压力传感器制造技术

为了能够更容易地实施发生了堆积所引起的压力传感器的传感器输出的校准，共振点测定部(122)根据使电源频率变化实施使用压力传感器的一定压力的测定而获得的结果，求出隔膜(112)的共振点；特性算出部(123)根据所测定的共振点算出测定共振点时的隔膜(112)的弹性模量；校正部(124)根据特性算出部(123)求出的弹性模量算出校正了传感器芯片(101)的传感器灵敏度后的校正传感器灵敏度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】压力传感器
本专利技术涉及一种使用具有隔膜等可动部的静电电容式压力传感器来测定压力的压力传感器。
技术介绍
在半导体装置的制造中，使用利用气相沉积的各种成膜装置。在这种成膜装置中，为了形成nm单位厚度的薄膜，而准确地控制成膜室内的压力和原料气体的分压等。为了这样的准确的控制，准确地检测压力很重要。为了这样的压力检测，而使用静电电容式的压力传感器(参照专利文献1)。如图3所示，该压力传感器具有由绝缘体构成的基台301。另外，该压力传感器具备承受来自测定对象的压力的隔膜302。隔膜302由绝缘体构成，由支承部301a支承在基台301上。另外，隔膜302通过可动区域302a与基台301分开而配置。另外，隔膜302在可动区域302a能够向基台301的方向位移。另外，该压力传感器具备在可动区域302a中的隔膜302与基台301之间形成的气密室303。另外，该压力传感器具有在气密室303内部被形成在隔膜302的可动区域302a的可动电极304。另外，该压力传感器具有在气密室303内部面对可动电极304地被形成在基台301上的固定电极305。另外，该压力传感器具有在气密室303内部并在隔膜302的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种压力传感器，其根据受压部的位移所引起的容量变化而测定所述压力，该受压部承受来自测定对象的压力，其特征在于，具有：压力值输出部，其使用设定的传感器灵敏度将所述容量变化转换成压力值并输出；共振点测定部，其根据在使用所述压力传感器的一定压力的测定中使电源频率变化而获得的结果，求出所述受压部的共振点；特性算出部，其根据所述共振点测定部求出的共振点，求出所述受压部的厚度或弹性模量作为所述受压部的物理特性；以及校正部，其根据所述特性算出部求出的所述物理特性求出校正了所述压力传感器的传感器灵敏度后的校正传感器灵敏度，并用所求出的校正传感器灵敏度更新设定在所述压力值输出部的传感器灵敏度。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.12.21 JP 2015-2485821.一种压力传感器，其根据受压部的位移所引起的容量变化而测定所述压力，该受压部承受来自测定对象的压力，其特征在于，具有：压力值输出部，其使用设定的传感器灵敏度将所述容量变化转换成压力值并输出；共振点测定部，其根据在使用所述压力传感器的一定压力的测定中使电源频率变化而获得的结果，求出所述受压部的共振点；特性算出部，其根据所述共振点测定部求出的共振点，求出所述受压部的厚度或弹性模量作为所述受压部的物理特性；以及校正部，其根据所述特性算出部求出的所述物理特性求出校正了所述压力传感器的传感器灵敏度后的校正传感器灵敏度，并用所求出的校正传感器灵敏度更新设定在所述压力...

【专利技术属性】
技术研发人员：枥木伟伸，石原卓也，
申请(专利权)人：阿自倍尔株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP