聚合物层和包含其的有机电子器件制造技术

提供了适用于电子器件的有机层的聚合物层，由此使所述电子器件显示降低的驱动电压和/或提高的发光效率。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】聚合物层和包含其的有机电子器件
本专利技术涉及聚合物层和包含聚合物层的有机电子器件。前言与常规的无机电子器件相比，有机电子器件具有如灵活性、低功耗和相对低成本的优点。有机电子器件通常包括如有机发光二极管(OLED)的有机发光器件。OLED具有多层结构并且通常包括阳极和金属阴极。夹在阳极和金属阴极之间的是有机层，如空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射材料层(EML)、电子传输层(ETL)或电子注入层(EIL)。用于这些有机层的材料的重要特性包括长寿命、降低的驱动电压和/或提高的发光效率以最大限度地降低OLED显示器的功耗，特别是对于电池用作电源的移动应用。在HTL层的情况下，层沉积方法对于其最终用途的应用也是到关重要的。在小型显示器应用中，用于沉积HTL层的方法通常涉及用精细金属掩模蒸发较小有机化合物以指向沉积。在较大显示器的情况下，从材料使用和高通量观点来看，这种方法是不实际的。看起来很有前景的一种方法是溶液法，其涉及沉积附着有交联或聚合部分的小分子HTL材料。基于溶液法的方法包括在所属领域中众所周知的旋涂、喷墨印刷和网版印刷。然而，这些方法有它们自己的缺点。确切地说本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种聚合物层，所述聚合物层由包含以下各物的组合物形成：(a)以所述组合物的总重量计，1重量％到20重量％的p型掺杂剂，其中所述p型掺杂剂选自三苯甲基盐、铵盐、碘盐、卓鎓盐、咪唑盐、膦盐、氧盐或其混合物；和(b)一个或多个单体，包含以所述组合物中所述单体的总摩尔数计54摩尔％到100摩尔％单体B；其中单体B具有由结构B表示的结构：

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种聚合物层，所述聚合物层由包含以下各物的组合物形成：(a)以所述组合物的总重量计，1重量％到20重量％的p型掺杂剂，其中所述p型掺杂剂选自三苯甲基盐、铵盐、碘盐、卓鎓盐、咪唑盐、膦盐、氧盐或其混合物；和(b)一个或多个单体，包含以所述组合物中所述单体的总摩尔数计54摩尔％到100摩尔％单体B；其中单体B具有由结构B表示的结构：Ar1、Ar2和Ar3各自独立地选自被取代的C6-C60亚芳基、C6-C60亚芳基、被取代的C4-C60亚杂芳基或C4-C60亚杂芳基；Ar1、Ar2和Ar3能够各自独立地与其所键结的相邻苯基形成环结构；(R1)a、(R2)b和(R3)c各自独立地选自氢、C1-C60烃基、被取代的C1-C60烃基、卤素、氰基、硝基、C1-C60烷氧基或羟基；条件是(R1)a、(R2)b和(R3)c中的两个或更多个独立地具有以下结构D：其中L选自共价键、杂原子、芳族部分、杂芳族部分、C1-C100烃基、被取代的C1-C100烃基、C1-C100杂烃基或被取代的C1-C100杂烃基；并且其中R20到R22各自独立地选自氢、氘、C1-C50烃基、被取代的C1-C50烃基、C1-C50杂烃基、被取代的C1-C50杂烃基、卤素、氰基、C6-C50芳基、被取代的C6-C50芳基、C4-C50杂芳基或被取代的C4-C50杂芳基。2.根据权利要求1所述的聚合物层，其中单体B具有由结构B-I表示的结构：其中Ar1和Ar4各自独立地选自被取代的C6-C60亚芳基、C6-C60亚芳基、被取代的C4-C60亚杂芳基或C4-C60亚杂芳基；R5到R16各自独立地选自氢、C1-C60烃基、被取代的C1-C60烃基、卤素、氰基、硝基、C1-C60烷氧基或羟基；其中R10到R14中的至少一个是(R2)b；其中(R1)a、(R2)b和(R4)d各自独立地选自氢、C1-C60烃基、被取代的C1-C60烃基、卤素、氰基、硝基、C1-C60烷氧基或羟基；条件是(R1)a、(R2)b、(R4)d和R5到R16中的两个或更多个具有由结构D表示的结构。3.根据权利要求2所述的聚合物层，其中结构B-I中的Ar1和Ar4各自独立地选自以下结构：4.根据权利要求1所述的聚合物层，其中结构B中的Ar1、Ar2和Ar3各自独立地选自以下结构：5.权利要求1所述的聚合物层，其中单体B具有以下结构B-II：其中R5到R22各自独立地选自氢、C1-C60烃基、被取代的C1-C60烃基、卤素、氰基、硝基、C1-C60烷氧基或羟基；其中R17到R22中的一个是(R1)a；其中R10到R14中的一个是(R2)b；其中(R1)a、(R2)b和(R4)d各自独立地选自氢、C1-C60烃基、被取代的C1-C60烃基、卤素、氰基、硝基、C1-C60烷氧基或羟基；条件是(R1)a、(R2)b、(R4)d和R5到R22中的两个或更多个具有由结构D表示的结构；其中Ar4选自被取代的C6-C60亚芳基、C6-C60亚芳基、被取代的C4-C60亚杂芳基或C4-C60亚杂芳基；并且其中一个或多个氢原子能够任选地被氘取代。6.根据权利要求1所述的聚合物层，其中单体B具有以下结构B-III：其中R5到...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱敏荣，冯继昌，严竞竞，唐铮铭，冯少光，任华，罗弘烨，都成真，刘育臣，D·D·德沃尔，P·特雷福纳斯三世，L·斯宾塞，
申请(专利权)人：陶氏环球技术有限责任公司，罗门哈斯电子材料有限责任公司，罗门哈斯电子材料韩国有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US