一种增加IGBT驱动电流的电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种增加IGBT驱动电流的电路，其中电阻R1的一端、快恢复二极管D1的正极和快恢复二极管D2的负极均接于高频脉冲交流输入端G1，电阻R1的另一端、三极管Q1的基极、三极管Q2的基极三者连接在一起，三极管Q1的集电极、快恢复二极管D1的负极、滤波电容C1的一端、电解电容E1的正极连接在一起，三极管Q2的集电极、快恢复二极管D2的正极、滤波电容C2的一端、电解电容E2的负极连接在一起，三极管Q1的发射极和三极管Q2的发射极连接在一起。本实用新型专利技术的有益之处在于：不但能够稳定可靠的驱动大电流、高频率IGBT，而且电路结构简洁，便于生产制造，同时也降低了生产成本。

A circuit to increase IGBT drive current

The utility model discloses a circuit for increasing the driving current of IGBT, in which one end of resistor R1, the positive electrode of fast recovery diode D1 and the negative electrode of fast recovery diode D2 are connected to high frequency pulse AC input G1, the other end of resistor R1, the base electrode of transistor Q1 and the base electrode of transistor Q2 are connected together, and the collection of transistor Q1 is provided. The electrode, the negative electrode of fast recovery diode D1, the end of filter capacitor C1 and the positive electrode of electrolytic capacitor E1 are connected. The collector of transistor Q2, the positive electrode of fast recovery diode D2, the negative electrode of filter capacitor C2 and the negative electrode of electrolytic capacitor E2 are connected. The emitter of transistor Q1 and the emitter of transistor Q2 are connected. . The utility model has the advantages that not only the high current and high frequency IGBT can be driven stably and reliably, but also the circuit structure is simple and convenient for production and manufacturing, and the production cost is reduced.

【技术实现步骤摘要】
一种增加IGBT驱动电流的电路
本技术涉及一种电路，具体涉及一种增加IGBT驱动电流的电路，属于电学

技术介绍
在大功率高频开关电源行业，IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor，绝缘栅双极型晶体管)作为关键逆变器件已被广泛使用，IGBT驱动电流的大小直接影响驱动的功率和开关的频率，因此，通过IGBT前端驱动电路的设计，提高IGBT驱动电流有待研发。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种增加IGBT驱动电流的电路。为了实现上述目标，本技术采用如下的技术方案：一种增加IGBT驱动电流的电路，其特征在于，由三极管Q1、三极管Q2、快恢复二极管D1、快恢复二极管D2、快恢复二极管D3、稳压管D4、稳压管D5、电解电容E1、电解电容E2、滤波电容C1、滤波电容C2、滤波电容C4、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5和功率管IGBT组成，其中，电解电容E1和滤波电容C1并联，电解电容E2和滤波电容C2并联，电阻R3的一端和快恢复二极管D3的正极串联后与电阻R2、电阻R5分别并联，稳压管D4的正极和稳压管D5的正极二者连接；电阻R1的一端、快恢复二极管D1的正极和快恢复二极管D2的负极均接于高频脉冲交流输入端G1，电阻R1的另一端、三极管Q1的基极、三极管Q2的基极三者连接在一起，三极管Q1的集电极、快恢复二极管D1的负极、滤波电容C1的一端、电解电容E1的正极连接在一起，三极管Q2的集电极、快恢复二极管D2的正极、滤波电容C2的一端、电解电容E2的负极连接在一起，三极管Q1的发射极和三极管Q2的发射极连接在一起；电阻R2的一端、电阻R5的一端、快恢复二极管D3的负极、三极管Q1的发射极和三极管Q2的发射极连接在一起，电阻R2的另一端、电阻R5的另一端、电阻R3另的一端、稳压管D5的负极与输出端G连接在一起；电解电容E1的负极、滤波电容C1的另一端、电解电容E2的正极、滤波电容C2的另一端、稳压管D4的负极连接在共同的高频脉冲交流输入端E。上述稳压管D4和稳压管D5串联后与滤波电容C4、电阻R4分别并联。上述滤波电容C4一端、电阻R4一端、功率管IGBT的控制极连接在G端，滤波电容C4另一端、电阻R4另一端、功率管IGBT的发射极连接在高频脉冲交流输入端E。本技术的有益之处在于：1、三极管Q1、三极管Q2分别配合快恢复二极管、滤波电容C1、电解电容E2、滤波电容C2、电解电容E1共同组成储能、驱动、滤波及电流放大电流，同时结合输出端的RC滤波、稳压管，进一步提高输出端电流的稳定性，所以能够稳定可靠的驱动大电流、高频率的IGBT；2、电路结构简洁，便于生产制造，同时也降低了生产成本。附图说明图1是本技术一种增加IGBT驱动电流的电路的结构图。具体实施方式以下结合附图和具体实施例对本技术作具体的介绍。第一部分：电路的结构参照图1，本技术的一种增加IGBT驱动电流的电路，由三极管Q1、三极管Q2、快恢复二极管D1、快恢复二极管D2、快恢复二极管D3、稳压管D4、稳压管D5、电解电容E1、电解电容E2、滤波电容C1、滤波电容C2、滤波电容C4、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5和功率管IGBT组成，其中，电解电容E1和滤波电容C1并联，电解电容E2和滤波电容C2并联，电阻R3的一端和快恢复二极管D3的正极串联后与电阻R2、电阻R5分别并联；稳压管D4的正极和稳压管D5的正极二者连接；电阻R1的一端、快恢复二极管D1的正极和快恢复二极管D2的负极均接于高频脉冲交流输入端G1，电阻R1的另一端、三极管Q1的基极、三极管Q2的基极三者连接在一起，三极管Q1的集电极、快恢复二极管D1的负极、滤波电容C1的一端、电解电容E1的正极连接在一起，三极管Q2的集电极、快恢复二极管D2的正极、滤波电容C2的一端、电解电容E2的负极连接在一起，三极管Q1的发射极和三极管Q2的发射极连接在一起；电阻R2的一端、电阻R5的一端、快恢复二极管D3的负极、三极管Q1的发射极和三极管Q2的发射极连接在一起，电阻R2的另一端、电阻R5的另一端、电阻R3另的一端、稳压管D5的负极与输出端G连接在一起；电解电容E1的负极、滤波电容C1的另一端、电解电容E2的正极、滤波电容C2的另一端、稳压管D4的负极连接在共同的高频脉冲交流输入端E。稳压管D4和稳压管D5串联后与滤波电容C4、电阻R4分别并联。滤波电容C4一端、电阻R4一端、功率管IGBT的控制极连接在G端，滤波电容C4另一端、电阻R4另一端、功率管IGBT的发射极连接在高频脉冲交流输入端E。第二部分：电路的工作原理参照图1，在点G1为高电位时，NPN三极管Q1、PNP三极管Q2的基极为高电位，这时三极管Q1导通，三极管Q2不导通，在电解电容E1的充放电作用下，加大了三极管Q1的发射极的输出电流，该输出电流使功率管IGBT控制极的电压更加快的升高，从而使功率管IGBT更加快的导通。在点G1为低电位时，NPN三极管Q1、PNP三极管Q2的基极为低电位，这时三极管Q2导通，三极管Q1不导通，在电解电容E2的充放电作用下，加大了三极管Q2的发射极的输出电流，该输出电流使功率管IGBT控制极的电压更加快的降低，从而使功率管IGBT更加快的关断。电解电容E1与滤波电容C1构成储能滤波电路，电解电容E2和滤波电容C2构成储能滤波电路。稳压管D4和稳压管D5二者反向串联后负极分别接入输出端G和E，不管来的电压是正，还是负，都限制了输出端的正负最高电压，有利于防止干扰信号损坏后面的元件。电阻R3与快恢复二极管D3连接构成的电路，在输出端G为负电压时，能够加大输出端G的驱动电流，使功率管IGBT更加快的关断。并联在输出端的电容C4和电阻R5构成RC滤波、放电电路，有利于输出稳定的驱动电流。需要说明的是，上述实施例不以任何形式限制本技术，凡采用等同替换或等效变换的方式所获得的技术方案，均落在本技术的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种增加IGBT驱动电流的电路，其特征在于，由三极管Q1、三极管Q2、快恢复二极管D1、快恢复二极管D2、快恢复二极管D3、稳压管D4、稳压管D5、电解电容E1、电解电容E2、滤波电容C1、滤波电容C2、滤波电容C4、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5和功率管IGBT组成，其中，电解电容E1和滤波电容C1并联，电解电容E2和滤波电容C2并联，电阻R3的一端和快恢复二极管D3的正极串联后与电阻R2、电阻R5分别并联；稳压管D4的正极和稳压管D5的正极二者连接；电阻R1的一端、快恢复二极管D1的正极和快恢复二极管D2的负极均接于高频脉冲交流输入端G1，电阻R1的另一端、三极管Q1的基极、三极管Q2的基极三者连接在一起，三极管Q1的集电极、快恢复二极管D1的负极、滤波电容C1的一端、电解电容E1的正极连接在一起，三极管Q2的集电极、快恢复二极管D2的正极、滤波电容C2的一端、电解电容E2的负极连接在一起，三极管Q1的发射极和三极管Q2的发射极连接在一起；电阻R2的一端、电阻R5的一端、快恢复二极管D3的负极、三极管Q1的发射极和三极管Q2的发射极连接在一起，电阻R2的另一端、电阻R5的另一端、电阻R3另的一端、稳压管D5的负极与输出端G连接在一起；电解电容E1的负极、滤波电容C1的另一端、电解电容E2的正极、滤波电容C2的另一端、稳压管D4的负极连接在共同的高频脉冲交流输入端E。...

【技术特征摘要】
1.一种增加IGBT驱动电流的电路，其特征在于，由三极管Q1、三极管Q2、快恢复二极管D1、快恢复二极管D2、快恢复二极管D3、稳压管D4、稳压管D5、电解电容E1、电解电容E2、滤波电容C1、滤波电容C2、滤波电容C4、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5和功率管IGBT组成，其中，电解电容E1和滤波电容C1并联，电解电容E2和滤波电容C2并联，电阻R3的一端和快恢复二极管D3的正极串联后与电阻R2、电阻R5分别并联；稳压管D4的正极和稳压管D5的正极二者连接；电阻R1的一端、快恢复二极管D1的正极和快恢复二极管D2的负极均接于高频脉冲交流输入端G1，电阻R1的另一端、三极管Q1的基极、三极管Q2的基极三者连接在一起，三极管Q1的集电极、快恢复二极管D1的负极、滤波电容C1的一端、电解电容E1的正极连接在一起，三极管Q2的集电极、快恢复二极管D2的正极、滤波电容C...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐良，黄荣炬，杨兆华，王飞，陈勇，
申请(专利权)人：佛山市南海毅顺电器设备有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44