一种显示基板、显示装置及显示基板的制作方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种显示基板、显示装置及显示基板的制作方法，以改善显示基板上薄膜晶体管的性能。显示基板包括：衬底基板以及沿远离衬底基板方向依次设置的氧化物诱导层和多晶硅层，其中：多晶硅层包括源极连接区、漏极连接区、位于源极连接区和漏极连接区之间的沟道区，以及位于源极连接区和沟道区之间的第一浅掺杂区和位于漏极连接区和沟道区之间的第二浅掺杂区；氧化物诱导层包括与源极连接区对应的第一部分、与漏极连接区对应的第二部分，以及与沟道区对应的第三部分，第三部分与第一部分和第二部分分别间隔设置。

【技术实现步骤摘要】
一种显示基板、显示装置及显示基板的制作方法
本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种显示基板、显示装置及显示基板的制作方法。
技术介绍
薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，简称TFT)是场效应晶体管的种类之一，主要应用于平板显示装置中。在现有平板显示装置中，薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，简称TFT-LCD)以及正在普及的有机发光二级管显示器(Active-matrixorganiclightemittingdiode，简称AMOLED)在现有的平板显示器市场占据了主导地位。根据用作半导体层的硅的种类，TFT可概括地分成：利用由非晶硅组成的半导体膜的TFT，以及利用由具有结晶相的多晶硅组成的半导体膜的TFT。由于多晶硅制成的半导体具有比非晶硅制成的半导体的载流子迁移率大，因而在TFT器件中使用多晶硅作为有源层可以提升TFT器件性能。低温多晶硅(LowTemperaturePoly-silicon,LTPS)是多晶硅的一个分支，一般由非晶硅通过准分子激光退火(ExcimerLaserAnnealing，简称ELA)晶化得到。低温多晶硅在制作时，使用准分子激光照射非晶硅膜层，非晶硅膜层表面融化后热量会继续向下传递，整个膜层近于全融状态，此时底层的非晶硅颗粒作为籽晶向水平方向与垂直方向生长，获得较大尺寸晶粒。现有技术存在的缺陷在于，采用ELA晶化工艺得到低温多晶硅具有一定比例的晶界等缺陷，致使多晶硅TFT载流子迁移率远远小于大单晶硅TFT载流子迁移率，为满足器件性能对TFT性能不断提升的需求，提升现有低温多晶硅TFT载流子迁移率具有较大意义。
技术实现思路
本专利技术实施例的目的是提供一种显示基板、显示装置及显示基板的制作方法，以改善显示基板上TFT器件的性能。本专利技术实施例提供的一种显示基板，包括衬底基板以及沿远离所述衬底基板方向依次设置的氧化物诱导层和多晶硅层，其中：所述多晶硅层包括源极连接区、漏极连接区、位于所述源极连接区和所述漏极连接区之间的沟道区，以及位于所述源极连接区和所述沟道区之间的第一浅掺杂区和位于所述漏极连接区和所述沟道区之间的第二浅掺杂区；所述氧化物诱导层包括与所述源极连接区对应的第一部分、与所述漏极连接区对应的第二部分，以及与所述沟道区对应的第三部分，所述第三部分与所述第一部分和所述第二部分分别间隔设置。采用本专利技术上述实施例的技术方案，由于氧化物诱导层具有良好的结晶取向，在结晶过程中有利于晶粒的生长，所以形成的多晶硅层具有更高的晶化率，改善了显示基板上TFT器件的性能。可选的，所述氧化物诱导层材质为MgO或SiO2。可选的，所述氧化物诱导层材质为MgO，厚度为较佳的，所述的阵列基板还包括：位于所述衬底基板与所述氧化物诱导层之间的缓冲层。可选的，所述缓冲层材质为SiNX或SiOX。本专利技术实施例还提供一种显示装置，包括前述任一技术方案所述的显示基板。由于显示基板的TFT性能较佳，因此，显示装置也具有较佳的产品品质。本专利技术实施例还提供一种显示基板的制作方法，包括：在衬底基板之上形成氧化物诱导层，所述氧化物诱导层对应每个薄膜晶体管包括第一部分、第二部分以及位于第一部分和第二部分之间且与第一部分和第二部分分别间隔的第三部分；在氧化物诱导层远离衬底基板的一侧形成多晶硅层，所述多晶硅层包括与第一部分对应的源极连接区、与第二部分对应的漏极连接区、与第三部分对应的沟道区，以及位于所述源极连接区和所述沟道区之间的第一浅掺杂区和位于所述漏极连接区和所述沟道区之间的第二浅掺杂区。采用本专利技术上述实施例的制作方法，首先在衬底基板和非晶硅层之间形成诱导层，然后对非晶硅层进行准分子激光照射，这样形成的多晶硅的晶粒均一性较好，迁移率较高，显示基板上TFT器件的性能也得到了改善。可选的，所述氧化物诱导层材质为MgO或SiO2。具体的，所述氧化物诱导层材质为MgO，所述在衬底基板之上形成氧化物诱导层，包括：采用电子束蒸发制备工艺在在衬底基板之上形成厚度为的氧化物诱导材料层；对所述氧化物诱导材料层进行图案化处理，形成所述氧化物诱导层的图案。采用本专利技术上述实施例的制作方法，由于MgO具有良好的结晶取向，且与Si晶格具有良好的匹配，当MgO作为氧化物诱导层材质时，MgO的晶格将会诱导非晶硅的晶化，多晶硅的结晶质量得到了提高。具体的，所述在氧化物诱导层远离衬底基板的一侧形成多晶硅层，包括：在氧化物诱导层远离衬底基板一侧形成非晶硅材料层；对非晶硅材料层进行准分子激光照射，使非晶硅材料层转化为多晶硅材料层；对多晶硅材料层进行图案化处理，形成多晶硅层的图案。采用本专利技术上述实施例的制作方法，由于在非晶硅与衬底基板之间有氧化物诱导层，所以在对非晶硅层进行准分子激光照射时，形成的多晶硅的晶粒均一性较好，迁移率较高，显示基板上TFT器件的性能得到了提高。较佳的，所述在衬底基板之上形成氧化物诱导层的步骤之前，还包括：在所述衬底基板之上形成缓冲层。采用本专利技术上述实施例的制作方法，形成多晶硅的晶化率较高，迁移率较高，提高了显示基板上TFT器件的性能。附图说明图1为本专利技术一实施例显示基板示意图；图2为本专利技术另一实施例显示基板示意图；图3为本专利技术一实施例显示基板进行准分子激光照射示意图；图4为本专利技术一实施例显示基板的制作方法流程图；图5为本专利技术一实施例显示基板的诱导层制作流程图；图6为本专利技术一实施例显示基板的多晶硅层制作流程图。附图标记：1-衬底基板2-氧化物诱导层3-多晶硅层4-源极连接区5-漏极连接区6-沟道区7-第一浅掺杂区8-第二浅掺杂区9-第一部分10-第二部分11-第三部分12-缓冲层13-非晶硅材料层具体实施方式为形成多晶硅晶粒的均一性，提高显示基板上TFT器件的性能，本专利技术实施例提供了一种显示基板、显示装置及显示基板的制作方法。为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，以下举实施例对本专利技术作进一步详细说明。如图1所示，本专利技术一实施例提供的显示基板，包括衬底基板1以及沿远离衬底基板1方向依次设置的氧化物诱导层2和多晶硅层3，其中：多晶硅层3包括源极连接区4、漏极连接区5、位于源极连接区4和漏极连接区5之间的沟道区6，以及位于源极连接区4和沟道区6之间的第一浅掺杂区7和位于漏极连接区5和沟道区6之间的第二浅掺杂区8；氧化物诱导层2包括与源极连接区4对应的第一部分9、与漏极连接区5对应的第二部分10，以及与沟道区6对应的第三部分11，第三部分11与第一部分9和第二部分10分别间隔设置。在本专利技术实施例中，氧化物诱导层2的第一部分9与源极连接区4对应，可以理解为第一部分9与源极连接区4在衬底基板1上的投影相重叠，同理，氧化物诱导层2的第二部分10与漏极连接区5对应，可以理解为第二部分10与漏极连接区5在衬底基板1上的投影相重叠，氧化物诱导层2的第三部分11与沟道区6对应，可以理解为第三部分11与沟道区6在衬底基板1上的投影相重叠。本专利技术实施例中，衬底基板1的具体材质不限，例如可以采用玻璃、树脂，或塑料等。如图1至图3所示，在本专利技术的一实施例中，氧化物诱导层2材质为MgO或SiO2，当氧化物诱导层2材质为MgO时，氧化物诱导层2厚度为MgO具有良好的结晶取向，且与Si本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示基板，其特征在于，包括衬底基板以及沿远离所述衬底基板方向依次设置的氧化物诱导层和多晶硅层，其中：所述多晶硅层包括源极连接区、漏极连接区、位于所述源极连接区和所述漏极连接区之间的沟道区，以及位于所述源极连接区和所述沟道区之间的第一浅掺杂区和位于所述漏极连接区和所述沟道区之间的第二浅掺杂区；所述氧化物诱导层包括与所述源极连接区对应的第一部分、与所述漏极连接区对应的第二部分，以及与所述沟道区对应的第三部分，所述第三部分与所述第一部分和所述第二部分分别间隔设置。

【技术特征摘要】
1.一种显示基板，其特征在于，包括衬底基板以及沿远离所述衬底基板方向依次设置的氧化物诱导层和多晶硅层，其中：所述多晶硅层包括源极连接区、漏极连接区、位于所述源极连接区和所述漏极连接区之间的沟道区，以及位于所述源极连接区和所述沟道区之间的第一浅掺杂区和位于所述漏极连接区和所述沟道区之间的第二浅掺杂区；所述氧化物诱导层包括与所述源极连接区对应的第一部分、与所述漏极连接区对应的第二部分，以及与所述沟道区对应的第三部分，所述第三部分与所述第一部分和所述第二部分分别间隔设置。2.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述氧化物诱导层材质为MgO或SiO2。3.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述氧化物诱导层材质为MgO，厚度为4.如权利要求1或2所述的显示基板，其特征在于，还包括：位于所述衬底基板与所述氧化物诱导层之间的缓冲层。5.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述缓冲层材质为SiNX或SiOX。6.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～5任一项所述的显示基板。7.一种显示基板的制作方法，其特征在于，包括：在衬底基板之上形成氧化物诱导层，所述氧化物诱导层对应每个薄膜晶体管包括第一部分、第二部分以及位于第一部分和第二部分之间且与第一部...

【专利技术属性】
技术研发人员：关峰，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11