一种输入回路的电流检测电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种输入回路的电流检测电路，其包括信号输入端口、信号输出端口、电压采样端口、前端控制信号端口、后端控制信号端口、采样电阻、采样电路、第一MOSFET管、第二MOSFET管、第一偏置电路、第二偏置电路，本实用新型专利技术通过两组MOSFET管进行切换，分时接通采样电阻的前后端，分别对前端及后端进行电压采样。利用检测采样电阻两端电压差来计算工作电流的方式，实现对输入支路的电流检测。本实用新型专利技术作为一种输入回路的电流检测电路，广泛适用于电子电路技术领域。

A current detecting circuit for input circuit

The utility model discloses a current detection circuit of an input circuit, which comprises a signal input port, a signal output port, a voltage sampling port, a front-end control signal port, a back-end control signal port, a sampling resistance, a sampling circuit, a first MOSFET tube, a second MOSFET tube, a first bias circuit, and a second bias circuit. The utility model switches through two groups of MOSFET tubes, turns on the front and back ends of the sampling resistance in time, and samples the voltage of the front and back ends respectively. The method of calculating the working current by detecting the voltage difference between the two ends of the sampling resistor can realize the current detection of the input branch. The utility model, as a current detecting circuit of an input circuit, is widely applicable to the technical field of electronic circuits.

【技术实现步骤摘要】
一种输入回路的电流检测电路
本技术涉及电子电路
，尤其涉及一种输入回路的电流检测电路。
技术介绍
电流的精确采样技术，是产品实施自动化控制及安全保护的基础，一旦监测到电流超标，单片机可调节输出实施控制或切断输出以确保产品的安全使用。常规的电流检测技术，是在电路接地端串一个采样电阻，将电流转为电压，然后经过阻容滤波回路后送单片机进行A/D采样，但这种技术只适合于检测电路的总输出电流或其中的某一输出支路的工作电流，不适用于有两个或多个输入分支之后再汇总成一体的电路且需要监控其中某一输入分支工作电流的应用场合，因为采样电阻是接在输入端、没有接地，显然不能使用，需要设计一套新的采样电路以满足这种要求。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本技术的目的是提供一种输入回路的电流检测电路。本技术所采样的技术方案是：一种输入回路的电流检测电路，其包括信号输入端口、信号输出端口、电压采样端口、前端控制信号端口、后端控制信号端口、采样电阻、采样电路、第一MOSFET管、第二MOSFET管、第一偏置电路、第二偏置电路，所述信号输入端通过采样电阻与所述信号输出端连接，所述采样电路的输入端与所述第一MOSFET管的漏极连接，所述采样电路的输出端与所述电压采样端口连接，所述第一MOSFET管的源极与所述信号输入端口连接，所述第一MOSFET管的栅极与所述前端控制信号端口连接，所述第二MOSFET管的源极与所述信号输出端口连接，其漏极与所述采样电路的输入端连接，其栅极与所述后端控制信号端口连接；所述第一偏置电路与所述信号输入端口连接，所述第二偏置电路与所述信号输出端连接。进一步，所述采样电路包括第二电阻、第三电阻以及第一电容，所述第二电阻的一端与所述第一MOSFET管的漏极连接，其另一端与所述电压采样端口和第三电阻的一端连接，所述第三电阻的另一端与地连接，所述第一电容的一端与所述电压采样端口连接，另一端与地连接。进一步，所述第一偏置电路包括第四电阻、第三三极管以及第六电阻，所述第四电阻的一端与所述信号输入端口连接，其另一端与第一MOSFET管的栅极和第三三极管的集电极连接，所述第三三极管的发射极与地连接，其基极通过第六电阻与所述前端控制信号端口连接。进一步，所述第二偏置电路包括第五电阻、第四三极管以及第七电阻，所述第五电阻的一端与所述信号输入端口连接，其另一端与第二MOSFET管的栅极和第四三极管的集电极连接，所述第四三极管的发射极与地连级，其基极通过第七电阻与所述后端控制信号端口连接。进一步，所述第一MOSFET管、第二MOSFET管均为P型MOSFET管。进一步，所述第三三极管、第四三极管均为NPN型三极管。本技术的有益效果是：本技术通过两组MOSFET管进行切换，分时接通采样电阻的前后端，分别对前端及后端进行电压采样。利用检测采样电阻两端电压差来计算工作电流的方式，实现对输入支路的电流检测。附图说明下面结合附图对本技术的具体实施方式作进一步说明：图1是本技术一具体实施例的电路原理图。具体实施方式需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。如图1所示，一种输入回路的电流检测电路，其包括信号输入端口INPUT、信号输出端口OUTPUT、电压采样端口ADCHECK、前端控制信号端口ADH、后端控制信号端口ADL、采样电阻R1、采样电路、第一MOSFET管Q1、第二MOSFET管Q2、第一偏置电路、第二偏置电路，所述信号输入端通过采样电阻R1与所述信号输出端连接，所述采样电路的输入端与所述第一MOSFET管Q1的漏极连接，所述采样电路的输出端与所述电压采样端口ADCHECK连接，所述第一MOSFET管Q1的源极与所述信号输入端口INPUT连接，所述第一MOSFET管Q1的栅极与所述前端控制信号端口ADH连接，所述第二MOSFET管Q2的源极与所述信号输出端口OUTPUT连接，其漏极与所述采样电路的输入端连接，其栅极与所述后端控制信号端口ADL连接；所述第一偏置电路与所述信号输入端口INPUT连接，所述第二偏置电路与所述信号输出端连接。采样电阻R1为输入回路的采样电阻，将流经输入回路的电流转换为电压的变化。通过采样电路、电压采样端口ADCHECK与单片机的A/D口连接，对输入电压进行分压及A/D电压检测。单片机的IO口与前端控制信号端口ADH、后端控制信号端口ADL连接，控制第一MOSFET管Q1、第二MOSFET管Q2的关断。分时接通采样电阻R1的前后端，分别对前端及后端进行电压采样。利用检测采样电阻R1两端电压差来计算工作电流的方式，实现对输入支路的电流检测。采样电阻R1两端的电压差＝采样电阻R1前端的电压-采样电阻R1后端的电压，输入回路流经采样电阻R1的电流＝采样电阻R1两端的电压差÷采样电阻R1的阻值。采样电阻R1前端或后端的电压＝(1+R2/R3)×单片机A/D口所测电压。另外，由于采样电阻R1两端的A/D电压采样都是采样同一组采样电路，采样电路自身的误差对采样电阻前后端的电压测量误差影响都是一样的(同时变大或同时变小)，但采样电阻R1前后端的电压差还是依然保持不变，不受采样电路的误差值影响，实现了对工作电流的精密采样。作为优选的实施方式，如图1所示，所述采样电路包括第二电阻R2、第三电阻R3以及第一电容C1，所述第二电阻R2的一端与所述第一MOSFET管Q1的漏极连接，其另一端与所述电压采样端口ADCHECK和第三电阻R3的一端连接，所述第三电阻R3的另一端与地连接，所述第一电容C1的一端与所述电压采样端口ADCHECK连接，另一端与地连接。如图1所示，所述第一偏置电路包括第四电阻R4、第三三极管Q3以及第六电阻R6，所述第四电阻R4的一端与所述信号输入端口INPUT连接，其另一端与第一MOSFET管Q1的栅极和第三三极管Q3的集电极连接，所述第三三极管Q3的发射极与地连接，其基极通过第六电阻R6与所述前端控制信号端口ADH连接。所述第二偏置电路包括第五电阻R5、第四三极管Q4以及第七电阻R7，所述第五电阻R5的一端与所述信号输入端口INPUT连接，其另一端与第二MOSFET管Q2的栅极和第四三极管Q4的集电极连接，所述第四三极管Q4的发射极与地连级，其基极通过第七电阻R7与所述后端控制信号端口ADL连接。第四电阻R4、第五电阻R5为第一MOSFET管Q1、第二MOSFET管Q2开关管的偏置电阻。第三三极管Q3、第四三极管Q4分别为控制第一MOSFET管Q1、第二MOSFET管Q2管导通的三极管，第六电阻R6、第七电阻R7为第三三极管Q3、第四三极管Q4管的基极驱动电阻。当需要对采样电阻前端的电压进行采样检测时，单片机IO口向前端控制信号端口ADH输出高电平，第三三极管Q3管导通，进而第一MOSFET管Q1管导通，采样电阻R1前端与第二电阻R2、第三电阻R3分压采样电阻电路接通。同时，单片机IO口向后端控制信号端口ADL输出低电平，第四MOSFET管Q4、第二MOSFET管Q2管截止，采样电阻R1后端与第二电阻R2、第三电阻R3分压采样电阻电路不接通，此时单片机A、D口电压采样端口ADCHECK即可对采样电阻R1前端的电压进行A/D采样检测本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种输入回路的电流检测电路，其特征在于：其包括信号输入端口、信号输出端口、电压采样端口、前端控制信号端口、后端控制信号端口、采样电阻、采样电路、第一MOSFET管、第二MOSFET管、第一偏置电路、第二偏置电路，所述信号输入端口通过采样电阻与所述信号输出端口连接，所述采样电路的输入端与所述第一MOSFET管的漏极连接，所述采样电路的输出端与所述电压采样端口连接，所述第一MOSFET管的源极与所述信号输入端口连接，所述第一MOSFET管的栅极与所述前端控制信号端口连接，所述第二MOSFET管的源极与所述信号输出端口连接，其漏极与所述采样电路的输入端连接，其栅极与所述后端控制信号端口连接；所述第一偏置电路与所述信号输入端口连接，所述第二偏置电路与所述信号输出端连接。

【技术特征摘要】
1.一种输入回路的电流检测电路，其特征在于：其包括信号输入端口、信号输出端口、电压采样端口、前端控制信号端口、后端控制信号端口、采样电阻、采样电路、第一MOSFET管、第二MOSFET管、第一偏置电路、第二偏置电路，所述信号输入端口通过采样电阻与所述信号输出端口连接，所述采样电路的输入端与所述第一MOSFET管的漏极连接，所述采样电路的输出端与所述电压采样端口连接，所述第一MOSFET管的源极与所述信号输入端口连接，所述第一MOSFET管的栅极与所述前端控制信号端口连接，所述第二MOSFET管的源极与所述信号输出端口连接，其漏极与所述采样电路的输入端连接，其栅极与所述后端控制信号端口连接；所述第一偏置电路与所述信号输入端口连接，所述第二偏置电路与所述信号输出端连接。2.根据权利要求1所述的输入回路的电流检测电路，其特征在于：所述采样电路包括第二电阻、第三电阻以及第一电容，所述第二电阻的一端与所述第一MOSFET管的漏极连接，其另一端与所述电压采样端口和第三电阻的一端连接，所述第三电阻的...

【专利技术属性】
技术研发人员：田宝军，安飞虎，黄荣秋，
申请(专利权)人：深圳飞安瑞科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44