The invention provides a method for forming a touch display panel and a touch display motherboard. The method for forming a touch display motherboard includes forming a touch display motherboard with a polydimethylsiloxane protective film, plasma treating the surface of the polydimethylsiloxane protective film, and cutting the touch display motherboard into a plurality of contacts. The control display unit and the polydimethylsiloxane protective film are peeled by soaking the multiple touch display units in an organic solvent. The plasma treated polydimethoxysilane was used as the protective film of the touch sensor during the fabrication process, and the touch display unit was immersed in organic solvents during the peeling process, thereby reducing the adhesion between the protective film and the touch sensor, making the protective film easy to peel off, no residue, easy to operate and significantly improving. Peel off yield.
【技术实现步骤摘要】
触控显示面板的形成方法和触控显示母板
本专利技术涉及液晶显示
,具体涉及触控显示面板的形成方法和触控显示母板。
技术介绍
随着科学技术的发展,液晶显示在生活中随处可见,为提高人机交互的操作感,触控显示面板被广泛应用,例如手机、平板电脑、银行自助服务一体机等。然而在触控显示面板的制造过程中仍然存在一些问题,在触摸传感器(TouchSensor)制作完成后,为保护触摸传感器在后续工艺过程中不被腐蚀、磨损,通常会涂覆一层保护膜,目前通常采用丝印网版制作一层蓝膜,去除蓝膜时会发生残留的现象,严重影响显示器件的质量。此外,带有蓝膜的显示器件在检测时偶尔会发生误判,影响产品的良率,因此需要一种新的触控显示面板的形成方法,以解决上述种种问题。需要说明的是,在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供触控显示面板的形成方法和触控显示母板,通过在制作过程中将经等离子体处理的聚二甲基硅氧烷作为触摸传感器的保护膜,剥离过程中将触控显示单元浸泡在有机溶剂中,从而降低保护膜与触摸传感器之间的粘附性,使得保护膜易剥离、无残留,操作简单,显著提高剥离良率。为了实现上述目的,采用如下技术方案:本专利技术提供一种触控显示面板的形成方法,包括:形成具有聚二甲基硅氧烷保护膜的触控显示母板,对所述聚二甲基硅氧烷保护膜的表面进行等离子体处理;将所述触控显示母板切割成多个触控显示单元;以及将所述多个触控显示单元浸泡在有机溶剂中,剥离所述聚二甲基硅氧烷保护膜。根据本专利技术的一个实施方式 ...
【技术保护点】
1.一种触控显示面板的形成方法,其特征在于,包括:形成具有聚二甲基硅氧烷保护膜的触控显示母板,对所述聚二甲基硅氧烷保护膜的表面进行等离子体处理;将所述触控显示母板切割成多个触控显示单元;以及将所述多个触控显示单元浸泡在有机溶剂中,剥离所述聚二甲基硅氧烷保护膜。
【技术特征摘要】
1.一种触控显示面板的形成方法,其特征在于,包括:形成具有聚二甲基硅氧烷保护膜的触控显示母板,对所述聚二甲基硅氧烷保护膜的表面进行等离子体处理;将所述触控显示母板切割成多个触控显示单元;以及将所述多个触控显示单元浸泡在有机溶剂中,剥离所述聚二甲基硅氧烷保护膜。2.根据权利要求1所述的形成方法,其特征在于,所述触控显示母板包括显示面板和其上的触控传感器,所述形成具有聚二甲基硅氧烷保护膜的触控显示母板的步骤包括:在所述触控传感器上涂覆并加热固化聚二甲基硅氧烷。3.根据权利要求2所述的形成方法,其特征在于,所述固化的温度为50~90℃。4.根据权利要求1所述的形成方法,其特征在于,所述等离子体处理为氧等离子体处理。5.根据权利要求1所述的形成方法,其特征在于,所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴小会,姜妮,向西,冯远明,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,成都京东方光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
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