一种静态功耗管理电路制造技术

技术编号:18795051 阅读:31 留言:0更新日期:2018-08-29 11:40
本实用新型专利技术涉及一种静态功耗管理电路,电路中芯片IC的VDD端口接3.3V电压,芯片IC的VSS端口接地,芯片IC的PA1端口经电阻R1接晶体管Q1的基极,芯片IC的PA2端口接PWM波输入,晶体管Q1的发射极接地,晶体管Q1的集电极经电阻接晶体管Q2基极,同时电阻R2经电阻R3接晶体管Q2的发射极,晶体管Q2的集电极和发射极同时接12V电压,芯片IC采用HT46R002型具有8位高性能精简指令集的OTP单片机,本实用新型专利技术设计的静态功耗管理电路功耗低,控制精确。

A static power management circuit

The utility model relates to a static power management circuit in which the VDD port of the chip IC is connected with 3.3V voltage, the VSS port of the chip IC is grounded, the PA1 port of the chip IC is connected with the base of the transistor Q1 via the resistance R1, the PA2 port of the chip IC is connected with the PWM wave input, the emitter of the transistor Q1 is grounded, and the collector of the transistor Q1 is connected with the resistance transistor. Q2 base electrode, resistance R2 connects transistor Q2 emitter through resistance R3, collector and emitter of transistor Q2 are connected with 12V voltage at the same time, chip IC adopts HT46R002 OTP single chip microcomputer with 8-bit high performance compact instruction set. The static power management circuit designed by the utility model has low power consumption and accurate control.

【技术实现步骤摘要】
一种静态功耗管理电路
本技术涉及设备电路领域,尤其涉及一种静态功耗管理电路。
技术介绍
目前,电源对静态功耗的要求越来越高,比如电池周边的相关产品,都希望将静态功耗做得很低,但是只要涉及到数字电源,即使在机器待机的状态下,内部的CPU部分耗电通常都会在几毫安或者几十毫安,这使得当和电池匹配出口的时候,在运输途中就有可能将电池的电量放空。为了解决这个问题,本技术提供一种可以实现超低静态功耗的电路,该电路可以将整个电源系统的静态功耗控制在不到1毫安,并且具备遥控功能。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种静态功耗管理电路,以解决上述技术问题,为实现上述目的本技术采用以下技术方案:一种静态功耗管理电路,电路中芯片IC的VDD端口接3.3V电压,芯片IC的VSS端口接地,芯片IC的PA1端口经电阻R1接晶体管Q1的基极,芯片IC的PA2端口接PWM波输入,晶体管Q1的发射极接地,晶体管Q1的集电极经电阻接晶体管Q2基极,同时电阻R2经电阻R3接晶体管Q2的发射极,晶体管Q2的集电极和发射极同时接12V电压。在上述技术方案基础上,所述芯片IC采用HT46R002型具有8位高性能精简指令集的OTP单片机。本技术设计的静态功耗管理电路,通过采用HT46R002芯片,有效降低电路功耗,以往的降低静态功耗的方案,都是让主MCU进行待机,但是在高性能产品的场合,主MCU的静态电流都要消耗10毫安左右,采样本电路,静态电流可以降至1毫安以内。使得和电池打包的产品在运输的过程中不会将电池的电量放空,具备更长的运输周期。附图说明图1为本技术的电路图。具体实施方式下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步详细阐述。一种静态功耗管理电路,电路中芯片IC的VDD端口接3.3V电压,芯片IC的VSS端口接地,芯片IC的PA1端口经电阻R1接晶体管Q1的基极,芯片IC的PA2端口接PWM波输入,晶体管Q1的发射极接地,晶体管Q1的集电极经电阻接晶体管Q2基极,同时电阻R2经电阻R3接晶体管Q2的发射极,晶体管Q2的集电极和发射极同时接12V电压。所述芯片IC采用HT46R002型具有8位高性能精简指令集的OTP单片机。本技术设计的静态功耗管理电路,采用了型号为HT46R002的单片机,该单片机在休眠时耗电约为0.3毫安,其中PA1端口通过晶体管Q1来对上面的晶体管Q2进行控制通断,当PA1端口输出高电平,晶体管Q2就导通;反之则关断,因为网络VCC12+_S是电源源头,所以图中VCC12+就受到了控制,如此类推,系统中所有的电源源头都可以被单片机控制,整个系统耗电就基本上只受这块单片机影响了。以上所述为本技术较佳实施例,对于本领域的普通技术人员而言,根据本技术的教导,在不脱离本技术的原理与精神的情况下,对实施方式所进行的改变、修改、替换和变型仍落入本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种静态功耗管理电路,其特征在于,电路中芯片IC的VDD端口接3.3V电压,芯片IC的VSS端口接地,芯片IC的PA1端口经电阻R1接晶体管Q1的基极,芯片IC的PA2端口接PWM波输入,晶体管Q1的发射极接地,晶体管Q1的集电极经电阻接晶体管Q2基极,同时电阻R2经电阻R3接晶体管Q2的发射极,晶体管Q2的集电极和发射极同时接12V电压。

【技术特征摘要】
1.一种静态功耗管理电路,其特征在于,电路中芯片IC的VDD端口接3.3V电压,芯片IC的VSS端口接地,芯片IC的PA1端口经电阻R1接晶体管Q1的基极,芯片IC的PA2端口接PWM波输入,晶体管Q1的发射极接地,晶体管Q1的集电极经电...

【专利技术属性】
技术研发人员:蔡劲松
申请(专利权)人:深圳市振源电气有限公司
类型:新型
国别省市:广东,44

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