬底、所述介电元件阵列和所述滤色器阵列形成竖直堆叠。2.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,还包括设置在所述衬底的所述表面上且在相邻介电元件之间的网格系统。3.根据权利要求2所述的图像传感器,其特征在于:所述网格系统设置在所述滤色器与所述衬底之间;并且至少一个滤色器的一部分邻接所述网格系统。4.根据权利要求2所述的图像传感器,其特征在于:所述网格系统设置在所述介电元件与所述衬底之间;并且相邻介电元件与所述网格系统重叠并彼此邻接。5.根据权利要求2所述的图像传感器,其特征在于:所述网格系统包括布置在相邻滤色器之间的复合网格结构;并且所述复合网格结构的第一端从所述衬底的所述表面延伸到所述相邻滤色器的所述凸表面。6.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于:每个滤色器的所述凸表面的形状与下层介电元件的所述凸表面的形状相同;并且所述滤色器的所述凸表面与所述下层介电元件的所述凸表面之间的距离是均...
【专利技术属性】
技术研发人员:S·伯萨克,
申请(专利权)人:半导体元件工业有限责任公司,
类型:新型
国别省市:美国,US
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