光通信设备制造技术

本实用新型专利技术公开一种光通信设备10，该光通信设备10包括：解析器11、偏置器12、载波器13、调频器14、驱动器15及发光管16；其中，所述解析器11电连接所述偏置器12，用于接收电信号并解析形成解析信号发送至所述偏置器12；所述偏置器12与所述载波器13均电连接至所述调频器14，用于对所述解析信号进行放大处理并与固定载波频率的信号进行混频形成驱动信号；所述调频器14电连接所述驱动器15，用于将所述驱动信号发送至所述驱动器15以供所述驱动器15驱动所述发光管16产生光信号。本实用新型专利技术实施例提供的光通信设备，采用高发光率的红外光源，提高了光通信的传输性能。

Optical communication equipment

The utility model discloses an optical communication device 10, which comprises an analyzer 11, a biaser 12, a carrier 13, a frequency modulator 14, a driver 15, and a light emitting tube 16, wherein the analyzer 11 electrically connects the biaser 12 for receiving an electrical signal and parsing to form an analytic signal and transmitting it to the biaser 12; The bias 12 and the carrier 13 are equally electrically connected to the frequency modulator 14 for amplifying and processing the analytic signal and mixing the signals of the fixed carrier frequency to form a driving signal; the frequency modulator 14 is electrically connected to the driver 15 for transmitting the driving signal to the driver 15 for the driver 15. The light emitting tube 16 is driven to generate an optical signal. The optical communication device provided by the embodiment of the utility model adopts an infrared light source with high luminous rate, thereby improving the transmission performance of the optical communication.

【技术实现步骤摘要】
光通信设备
本技术涉及光通信
，尤其涉及一种光通信设备。
技术介绍
光通信(OpticalCommunication)是以光波为载波的通信方式。红外线是一种电磁波，可以实现数据的无线传输。基于红外LED的光通信方式为点对点，由于其价格比高，实现简单，具有抗电磁干扰、便于高速应用、空间接入灵活、经济的特点，可用于室内外实现点对点、无线红外LAN通信及军用红外引信，在移动计算和移动通讯的设备中获得了广泛的应用。红外LED采用光调制技术，即按照发送信号来控制LED的亮度变化来实现信号发送。因此，当前红外LED的发光效率是提升红外光通信性能的一个重要指标。
技术实现思路
为了解决上述的技术问题，本技术提供了一种光通信设备。本技术一个实施例提供了一种光通信设备10，包括：解析器11、偏置器12、载波器13、调频器14、驱动器15及发光管16；其中，所述解析器11电连接所述偏置器12，用于接收电信号并解析形成解析信号发送至所述偏置器12；所述偏置器12与所述载波器13均电连接至所述调频器14，用于对所述解析信号进行放大处理并与固定载波频率的信号进行混频形成驱动信号；所述调频器14电连接所述驱动器15，用于将所述驱动信号发送至所述驱动器15以供所述驱动器15驱动所述发光管16产生光信号。在本技术的一个实施例中，所述驱动器15包括电阻R、三极管T、功率电阻W、第一电容C1、第二电容C2；其中，所述电阻R电连接所述解析器11的输出端；所述三极管T的基极电连接所述电阻R且其发射极电连接至接地端GND；所述发光管16及所述功率电阻W依次串接于所述三极管T的集电极与电源Vcc之间；所述第一电容C1与所述第二电容C2并接后串接于所述电源Vcc与所述接地端GND之间。与现有技术相比，本技术的有益效果为，采用高发光率的红外光源，提高了光通信的传输性能。附图说明为了清楚说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍。下面描述中的附图是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。图1为本技术实施例提供的一种光通信设备的电路结构示意图；图2为本技术实施例提供的一种驱动器的电路结构示意图；图3为本技术实施例提供的一种发光管的结构示意图；图4为本技术实施例提供的一种LED芯片的结构示意图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。下面结合附图对本技术做进一步详细说明。实施例一请参见图1，图1为本技术实施例提供的一种光通信设备的电路结构示意图。该光通信设备10，包括：解析器11、偏置器12、载波器13、调频器14、驱动器15及发光管16；其中，所述解析器11电连接所述偏置器12，用于接收电信号并解析形成解析信号发送至所述偏置器12；所述偏置器12与所述载波器13均电连接至所述调频器14，用于对所述解析信号进行放大处理并与固定载波频率的信号进行混频形成驱动信号；所述调频器14电连接所述驱动器15，用于将所述驱动信号发送至所述驱动器15以供所述驱动器15驱动所述发光管16产生光信号。具体地，所述解析器11接收电信号并解析形成解析信号，所述偏置模器12用于接收所述解析信号并对所述解析信号进行放大处理形成放大信号，所述调频器14电连接所述载波器13及所述偏置器12，用于将由所述载波器13产生的固定载波频率的信号与所述放大信号进行混频形成所述驱动信号。进一步地，请参见图2，图2为本技术实施例提供的一种驱动器的电路结构示意图。所述驱动器15包括电阻R、三极管T、功率电阻W、第一电容C1、第二电容C2；其中，所述电阻R电连接所述解析器11的输出端；所述三极管T的基极电连接所述电阻R且其发射极电连接至接地端GND；所述发光管16及所述功率电阻W依次串接于所述三极管T的集电极与电源Vcc之间；所述第一电容C1与所述第二电容C2并接后串接于所述电源Vcc与所述接地端GND之间。具体地，电信号由调频器14传送至电阻R处，通过三极管的基极连接发光管16的负极以驱动发光管16发光，发光管16的正极连接至电源Vcc。该电源优选为12V的直流电源。另外，发光管16可以串接多个以提供发光效率。为了储能，可以在电源Vcc端和接地端GND之间增加储能电容C1和C2，例如C1及C2的电容值为2000μf以上。本技术的驱动器，较现有技术中的光通信设备的驱动器，成本低，通过简单的电路搭建即可满足要求。同时，可以在该电路结构下增加所驱动的外红发光管，可以以串行的方式驱动，其驱动能力强，有助于提高光通信的传输距离。请参见图3，图3为本技术实施例提供的一种发光管的结构示意图。所述发光管16包括：承载架161、接脚162、设置于所述承载架161上的芯片基座、设置于所述芯片基座上的垫片、设置于所述芯片基座上的LED芯片163、用于连接所述LED芯片163和所述接脚162的连接打线164、用于将所述承载架161、所述芯片基座、所述LED芯片163、所述接脚162上端封装成型的封胶165，以及套设于所述硅胶165之上的套筒166。优选地，所述发光管16包括透镜，所述透镜固接于所述封胶165上。优选地，所述封胶165为含有颜料的环氧树脂，且采用连续成型形成，由其密封的LED芯片163，具有红外光良好通过的特性。其中，所述LED芯片163的发光波长为1550nm～1650nm。实施例二请参见图4，图4为本技术实施例提供的一种LED芯片的结构示意图。本实施例在上述实施例的基础上，重点对LED芯片的结构和工艺进行详细介绍。具体地，该发光二极管包括：Si衬底1631；Ge、Si叠层材料形成的叠层结构1632，设置于所述Si衬底1631表面的中心位置处；正电极1633，设置于所述叠层结构1632的上表面；负电极1634，设置于所述Si衬底1631的上表面并位于叠层结构1632两侧的位置处。其中，所述Si衬底的材料为单晶Si。优选地，所述叠层结构依次包括P型晶化Ge层、Ge层、N型Ge层、N型Si层，且所述P型晶化Ge层、Ge层、N型Ge层形成PiN结构。其中，所述P型晶化Ge层为经过激光再晶化工艺处理过的Ge层。进一步地，所述P型晶化Ge层包括晶化后Ge籽晶层和晶化后Ge主体层。优选地，所述激光再晶化工艺的激光参数为：激光波长为808nm，激光光斑尺寸10mm×1mm，激光功率为1.5kW/cm2，激光移动速度为25mm/s。其中，所述P型晶化Ge层掺杂浓度为5×1018cm-3。可选地，所述N型晶化Ge层掺杂浓度为1×1020cm-3。其中，还包括钝化层，所述钝化层设置于所述Si衬底及所述叠层结构的上表面，用于隔离所述正电极及所述负电极。其中，所述正电极和所述负电极为Cr或者Au材料，且其厚度为150～200nm。本技术的发光二极管具有以下有益效果：1、本实用本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光通信设备(10)，其特征在于，包括：解析器(11)、偏置器(12)、载波器(13)、调频器(14)、驱动器(15)及发光管(16)；其中，所述解析器(11)电连接所述偏置器(12)；所述偏置器(12)与所述载波器(13)均电连接至所述调频器(14)；所述调频器(14)电连接所述驱动器(15)。

【技术特征摘要】
2017.05.17 CN 20172054706611.一种光通信设备(10)，其特征在于，包括：解析器(11)、偏置器(12)、载波器(13)、调频器(14)、驱动器(15)及发光管(16)；其中，所述解析器(11)电连接所述偏置器(12)；所述偏置器(12)与所述载波器(13)均电连接至所述调频器(14)；所述调频器(14)电连接所述驱动器(15)。2.根据权利要求1所述的光通信设备...

【专利技术属性】
技术研发人员：左瑜，
申请(专利权)人：深圳市瑞景丰实业有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44