多晶硅检测采样设备制造技术

技术编号:18781246 阅读:85 留言:0更新日期:2018-08-29 06:09
本发明专利技术涉及一种多晶硅检测采样设备,包括:支架;竖直固定于所述支架上的容纳管,用以容纳颗粒硅料,所述容纳管具有上端口;位于所述容纳管内的籽晶夹头以及一端连接于所述籽晶夹头、并由所述上端口延伸至所述容纳管外的上轴,所述籽晶夹头用以夹持单晶硅籽晶,使单晶硅籽晶位于所述颗粒硅料的上方;设置于所述容纳管的外侧壁、且对应所述单晶硅籽晶所在位置的加热机构,用于对所述单晶硅籽晶进行加热,使单晶硅籽晶的下端面熔融成液滴状,以将与单晶硅籽晶的下端面接触的颗粒硅料吸附至单晶硅籽晶的表面。上述多晶硅检测采样设备能够使对颗粒硅料进行提样,以备后续对该颗粒硅料进行纯度检测。

【技术实现步骤摘要】
多晶硅检测采样设备
本专利技术涉及多晶硅制造设备,特别是涉及多晶硅检测采样设备。
技术介绍
随着多晶硅生产技术的发展,目前的多晶硅产品主要是颗粒和粉状形式,颗粒硅直径大部分在0.1-3mm左右,硅纯度在99.999%以上。而颗粒状多晶硅的成份检测是产品生产过程中质量掌握的重要手段。传统的多晶硅成份检测方法主要是针对西门子法还原炉生产的较密实的多晶硅棒料,产品需要检测取样时需要取一段长度,直径在50-200mm之间的多晶硅棒料,采用金刚石空心筒状钻头在颗粒硅料棒中平行与硅芯的方向的取一根直径在10-30mm之间的硅料棒作为硅成份分析的制样,钻取出的样品经过研磨、抛光后按照多晶硅中基硼基磷含量的检测方法进行检测。而颗粒状多晶硅由于产品是颗粒状无法采取上述方法进行样品制备,所以不能直接采用上述传统的多晶硅检测设备及方法进行分析检测,需要采用一种新型的颗粒状多晶硅采样设备对其进行采样。
技术实现思路
基于此,有必要针对现有的设备无法有效地对颗粒状多晶硅有效地采样的问题,提供一种可以有效对颗粒状多晶硅有效地采样检测的多晶硅检测采样设备。一种多晶硅检测采样设备,包括:支架;竖直固定于所述支架上的容纳本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多晶硅检测采样设备,其特征在于,包括:支架;竖直固定于所述支架上的容纳管,用以容纳颗粒硅料,所述容纳管具有上端口;位于所述容纳管内的籽晶夹头以及一端连接于所述籽晶夹头、并由所述上端口延伸至所述容纳管外的上轴,所述籽晶夹头用以夹持单晶硅籽晶,使单晶硅籽晶位于所述颗粒硅料的上方;设置于所述容纳管的外侧壁的加热机构,用于对所述单晶硅籽晶进行加热,使单晶硅籽晶的下端面熔融成液滴状,以将与单晶硅籽晶的下端面接触的颗粒硅料吸附至单晶硅籽晶的表面。

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅检测采样设备,其特征在于,包括:支架;竖直固定于所述支架上的容纳管,用以容纳颗粒硅料,所述容纳管具有上端口;位于所述容纳管内的籽晶夹头以及一端连接于所述籽晶夹头、并由所述上端口延伸至所述容纳管外的上轴,所述籽晶夹头用以夹持单晶硅籽晶,使单晶硅籽晶位于所述颗粒硅料的上方;设置于所述容纳管的外侧壁的加热机构,用于对所述单晶硅籽晶进行加热,使单晶硅籽晶的下端面熔融成液滴状,以将与单晶硅籽晶的下端面接触的颗粒硅料吸附至单晶硅籽晶的表面。2.根据权利要求1所述的多晶硅检测采样设备,其特征在于,所述多晶硅检测采样设备还包括:与所述加热机构连接的升降机构,用以调节所述加热机构沿所述容纳管的外侧壁移动。3.根据权利要求1所述的多晶硅检测采样设备,其特征在于,所述加热机构包括:套设于所述容纳管外侧壁的环形预热件及高频线圈,所述环形预热件用以对所述单晶硅籽晶加热至导电温度,所述高频线圈用以对该单晶硅籽晶进一步加热至单晶硅籽晶的下端面熔融成液滴状。4.根据权利要求3所述的多晶硅检测采样设备,其特征在于,所述多晶硅采样设备还包括:...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈湘伟尹祚鹏刘晓霞王桃霞
申请(专利权)人:江苏协鑫软控设备科技发展有限公司
类型:发明
国别省市:江苏,32

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