一种星上设备用防浪涌及防单粒子闩锁的电路模块制造技术

本发明专利技术公开的一种星上设备用防浪涌及防单粒子闩锁的电路模块，包括电源开关K1、二极管D1、电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、三极管Q1、Q2、电容C1、C2以及功率场效应管Q3。本发明专利技术将防浪涌电路和防单粒子闩锁电路合二为一，使得其同时具备防浪涌功能和防单粒子闩锁功能，有效地降低了电源端的压降，提高设备效率，减少设备功耗，提高系统的整体稳定性。

A circuit module for surge protection and single event latch on satellite devices

The invention discloses an anti-surge and anti-single-event latch-up circuit module for satellite equipment, including power switch K1, diode D1, resistor R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, transistor Q1, Q2, capacitor C1, C2 and power field effect transistor Q3. The anti-surge circuit and anti-single-particle latch-up circuit are combined in one, so that the anti-surge function and anti-single-particle latch-up function are simultaneously provided, the voltage drop at the power supply end is effectively reduced, the efficiency of the equipment is improved, the power consumption of the equipment is reduced, and the overall stability of the system is improved.

【技术实现步骤摘要】
一种星上设备用防浪涌及防单粒子闩锁的电路模块
本专利技术涉及卫星设备中的防护电路
，尤其涉及一种星上设备用防浪涌及防单粒子闩锁的电路模块。
技术介绍
目前星上设备的电路中大量应用防浪涌设计。星上设备开机瞬间会产生很大的电流，此电流称为浪涌电流，浪涌电流一般高于正常工作电流十几倍，甚至更大，浪涌电流的出现会产生很大的磁场和电场的干扰，影响其他设备的正常工作。因此，星上设备在直流电源的输入端需加入防浪涌电路。防浪涌电路由一个大功率场效应管及阻容延迟电路组成，在设备开机瞬间，大功率场效应管可承受较大的电流和电压，是防浪涌电路中的重要器件。但大功率场效应管仅在开机瞬间起到一定作用，其他时间是一个多余的器件。单粒子闩锁效应是由于器件的输入端或输出端输入受到外来的噪声电压和电流，也可以由于空间高能粒子打到器件内部产生电离效应，而导致器件内部的寄生可控硅导通形成闩锁，所引起的从器件电源到地之间流过大电流现象，这种骤然增大的电流会使电路和器件无法正常工作，甚至电路烧毁。防单粒子闩锁电路将有效地抑制单粒子闩锁的时间，避免器件的损坏，使电路自动恢复正常工作。在星上设备上防浪涌功能和防单粒子闩锁功能本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种星上设备用防浪涌及防单粒子闩锁的电路模块，其特征在于，包括电源开关K1、二极管D1、电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、三极管Q1、Q2、电容C1、C2以及功率场效应管Q3；电源开关K1的一端与直流电源连接，其另一端与二极管D1的正极连接，二极管D1的负极串联电阻R1、R2后接地，电阻R3的一端并接在电源开关K1与二极管D1之间的公共连接端上，其另一端与功率场效应管Q3的源极连接，功率场效应管Q3的栅极串联电阻R4、R5后与三极管Q1的集电极连接，其漏极与C1电容的一端并接后作为电源输出端，三极管Q1的基极与电容C1的另一端连接，其发射极接地，三极管Q2的基极并接在电阻R1与...

【技术特征摘要】
1.一种星上设备用防浪涌及防单粒子闩锁的电路模块，其特征在于，包括电源开关K1、二极管D1、电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、三极管Q1、Q2、电容C1、C2以及功率场效应管Q3；电源开关K1的一端与直流电源连接，其另一端与二极管D1的正极连接，二极管D1的负极串联电阻R1、R2后接地，电阻R3的一端并接在电源开关K1与二极管D1之间的公共连接端上，其另一端与功率场效应管Q3的源极连接，功率场效应管Q3的栅极串联电阻R4、R5后与三极管Q1的集电极连接，其漏极与C1电容的一端并接后作为电源输出端，三极管Q1的基极与电容C1的另一端连接，其发射极接地，三极管Q2的基极并接在电阻R1与电阻R2之间的公共连接端上，其发射极并接在电阻R3与功率场效应管Q3之间的公共连接端上，其集电极串联电阻R6后并接在三极管Q1与电容C1的公共连接端上，电阻R7和电容C2的一端分别并接在电阻R3与功率场效应管Q3之间的公共连接端上，其另一端分别并接在电阻R4与电阻R5的公共连接端上。2.如权利要求1所述的星上设备用防浪涌及防单粒子闩锁的电路模块，其特征在于，还包括一用于模拟上天后器件发生单粒子闩锁的可控硅等效电路及...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈德祥，李志勇，
申请(专利权)人：北京鹏宇思睿科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11