一种探测器面板制造技术

本实用新型专利技术提供一种探测器面板，所述探测器面板至少包括：玻璃基板、形成于所述玻璃基板表面的反射膜层、以及形成于所述反射膜层表面的TFT非晶硅感光像素阵列；从所述TFT非晶硅感光像素阵列透过的可见光，通过所述反射膜层的反射作用，由所述TFT非晶硅感光像素阵列重新吸收。本实用新型专利技术探测器面板中的所述反射膜层既可以使像素阵列没有完全吸收的透射光反射回来重新吸收，即消除了在所述玻璃基板内的传输吸收发散，而且完全避免了反射光会被其他相邻像素吸收的可能，从而提高探测器检测效率和图像质量。

【技术实现步骤摘要】
一种探测器面板
本技术涉及X射线平板探测器领域，特别是涉及一种探测器面板。
技术介绍
在X射线平板探测器行业，非晶硅探测器面板是最为核心的部件，其基板材料为透明的玻璃材料，因为非晶硅层本身的吸收能力有限，约有5-10％左右的闪烁层发出的可见光没有被吸收而直接透射后损失掉了。透射过去的光含有被测物体的信息，降低了探测器的探测效率，因此需要考虑充分利用起来。TFT玻璃面板可见光传输路线示意图如图1所示，从X光入射到TFT玻璃面板上的闪烁体层中，由闪烁体层把X光转化成入射可见光1后，被TFT非晶硅感光像素阵列2吸收，由于TFT非晶硅感光像素阵列2吸收不完全，加之像素与像素之间有缝隙等原因，大约有5-10％左右的带有被测物体信号的可见光透射到玻璃基板3的另一面成为透射光4后损失掉了，影响了探测器的检出效率，性能下降。为了把从玻璃基板3透射的光4利用上，大部分采用的手段是在玻璃基板3背面贴反射膜层5，如图2所示；背面采用反射膜层5的方案可以使透射的光4大部分反射回去形成反射光6再利用，用这种方案依然存在以下问题：1、由于透过的可见光需要经过玻璃基板的入射和反射的吸收，也损失了一部分光强，2、透射过去的光反射后由于玻璃基板厚度差，导致反射光的方向发生了改变，反射光也会被另外相邻的像素吸收，导致信号失真，影响了图像的清晰度。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种探测器面板，用于解决现有技术中探测器存在光损失和光发散而导致信号失真、图像不清晰的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种探测器面板，所述探测器面板至少包括：玻璃基板、形成于所述玻璃基板表面的反射膜层、以及形成于所述反射膜层表面的TFT非晶硅感光像素阵列；从所述TFT非晶硅感光像素阵列透过的可见光，通过所述反射膜层的反射作用，由所述TFT非晶硅感光像素阵列重新吸收。作为本技术探测器面板的一种优化的结构，所述反射膜层包括形成于所述玻璃基板表面的金属反射层和形成于所述金属反射层表面的绝缘层。作为本技术探测器面板的一种优化的结构，所述金属反射层的厚度介于几纳米至1μm之间。作为本技术探测器面板的一种优化的结构，所述金属反射层的厚度介于10～500nm之间。作为本技术探测器面板的一种优化的结构，所述金属反射层的材质包括Al、Ag、Cu中的一种或多种的组合。作为本技术探测器面板的一种优化的结构，所述绝缘层的厚度介于10nm-1000nm之间。作为本技术探测器面板的一种优化的结构，所述绝缘层包括氮化硅或者氧化硅。如上所述，本技术的探测器面板，所述探测器面板至少包括：玻璃基板、形成于所述玻璃基板表面的反射膜层、以及形成于所述反射膜层表面的TFT非晶硅感光像素阵列；从所述TFT非晶硅感光像素阵列透过的可见光，通过所述反射膜层的反射作用，由所述TFT非晶硅感光像素阵列重新吸收。本技术探测器面板中的所述反射膜层既可以使像素阵列没有完全吸收的透射光反射回来重新吸收，即消除了在所述玻璃基板内的传输吸收发散，而且完全避免了反射光会被其他相邻像素吸收的可能，从而提高探测器检测效率和图像质量。附图说明图1显示为现有技术中探测器面板的可见光传输路线示意图。图2显示为现有技术中探测器面板的结构示意图。图3显示为本技术探测器面板的结构示意图。图4显示为本技术探测器面板中反射膜层的结构示意图。元件标号说明1入射可见光2TFT非晶硅感光像素阵列3玻璃基板4透射光5反射膜层51金属反射层52绝缘层6反射光具体实施方式以下由特定的具体实施例说明本技术的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点及功效。请参阅图3和图4。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当亦视为本技术可实施的范畴。如图3所示，本技术提供一种探测器面板，所述探测器面板至少包括：玻璃基板3、形成于所述玻璃基板3表面的反射膜层5、以及形成于所述反射膜层5表面的TFT非晶硅感光像素阵列2；从所述TFT非晶硅感光像素阵列2透过的可见光(即透射光4)，通过所述反射膜层5的反射作用，由所述TFT非晶硅感光像素阵列2重新吸收。本技术为了解决光损失和反射光发散的问题，在所述玻璃基板3和所述TFT非晶硅感光像素阵列2之间形成所述反射膜层5，通过所述反射膜层5既可以使TFT非晶硅感光像素阵列2没有完全吸收的透射光反射回来重新吸收，即消除了在所述玻璃基板3内的传输吸收发散，而且完全避免了反射光6会被其他相邻像素吸收的可能，从而提高探测器检测效率和图像质量。作为示例，如图4所示，所述反射膜层5包括形成于所述玻璃基板3表面的金属反射层51和形成于所述金属反射层51表面的绝缘层52。通过所述金属反射层51实现可见光反射的作用，通过所述绝缘层52可以实现金属反射层51与所述TFT非晶硅感光像素阵列2之间的绝缘保护。作为示例，所述金属反射层51的厚度介于几纳米至1μm之间。更优地，所述金属反射层51的厚度介于10～500nm之间。本实施例中，所述金属反射层51的厚度为100nm。作为示例，所述金属反射层51的材质包括Al、Ag、Cu中的一种或多种的组合。当然，所述金属反射层51也可以是其他适合的具有反射功能的金属材料，在此不做限制。本实施例中，所述金属反射层51为Al。作为示例，所述绝缘层52的厚度介于10nm-1000nm之间。更优地，所述绝缘层52的厚度介于300-600nm之间。本实施例中，所述绝缘层52的厚度为500nm。作为示例，所述绝缘层52包括氮化硅或者氧化硅。本实施例中，所述绝缘层52为氧化硅。本技术探测面板的制作工艺大致如下：首先，提供玻璃基板3，并对所述玻璃基板3进行清洗，去除表面杂质；然后，在所述玻璃基板3上镀一层金属反射层51；接着，在所述金属反射层51上制作一层绝缘层52；最后，在所述绝缘层52上制作TFT非晶硅感光像素阵列2；接下来再制作闪烁体层以及防潮层等等结构。本技术是为了解决透射光像素再利用而做的努力，通过在玻璃基板3与之间TFT非晶硅感光像素阵列2增加反射膜层5，可有效避免现有技术中出现的反射光传输后带来的问题。综上所述，本技术的探测器面板，至少包括：玻璃基板、形成于所述玻璃基板表面的反射膜层、以及形成于所述反射膜层表面的TFT非晶硅感光像素阵列；从所述TFT非晶硅感光像素阵列透过的可见光，通过所述反射膜层的反射作用，由所述TFT非晶硅感光像素阵列重新吸收。本技术探测器面板中的所述反射膜层既可以使像素阵列没有完全吸收的透射光反射回来重新吸收，即消除了在所述玻璃基板内的传输吸收发散，而且完本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种探测器面板，其特征在于，所述探测器面板至少包括：玻璃基板、形成于所述玻璃基板表面的反射膜层、以及形成于所述反射膜层表面的TFT非晶硅感光像素阵列；从所述TFT非晶硅感光像素阵列透过的可见光，通过所述反射膜层的反射作用，由所述TFT非晶硅感光像素阵列重新吸收。

【技术特征摘要】
1.一种探测器面板，其特征在于，所述探测器面板至少包括：玻璃基板、形成于所述玻璃基板表面的反射膜层、以及形成于所述反射膜层表面的TFT非晶硅感光像素阵列；从所述TFT非晶硅感光像素阵列透过的可见光，通过所述反射膜层的反射作用，由所述TFT非晶硅感光像素阵列重新吸收。2.根据权利要求1所述的探测器面板，其特征在于：所述反射膜层包括形成于所述玻璃基板表面的金属反射层和形成于所述金属反射层表面的绝缘层。3.根据权利要求2所述的探测器面板...

【专利技术属性】
技术研发人员：程丙勋，周作兴，金利波，
申请(专利权)人：上海奕瑞光电子科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31