The invention relates to an electronic device to be polarized, including a substrate, a circuit unit group, a first polarized electrode and a film to be polarized. The circuit unit group comprises at least one circuit unit, the substrate having a first surface, the circuit unit and the first polarized electrode being arranged on the first surface of the substrate, the film to be polarized is located in the circuit. The first polarized electrode is used to provide a polarized electric field for the film to be polarized. By setting the first polarization electrode on the plane where the circuit unit is located, the polarization of the electronic device to be polarized becomes possible, the qualified rate of the film to be polarized is effectively improved, and the batch production of the electronic device module is convenient. The invention also provides the polarization system of the electronic device to be polarized and the fabrication method of the electronic device module, and the electronic device also has the advantages of high production qualified rate and favorable for batch production.
【技术实现步骤摘要】
待极化的电子器件及其极化系统、电子器件模块的制作方法及电子设备
本专利技术涉及薄膜极化
,尤其涉及一种待极化的电子器件及其极化系统、电子器件模块的制作方法及电子设备。
技术介绍
极化是薄膜材料处理中的一个重要环节,主要目的是使薄膜材料中杂乱取向的分子偶极矩获得特定方向(如极化电场方向)的一致取向,从而使该薄膜材料具有压电性能。薄膜材料被广泛应用于电子器件中,现有的大多数电子器件中,薄膜是在经过极化后贴附于电子元件表面的,但采用该方式形成极化后的薄膜时,生产良率低,难以批量生产。
技术实现思路
针对现有技术中提及的问题,本专利技术提供一种待极化的电子器件及其极化系统、电子器件模块的制作方法及电子设备。本专利技术提供一种待极化的电子器件,包括一基底,电路单元组,第一极化电极以及待极化膜,电路单元组包括至少一电路单元,所述基底具有第一表面,电路单元及第一极化电极设置于基底的第一表面,所述待极化膜位于电路单元远离基底的一侧,且所述待极化膜在电路单元所在平面上的投影与电路单元所在区域至少部分重叠,所述第一极化电极用于为待极化膜提供极化电场。优选地,所述电路单元组包括阵列排布的多个电路单元,所述第一极化电极为导电线路,导电线路围绕每一电路单元设置。优选地,所述电路单元组包括阵列排布的多个电路单元,所述第一极化电极为导电线路,导电线路围绕整个电路单元组设置。优选地,所述第一极化电极为导电块。优选地,所述电路单元包括TFT阵列及导电引脚,该导电引脚与TFT阵列电性连接,所述第一极化电极与导电引脚电性连接或电性独立。优选地,所述待极化的电子器件进一步包括导电片 ...
【技术保护点】
1.一种待极化的电子器件,其特征在于:包括一基底,电路单元组,第一极化电极以及待极化膜,电路单元组包括至少一电路单元,所述基底具有第一表面,电路单元及第一极化电极设置于基底的第一表面,所述待极化膜位于电路单元远离基底的一侧,且所述待极化膜在电路单元所在平面上的投影与电路单元所在区域至少部分重叠,所述第一极化电极用于为待极化膜提供极化电场。
【技术特征摘要】
1.一种待极化的电子器件,其特征在于:包括一基底,电路单元组,第一极化电极以及待极化膜,电路单元组包括至少一电路单元,所述基底具有第一表面,电路单元及第一极化电极设置于基底的第一表面,所述待极化膜位于电路单元远离基底的一侧,且所述待极化膜在电路单元所在平面上的投影与电路单元所在区域至少部分重叠,所述第一极化电极用于为待极化膜提供极化电场。2.如权利要求1所述的待极化的电子器件,其特征在于,所述电路单元组包括阵列排布的多个电路单元,所述第一极化电极为导电线路,导电线路围绕每一电路单元设置。3.如权利要求1所述的待极化的电子器件,其特征在于:所述电路单元组包括阵列排布的多个电路单元,所述第一极化电极为导电线路,导电线路围绕整个电路单元组设置。4.如权利要求1所述的待极化的电子器件,其特征在于,所述第一极化电极为导电块。5.如权利要求1-4任一项所述的待极化的电子器件,其特征在于,所述电路单元包括TFT阵列及导电引脚,该导电引脚与TFT阵列电性连接,所述第一极化电极与导电引脚电性连接或电性独立。6.如权利要求1-4任一项所述的待极化的电子器件,其特征在于,所述待极化的电子器件进一步包括导电片,所述导电片设置在基底与第一表...
【专利技术属性】
技术研发人员:高奇文,吴露,王开安,
申请(专利权)人:成都安瑞芯科技有限公司,
类型:发明
国别省市:四川,51
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