【技术实现步骤摘要】
一种宽范围电压输出的三电平LLC谐振变换器
本专利技术涉及一种宽范围电压输出的三电平LLC谐振变换器,属于电源
技术介绍
现有的LLC谐振变换器的缺点为电压输出范围较小,不适用于输出电压范围较宽的场合。本专利技术提出的三电平LLC谐振变换器,可以同时满足高压和低压输出,并且各开关器件都能实现零电压开通,不增加系统的损耗,满足电压范围输出较宽的场合。
技术实现思路
为解决现有技术的不足,本专利技术的目的在于提供一种宽范围电压输出的三电平LLC谐振变换器,可以同时满足高压和低压输出,并且各开关器件都能实现零电压开通,不增加系统的损耗,满足电压范围输出较宽的场合。为了实现上述目标,本专利技术采用如下的技术方案:一种宽范围电压输出的三电平LLC谐振变换器,其特征是,包括依次电连接的直流电容、第一桥臂、第二桥臂、谐振电路、整流桥和负载。前述的一种宽范围电压输出的三电平LLC谐振变换器,其特征是,所述直流电容包括第一直流电容C1和第二直流电容C2,第一直流电容C1负极和第二直流电容的正极相连;所述第一桥臂包括第一MOSFET器件Q11、第二MOSFET器件Q12、第三M ...
【技术保护点】
1.一种宽范围电压输出的三电平LLC谐振变换器,其特征是,包括依次电连接的直流电容、第一桥臂、第二桥臂、谐振电路、整流桥和负载。
【技术特征摘要】
1.一种宽范围电压输出的三电平LLC谐振变换器,其特征是,包括依次电连接的直流电容、第一桥臂、第二桥臂、谐振电路、整流桥和负载。2.根据权利要求1所述的一种宽范围电压输出的三电平LLC谐振变换器,其特征是,所述直流电容包括第一直流电容C1和第二直流电容C2,第一直流电容C1负极和第二直流电容的正极相连;所述第一桥臂包括第一MOSFET器件Q11、第二MOSFET器件Q12、第三MOSFET器件Q13、第四MOSFET器件Q14、第三电容C11、第四电容C14、第一二极管D1和第二二极管D2;第一MOSFET器件Q11的源极和第二MOSFET器件Q12的漏极相连,第二MOSFET器件Q12的源极和第三MOSFET器件Q13的漏极相连,第三MOSFET器件Q13的源极和第四MOSFET器件Q14的漏极相连;第三电容C11和第一MOSFET器件Q11并联,第四电容C14和第四MOSFET器件Q14并联;第一二极管D1的阳极和第二二极管D2的阴极相连,第一二极管D1的阴极和第一MOSFET器件Q11的源极相连,第二二极管D2的阳极和第四MOSFET器件Q14的漏极相连;所述第二桥臂包括第五MOSFET器件Q21、第六MOSFET器件Q22、第七MOSFET器件Q23、第八MOSFET器件Q24、第五电容C21、第六电容C24、第三二极管D3和第四二极管D4;第五MOSFET器件Q21的源极和第六MOSFET器件Q22的漏极相连,第六MOSFET器件Q22的源极和第七MOSFET器件Q23的漏极相连,第七MOSFET器件Q23的源极和第八MOSFET器件Q24的漏极相连;第五电容C21和第五MOSFET器件Q21并联,第六电容C24和第八MOSFET器件Q24并联;第三二极管D3的阳极和第四二极管D4的阴极相连,第三二极管D3的阴极和第五MOSFET器件Q21的源极相连,第四二极管D4的阳极和第八MOSFET器件Q24的漏极相连;所述直流电容的两端、第一桥臂的两端和第二桥臂的两端分别相连,第一桥臂的第一二极管D1的阳极和直流电容1的第一电容C1的负极相连,第一桥臂的第一二极管D1的阳极和第二桥臂的第三二极管D3的阳极相连。3.根据权利要求2所述的一种宽范围电压输出的三电平LLC谐振变换器,其特征是,所述第三电容C11和第四电容C14的电容值分别大于第一MOSFET器件Q11和第四MOSFET器件Q13的结电容。4.根据权利要求2所述的一种宽范围电压输出的三电平LLC谐振变换器,其特征是,所述第五电容C21和第六电容C24的电容值分别大于第五MOSFET器件Q21和第八MOSFET器件Q24的结电容。5.根据权利要求2所述的一种宽范围电压输出的三电平LLC谐振变换器,其特征是,所述第一桥臂的第二MOSFET器件Q12的源极作为输出端A,第二桥臂的第六MOSFET器件Q22的源极作为输出端B,AB输出端输出电压为U0。6.根据权利要求5所述的一种宽范围电压输出的三电平LLC谐振变换器,其特征是,所述谐振电路包括谐振电容Cr、谐振电感Lr、变压器T,输出端A接谐振电感Lr的一端,谐振电感Lr的另一端接谐振电容Cr,谐振电容Cr的另一端接变压器T的原边,输出端B接变压器T原边的另一端;所述变压器T的副边、整流桥和负载依次电连接。7.根据权利要求6所述的一种宽范围电压输出的三电平LLC谐振变换器,其特征是,当需要AB输出端输出电压U0=±U/2时,具体步骤如下:1)、开通第一桥臂的MOSFET器件Q11和Q12,关断第一桥臂的MOSFET器件Q13和Q14,开通第二桥臂的MOSFET器件Q22和Q23,关断第二桥臂MOSFET器件Q2...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨志,黄秋燕,杨立军,毛宇阳,宋学威,吴涛,
申请(专利权)人:江苏万帮德和新能源科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。