一种压敏电阻器的介质材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种压敏电阻器的介质材料及其制备方法。所述介质材料由下述重量份的原料组成：主材料ZnO 100～120份，添加剂如下：0.5～0.8份Bi2O3、0.8～1.5份SnO2、0.8～1.5份Ni2O3、9～13份SiO2、0.2～0.6份Cr2O3、15～21份Y2O3、0.1～0.2份硼酸。该介质材料采用钇的氧化物作为原料，非线性系数均在50以上，且在体积小的基础上兼顾较低的泄露电流和良好的导电性能，添加了钕的氧化物后，性能进一步提升。本发明专利技术的制备方法工艺简单，材料易得，成本较低，易于推广。

【技术实现步骤摘要】
一种压敏电阻器的介质材料及其制备方法
本专利技术属于电阻材料领域，具体涉及一种压敏电阻器的介质材料及其制备方法。
技术介绍
“压敏电阻"是一种具有非线性伏安特性的电阻器件，主要用于在电路承受过压时进行电压钳位，吸收多余的电流以保护敏感器件。英文名称叫“VoltageDependentResistor”简写为“VDR”，或者叫做“Varistor"。压敏电阻器的电阻体材料是半导体，所以它是半导体电阻器的一个品种。现在大量使用的氧化锌(ZnO)压敏电阻器，它的主体材料有二价元素锌(Zn)和六价元素氧(O)所构成。近些年，随着信息技术的迅速发展，电子设备的小型化、多功能化、高稳定性成为发展的必然趋势，作为保护半导体元件的压敏电阻也相应地向着轻薄、低压化、高可靠性方向发展。但现有技术中的压敏电阻器不能兼顾轻薄和高性能，因此，如何寻求一种既轻薄又具有良好导电性能的压敏电阻器介质材料是急需解决的问题。CN105913987A公开了一种氧化锌压敏电阻器，其电极层包括与所述氧化锌陶瓷基片相连的过渡层以及位于所述过渡层外侧的焊接层，其焊接层由金、银等贵金属形成，成本较高。专利技术内容针对现有技术的不足本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种压敏电阻器的介质材料，其特征在于，由下述重量份的原料组成：主材料ZnO 100～120份，添加剂如下：0.5～0.8份Bi2O3、0.8～1.5份SnO2、0.8～1.5份Ni2O3、9～13份SiO2、0.2～0.6份Cr2O3、15～21份Y2O3、0.1～0.2份硼酸。

【技术特征摘要】
1.一种压敏电阻器的介质材料，其特征在于，由下述重量份的原料组成：主材料ZnO100～120份，添加剂如下：0.5～0.8份Bi2O3、0.8～1.5份SnO2、0.8～1.5份Ni2O3、9～13份SiO2、0.2～0.6份Cr2O3、15～21份Y2O3、0.1～0.2份硼酸。2.根据权利要求1所述的一种压敏电阻器的介质材料，其特征在于，所述添加剂还包括0.5～1.2份Nd2O3。3.根据权利要求1所述的一种压敏电阻器的介质材料，其特征在于，所述硼酸为浓度10～20％的硼酸乙醇溶液。4.权利要求1所述的一种压敏电阻器的介质材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1)按比例分别配置主材料和各种添加剂；步骤2)将步骤1)配置的添加剂置于反应釜中，加入去离子水，同时加入表面活性剂和稀释剂，所述表面活性剂占添加剂总质量的0.5～0.8％，所述稀释剂占添加剂总质量的0.1～0.3％，且表面活性剂与稀释剂之和占添加剂总质量的比例小于1％，...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪雪婷，
申请(专利权)人：江苏时瑞电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32