一种消耗平板磁性装置漏感的方法及基于该方法的平板磁性装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及平板磁性装置技术领域，具体为一种消耗平板磁性装置漏感的方法及基于该方法的平板磁性装置，具体方法为：选取平板磁性装置中的任意一层绕组层，在该绕组层与前一层之间或者该绕组层与后一层之间平行设置导电介质层，导电介质层上匹配设有用于磁性装置的磁芯的磁柱穿过的通孔和/或缺口，在导电介质层上位于相邻磁柱之间的区域内布设有至少一根隔离线且隔离线的两端分别延伸至磁柱穿过的通孔或者缺口的边缘，隔离线中不具有导电介质，导电介质层的覆盖面积≥所有绕组层产生的磁通的覆盖面积，所有绕组层产生的漏磁磁通会在导电介质层产生感应电流，而基于隔离线的设置不会产生围绕磁芯磁柱的感应电流，从而使得在漏磁磁通被消耗的同时，不导致主磁通的损耗。

Method for consuming leakage of flat magnetic device and flat magnetic device based on the method

The invention relates to the technical field of flat magnetic device, in particular to a method for consuming the leakage inductance of flat magnetic device and a flat magnetic device based on the method. The specific method is that any layer of winding layer in the flat magnetic device is selected and arranged in parallel between the winding layer and the former layer or between the winding layer and the latter layer. A conductive dielectric layer matching the through holes and/or notches through which a magnetic column with a core for a magnetic device passes, in which at least one isolation line is arranged in the area between adjacent magnetic columns on the conductive dielectric layer and the ends of the isolation line extend to the edges of the through holes or notches through which the magnetic column passes, respectively, in the isolation line. With a conductive medium, the coverage area of the conductive medium layer is greater than or equal to the coverage area of the flux generated by all the winding layers, and the flux leakage generated by all the winding layers generates an inductive current in the conductive medium layer, while the isolation-line-based setting does not generate an inductive current around the core magnetic column, so that the flux leakage is consumed at the same time. It does not cause loss of main flux.

【技术实现步骤摘要】
一种消耗平板磁性装置漏感的方法及基于该方法的平板磁性装置
本专利技术涉及平板磁性器件
，具体为一种消耗平板磁性装置漏感的方法及基于该方法的平板磁性装置。
技术介绍
现有的平板磁性器件，例如平板变压器、平板电感等，一般采用低高度的磁芯构成，绕组则在单层或者多层印制电路板(以下简称PCB板)的金属层上实现。平面变压器的具体实现方式主要有两种：A.如图1所示，变压器的原边绕组和副边绕组在同一PCB板的同一层金属层上实现，这种方式由于原边绕组和副边绕组在同一金属层上实现，使得绕组绕线圈数受制于PCB面积；B.如图2所示，变压器的原边绕组和副边绕组在同一PCB板的不同层金属层上实现，不同层之间通过金属过孔连接；这种实现方式的两个绕组在不同的金属层上，使得受到PCB面积的制约较小，能够实现更大的绕组绕线圈数；C.变压器的原边绕组和副边绕组在不同PCB板的金属层上实现，不同PCB板之间通过导电连接组件连接，例如通过PCB板的金属过孔连接，用一个金属柱穿过过孔，过孔和金属柱焊接在一起；这种实现方式的两个绕组在不同的PCB板上，使得受到PCB板面积的制约较小，能够实现更大的绕组绕线圈数。类似地，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种消耗平板磁性装置漏感的方法，其特征在于：选取平板磁性装置中的任意一层绕组层，在该绕组层与前一层之间或者该绕组层与后一层之间平行设置导电介质层，导电介质层上匹配设有用于平板磁性装置的磁芯的磁柱穿过的通孔和/或缺口，在导电介质层上位于相邻磁柱之间的区域内布设有至少一根隔离线且隔离线的两端分别延伸至磁柱穿过的通孔或者缺口的边缘，隔离线中不具有导电介质，导电介质层的覆盖面积大于所有绕组层产生的磁通的覆盖面积，所有绕组层产生的漏磁磁通在导电介质层产生感应电流，且基于隔离线的设置，导电介质层不会产生围绕磁芯磁柱的感应电流，从而使得在平板磁性装置的漏磁磁通被消耗的同时，不会导致主磁通的损耗。

【技术特征摘要】
1.一种消耗平板磁性装置漏感的方法，其特征在于：选取平板磁性装置中的任意一层绕组层，在该绕组层与前一层之间或者该绕组层与后一层之间平行设置导电介质层，导电介质层上匹配设有用于平板磁性装置的磁芯的磁柱穿过的通孔和/或缺口，在导电介质层上位于相邻磁柱之间的区域内布设有至少一根隔离线且隔离线的两端分别延伸至磁柱穿过的通孔或者缺口的边缘，隔离线中不具有导电介质，导电介质层的覆盖面积大于所有绕组层产生的磁通的覆盖面积，所有绕组层产生的漏磁磁通在导电介质层产生感应电流，且基于隔离线的设置，导电介质层不会产生围绕磁芯磁柱的感应电流，从而使得在平板磁性装置的漏磁磁通被消耗的同时，不会导致主磁通的损耗。2.一种基于权利要求1所述的消耗平板磁性装置漏感的方法的平板磁性装置，其特征在于：包括相匹配的上磁芯和下磁芯、PCB板，所述上磁芯或者下磁芯上设有至少2个磁柱，所述PCB板设于上磁芯和下磁芯之间且具有多层结构，每层结构均设有用于磁柱穿过的通孔和/或缺口，在多层结构中至少包括2层金属层，其中1层金属层作为导电介质层，其余层金属层作为绕组布设层，所述导电介质层的覆盖面积大于等于所有绕组布设层上的绕组产生的磁通的覆盖面积，所述导电介质层上位于相邻磁柱之间的区域内布设有至少一根隔离线且隔离线的两端分别延伸至磁柱穿过的通孔或者缺口的边缘，所述隔离线中不具有导电介质。3.根据权利要求2所述的平板磁性装置，其特征在于：所述平板磁性装置为平板变压器，所述上磁芯朝向下磁芯的一面两侧分别设有1个磁柱，所述PCB板包括2层金属层，其中一层金属层作为绕组布设层，另一层金属层作为导电介质层，每层金属层上均设有用于上磁芯的2个磁柱穿过的2个通孔，所述绕组布设层上的原边绕组和副边绕组分别围绕2个通孔布设，所述导电介质层的覆盖面积大于等于原边绕组和副边绕组产生的磁通的覆盖面积之和，所述导电介质层上2个通孔之间的区域内布设有至少一根隔离线且隔离线的两端分别延伸至2个通孔的边缘，所述隔离线中不具有导电介质。4.根据权利要求2所述的平板磁性装置，其特征在于：所述平板磁性装置为平板变压器，所述上磁芯为E型磁芯，所述下磁芯为I型磁芯，所述PCB板包括N层金属层，N取正整数且≥3，任意一层金属层作为导电介质层，其余层金属层分为两部分，一部分作为原边绕组布设层，另一部分作为副边绕组布设层，每层金属层上均设有与E型磁芯的3个磁柱相匹配的3个通孔，所述原边绕组布设层上的原边绕组和副边绕组布设层上的副边绕组均围绕位于中间的通孔布设，所述导电介质层的覆盖面积大于等于原边绕组和副边绕组产生的磁通的覆盖面积之和，所述导电介质层上的相邻的2个通孔之间的区域内布设有至少一根隔离线且隔离线的两端分别延伸至2个通孔的边缘，所述隔离线中不具有导电介质。5.根据权利要求2所述的平板磁性装置，其特征在于：所述平板磁性装置为平板电感，所述上磁芯为E型磁芯，所述下磁芯为I型磁芯，所述PCB板包括N层金属层，N取正整数且≥2，任意一层金属层作为导电介质层，其余层金属层作为绕组布设层，每层金属层上均设有用于E型磁芯的3个磁柱穿过的3个通孔，所述绕组布设层上的绕组围绕位于中间的通孔布设，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：倪川，陈劲泉，
申请(专利权)人：无锡瓴芯电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32