滤光器和传感器系统技术方案

本发明专利技术提供了一种滤光器，其具有至少与800nm至1100nm波长范围部分重叠的通带。该滤光器包括由氢化硅层和低折射率层交替堆叠而成的滤光叠层。每个氢化硅层在800nm至1100nm波长范围内的折射率均大于3，在800nm至1100nm波长范围内的消光系数均小于0.0005。

【技术实现步骤摘要】
滤光器和传感器系统本申请是申请日为2013年7月16日、申请号为2013800366562，以及专利技术名称为“滤光器和传感器系统”的中国专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及滤光器和包括滤光器的传感器系统。更具体而言，本专利技术涉及包括氢化硅层的滤光器和包括该滤光器的传感器系统。
技术介绍
在典型的手势识别系统中，光源向使用者发射近红外光。三维(3D)图像传感器检测所发射的被使用者反射的光，以提供使用者的三维图像。随后处理系统对三维图像进行分析，以识别使用者作出的手势。采用滤光器，更具体而言即带通滤波器，来将发射的光传送至三维图像传感器，同时基本阻挡住环境光。换言之，滤光器用于屏蔽环境光。由此，需要有在近红外波长范围、即800nm至1100nm范围内的窄通带的滤光器。此外，滤光器必须具备在通带内的高透光度水平和在通带外的高阻光度水平。常规情况下，滤光器包括涂覆在基底的相对表面上的滤光叠层和阻光叠层。每个叠层均由交替堆叠的高折射率层和低折射率层形成。高折射率层和低折射率层通常采用不同的氧化物形成，例如TiO2、Nb2O5、Ta2O5、SiO2及它们的混合物。例如，一些常规滤光器本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种方法，包括：使用直流溅射技术形成滤光器的多个氢化硅层，所述多个氢化硅层在800nm至1100nm的滤光器的工作波长范围内具有大于3的第一折射率，和所述多个氢化硅层在与小于2mTorr的室压力相关联的沉积室中形成；和形成所述滤光器的多个较低折射率层，所述多个较低折射率层中的每个层在800nm至1100nm的所述滤光器的工作波长范围内具有小于3的第二折射率，和所述多个较低折射率层与所述多个氢化硅层交替堆叠。

【技术特征摘要】
2012.07.16 US 61/672,1641.一种方法，包括：使用直流溅射技术形成滤光器的多个氢化硅层，所述多个氢化硅层在800nm至1100nm的滤光器的工作波长范围内具有大于3的第一折射率，和所述多个氢化硅层在与小于2mTorr的室压力相关联的沉积室中形成；和形成所述滤光器的多个较低折射率层，所述多个较低折射率层中的每个层在800nm至1100nm的所述滤光器的工作波长范围内具有小于3的第二折射率，和所述多个较低折射率层与所述多个氢化硅层交替堆叠。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述直流溅射技术是磁控直流溅射技术。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述直流溅射技术是脉冲直流溅射技术。4.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述多个氢化硅层包括：溅射硅以将所述多个氢化硅层沉积到衬底上。5.根据权利要求4所述的方法，其中溅射硅包括：使用具有硅靶的圆形阴极来溅射硅。6.根据权利要求5所述的方法，其中所述圆形阴极的第一直径在所述衬底的第二直径的一倍(1x)至所述衬底的第二直径的两倍(2x)之间。7.根据权利要求5所述的方法，其中所述衬底的第一平面与所述硅靶的第二平面之间的投射距离在所述衬底的直径的一半和所述衬底的直径的两倍之间。8.根据权利要求4所述的方法，其中所述衬底在所述工作波长范围内是透明的。9.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个氢化硅层在800nm处与约0.00055的消光系数相关联。10.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个氢化硅层在800nm处与约0.0003的消光系数相关联。11.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个氢化硅层和所述多个低折射率层是多层结构；和所述方法还包括：在50摄氏度至350摄氏度之间的温度下对所述多层结...

【专利技术属性】
技术研发人员：凯伦·丹尼丝·亨德里克斯，小查理德·A·布兰得利，马吕斯·格里戈尼斯，
申请(专利权)人：VIAVI科技有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US