电极箔、卷绕型的电容器、电极箔的制造方法及卷绕型电容器的制造方法技术

技术编号:18737645 阅读:36 留言:0更新日期:2018-08-22 05:56
本发明专利技术提供一种电极箔、卷绕有所述电极箔的卷绕型电容器、电极箔的制造方法及卷绕型电容器的制造方法,所述电极箔是一面促进电介质薄膜的表面积增大,一面在卷绕时不易产生还破坏芯部的裂纹。电极箔1是由带状的箔所构成,包括扩面部3、芯部2及多个分割部4。扩面部3形成于箔的表面,芯部2是箔之中除了扩面部3以外的剩余部分。分割部4沿带的宽度方向延伸至扩面部3,对扩面部3进行分割。多个分割部4在电极箔1的卷绕时分担弯曲应力,从而阻止应力集中。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电极箔、卷绕型的电容器、电极箔的制造方法及卷绕型电容器的制造方法
本专利技术涉及一种用于卷绕型电容器中的电极箔。
技术介绍
电解电容器包括:非固体电解电容器,为了使阳极的电介质薄膜(dielectricfilm)与对向电极密接,利用电解质填埋空隙而成,电解质为液体;固体电解电容器,电解质为固体;混合型电解电容器,包含液体及固体,作为电解质;以及双极性电解电容器,在电极两者上形成有电介质薄膜。所述电解电容器是使电容器元件浸渍于电解质中而成,电容器元件是使阳极箔与阴极箔相对向,并使隔板(separator)介于阳极箔与阴极箔之间而构成,所述阳极箔是在铝等阀金属箔上形成有电介质薄膜,所述阴极箔是由同种或其它金属的箔构成。电解电容器的静电电容与电介质薄膜的表面积成比例。通常,在电解电容器的电极箔上实施蚀刻等扩面化处理,在实施有所述扩面化处理的扩面部上实施化学转化处理,而具有大表面积的电介质薄膜。近年来,为了进一步增大电解电容器的静电电容,使扩面化自电极箔的表面进一步推进至深部。换言之,在电解电容器中,显示出电极箔的芯部更进一步变薄的倾向。具有电介质薄膜的扩面部的柔软性及延伸性低于芯部。因此,已实现电介质薄膜的表面积增大的电极箔由于富有柔软性及延伸性的剩余芯部的减薄,而使得柔软性及延伸性下降。此处,作为使用此种电极箔的电解电容器,为了同时实现小型化及大电容化,存在采用卷绕型电容器的形态的情况。卷绕型电容器的电容器元件是使阳极箔与阴极箔夹着隔板而重合,并卷绕成筒型而成。近年来的电介质薄膜的表面积增大措施在所述卷绕型电容器的卷绕性上产生有较大问题。即,如图10所示,通过在经扩面化处理的扩面部103上进行化学转化处理而形成电介质薄膜105,而使得电极箔101的柔软性及延伸性下降。于是,柔软性及延伸性下降的电极箔101无法变形成弓形,从而难以使电极箔101一面顺滑弯曲,一面卷绕,因而通过卷绕而到处产生有弯折。特别是,最糟糕的情况下,卷绕时的弯曲应力的集中会产生还破坏芯部102的裂纹104。还破坏所述芯部102的裂纹104会诱发电极箔101的弯折。若电极箔101到处弯折而卷绕,则电容器元件的直径会增大。因此,当欲维持卷绕型电容器的静电电容时,卷绕型电容器会大型化。或者,当欲维持卷绕型电容器的直径时,卷绕型电容器的静电电容会下降。否则,作为不良品来处理,合格率将变差。专利文献1:日本专利特开2007-149759号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题本专利技术为了解决如上所述的现有技术的问题,提供一种电极箔、卷绕有所述电极箔的卷绕型电容器、电极箔的制造方法及卷绕型电容器的制造方法,所述电极箔是一面促进电介质薄膜的表面积增大,一面在卷绕时不易产生还破坏芯部的裂纹。解决问题的技术手段为了达成所述目的,本专利技术的电极箔的特征在于:由带状的箔构成,包括:扩面部,形成于所述箔的表面;芯部,是所述箔之中除了所述扩面部以外的剩余部分;以及多个分割部,沿带的宽度方向延伸至所述扩面部,对所述扩面部进行分割。也可设为所述分割部是以对所述箔进行完全横切或局部地横切的方式而延伸。也可设为所述分割部在带长度方向上的10mm的范围内设置有四处以上。也可设为所述分割部是空开平均间距为2.1mm以下的间隔而设置。也可设为所述分割部是空开平均间距为1.0mm以下的间隔而设置。也可设为所述分割部在将所述箔设为平坦的状态下槽宽为包含0在内的50μm以下。也可设为所述分割部是所述扩面部分裂而成,在将所述箔设为平坦的状态下槽宽实质上为0。也可设为在所述扩面部及所述分割部的表面上具有电介质薄膜。卷绕地具备所述电极箔的卷绕型电容器也是本专利技术的一个实施方式。也可设为所述卷绕型电容器包括将所述电极箔卷绕而成的电容器元件,所述电容器元件在卷绕中心具有卷芯部,所述电极箔是卷绕于所述卷芯部,所述分割部至少形成于包含朝向所述卷芯部的卷绕起始在内的规定半径内的卷绕中心侧。又,为了达成所述目的,本专利技术的电极箔的制造方法的特征在于包括如下步骤:在带状的箔的表面上形成扩面部;以及使对所述扩面部进行分割的多个分割部在所述箔的带的宽度方向上延伸。也可设为还包括如下步骤:在形成所述分割部之后,对所述箔进行化学转化处理。也可设为还包括如下步骤:在形成所述扩面部之后,形成所述分割部之前,对所述箔进行化学转化处理。也可设为还包括如下步骤:在形成所述扩面部之后,形成所述分割部之前,对所述箔进行化学转化处理;以及在形成所述分割部之后,对所述箔再次进行化学转化处理。又,为了达成所述目的,本专利技术的卷绕型电容器的制造方法的特征在于包括:元件形成步骤,通过对所述电极箔进行卷绕而形成电容器元件;电解质形成步骤,在所述电容器元件中形成电解质;以及老化步骤,使所述电容器元件老化(aging),在通过所述电解质形成步骤而形成所述电解质之后进行所述老化步骤,或者在所述老化步骤之后通过所述电解质形成步骤而在所述经老化的电容器元件中形成所述电解质。专利技术的效果根据本专利技术,通过存在多个分割部而使卷绕时的弯曲应力分散,故而在卷绕时不易产生还会破坏芯部的裂纹,从而能够实现顺滑弯曲的良好卷绕。附图说明[图1]表示本实施方式的电极箔的构造,(a)是沿长度方向的断面图,(b)是顶视图。[图2]是表示本实施方式的卷绕型电容器所含的电容器元件的立体图。[图3]是包含本实施方式的分割部的电极箔的沿长度方向的剖面图。[图4]是实施例1的包含本实施方式的分割部的电极箔的沿长度方向的剖面照片。[图5]是表示实施例1的包含本实施方式的分割部的电极箔的表面的照片,照片长边方向是电极箔的宽度方向,照片短边方向是电极箔的长度方向。[图6]是比较例1的电极箔的沿长度方向的剖面照片。[图7]是表示实施例1至5及比较例1的埃里克森试验(Erichsentest)的结果的曲线图。[图8]是卷绕有实施例1及比较例1的电容器元件的照片。[图9]是针对每个经过时间表示实施例1及比较例1的卷绕型电容器的老化处理中所流过的电流的曲线图。[图10]是现有的电极箔的沿长度方向的剖面图。具体实施方式以下,对本专利技术的电极箔及卷绕型电容器的实施方式进行详细说明。再者,本专利技术并不限于以下所述的实施方式。(电极箔)图1所示的电极箔1用于卷绕型电容器的阳极箔、形成有电介质薄膜5的阴极箔或两者。作为卷绕型电容器的代表例,是电解电容器,作为电解电容器,可举出电解质为液体并在阳极箔上形成有电介质薄膜的非固体电解电容器、电解质为固体并在阳极箔上形成有电介质薄膜的固体电解电容器、包含液体及固体作为电解质的混合型电解电容器、及在阳极箔与阴极箔两者上形成有电介质薄膜的双极性电解电容器。电极箔1将铝、钽、钛、铌及氧化铌等阀金属作为材料。就纯度而言,关于阳极箔,理想的是99.9%左右以上,关于阴极箔,理想的是99%左右以上,但也可包含硅、铁、铜、镁、锌等杂质。如图1所示,所述电极箔1为长条状,剩下厚度方向中心的芯部2而在两面上形成扩面部3,在扩面部3中的一者或两者上形成多个分割部4,在扩面部3及分割部4的表面上形成电介质薄膜5而成。扩面部3具有多孔构造。多孔构造是由通道状的凹坑(pit)、海绵状的凹坑、或密集的粉末间的空隙而形成。所述扩面部3典型而言,是通过在盐酸等存在卤素离子(halideion)的酸性水本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种电极箔,其特征在于:由带状的箔构成,包括:扩面部,形成于所述箔的表面上;芯部,是所述箔之中,除了所述扩面部以外的剩余部分;以及多个分割部,沿带的宽度方向延伸至所述扩面部,对所述扩面部进行分割。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.31 JP 2016-0723051.一种电极箔,其特征在于:由带状的箔构成,包括:扩面部,形成于所述箔的表面上;芯部,是所述箔之中,除了所述扩面部以外的剩余部分;以及多个分割部,沿带的宽度方向延伸至所述扩面部,对所述扩面部进行分割。2.根据权利要求1所述的电极箔,其特征在于:所述分割部是以对所述箔进行完全横切或局部横切的方式延伸。3.根据权利要求1或2所述的电极箔,其特征在于:所述分割部在带长度方向上的10mm的范围内设置有四处以上。4.根据权利要求1或2所述的电极箔,其特征在于:所述分割部是空开平均间距为2.1mm以下的间隔而设置。5.根据权利要求1或2所述的电极箔,其特征在于:所述分割部是空开平均间距为1.0mm以下的间隔而设置。6.根据权利要求1至5中任一项所述的电极箔,其特征在于:所述分割部是在将所述箔设为平坦的状态下槽宽为包含0在内的50μm以下。7.根据权利要求1至5中任一项所述的电极箔,其特征在于:所述分割部是所述扩面部分裂而成,在将所述箔设为平坦的状态下槽宽实质上为0。8.根据权利要求1至7中任一项所述的电极箔,其特征在于:在所述扩面部及所述分割部的表面上包含电介质薄膜。9.一种卷绕型电容器,其特征在于:卷绕地具备根据权利要求1至8中任一项所述的电极箔。10.根据权利要求9所述的卷绕型电容器...

【专利技术属性】
技术研发人员:成田良幸长原和宏田中淳视小野昭二
申请(专利权)人:日本贵弥功株式会社
类型:发明
国别省市:日本,JP

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