一种功率半导体模块功率端子制造技术

本发明专利技术公开了一种功率半导体模块功率端子。本发明专利技术的功率半导体模块功率端子，包括第一功率端子和第二功率端子，第一功率端子包括依次连接的第一接触部分、第一中间部分和第一引脚，第二功率端子包括依次连接的第二接触部分、第二中间部分和第二引脚；其中，第一接触部分设有第一延伸结构，第一延伸结构朝向第二接触部分设置，第二接触部分设有第二延伸结构，第二延伸结构朝向第一接触部分设置，第一延伸结构与第二延伸结构的部分或全部交叠设置。本发明专利技术的功率半导体模块功率端子，能够增加第一功率端子和第二功率端子的叠层区域面积，进一步减小功率半导体模块的杂散电感，以提高功率半导体模块的效率和运行可靠性。

A power semiconductor module power terminal

The invention discloses a power semiconductor module power terminal. The power semiconductor module power terminal of the present invention comprises a first power terminal and a second power terminal. The first power terminal comprises a first contact part, a first intermediate part and a first pin connected sequentially. The second power terminal comprises a second contact part, a second intermediate part and a second pin connected sequentially. The first contact part is provided with a first extension structure, the first extension structure is arranged toward the second contact part, the second contact part is provided with a second extension structure, the second extension structure is arranged toward the first contact part, and the first extension structure is partly or completely overlapped with the second extension structure. The power semiconductor module power terminal of the invention can increase the laminated area of the first power terminal and the second power terminal, further reduce the stray inductance of the power semiconductor module, and improve the efficiency and operation reliability of the power semiconductor module.

【技术实现步骤摘要】
一种功率半导体模块功率端子
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种功率半导体模块功率端子。
技术介绍
对于工作在持续的开关状态的功率半导体模块，其半导体芯片在关断过程中会产生电压尖峰。该电压尖峰由半导体芯片的电流变化率di/dt和换流回路的杂散电感Ls共同确定。若电压尖峰超过半导体芯片的额定电压，则会导致半导体芯片被击穿并且失效，影响功率半导体模块的正常运行。由于提高半导体元件的电流变化率di/dt有利于减小功率半导体模块的开关损耗，以提升功率半导体模块的工作效率，并且减小电压尖峰可帮助提高功率半导体模块允许的最大母线电压，从而提升功率半导体模块的输出功率。因此，减小功率半导体模块内部的杂散电感Ls对于提高功率半导体模块的效率和功率密度十分重要，在设计模块时需着重考虑。现有的功率半导体模块的杂散电感Ls一般包括正负功率端子的杂散电感、模块衬底的杂散电感，以及正负功率端子、模块衬底之间的互感。其中，对于功率端子，现有技术中是采取将正负功率端子的中间部分叠层布置的方式减小功率端子的杂散电感。但采用这种结构时，功率端子用于与外部元器件连接的接触部分，为避免空气击穿和爬电，正负功率端子的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种功率半导体模块功率端子，其特征在于，包括第一功率端子和第二功率端子，所述第一功率端子包括依次连接的第一接触部分、第一中间部分和第一引脚，所述第二功率端子包括依次连接的第二接触部分、第二中间部分和第二引脚；所述第一接触部分与所述第二接触部分平行设置于两个相互平行的平面内，所述第一中间部分与所述第二中间部分分别平行设置于两个相互平行的平面内，所述第一引脚与所述第二引脚平行设置于同一平面内；所述第一中间部分与所述第二中间部分的部分或全部交叠设置；其中，所述第一接触部分设有第一延伸结构，所述第一延伸结构朝向所述第二接触部分设置，所述第二接触部分设有第二延伸结构，所述第二延伸结构朝向所述第一接触...

【技术特征摘要】
1.一种功率半导体模块功率端子，其特征在于，包括第一功率端子和第二功率端子，所述第一功率端子包括依次连接的第一接触部分、第一中间部分和第一引脚，所述第二功率端子包括依次连接的第二接触部分、第二中间部分和第二引脚；所述第一接触部分与所述第二接触部分平行设置于两个相互平行的平面内，所述第一中间部分与所述第二中间部分分别平行设置于两个相互平行的平面内，所述第一引脚与所述第二引脚平行设置于同一平面内；所述第一中间部分与所述第二中间部分的部分或全部交叠设置；其中，所述第一接触部分设有第一延伸结构，所述第一延伸结构朝向所述第二接触部分设置，所述第二接触部分设有第二延伸结构，所述第二延伸结构朝向所述第一接触部分设置，所述第一延伸结构与所述第二延伸结构的部分或全部交叠设置。2.如权利要求1所述的功率半导体模块功率端子，其特征在于，所述第一延伸结构与所述第二延伸结构相互交叠的部分之间设有绝缘层。3.如权利要求1所述的功率半导体模块功率端子，其特征在于，所述第一延伸结构与所述第二延伸结构分别设有绝缘层。4.如权利要求1-3任一项所述的功率半导体模块功率端子，其特征在于，所述第一接触部分和所述第二接触部...

【专利技术属性】
技术研发人员：安冰翀，
申请(专利权)人：臻驱科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31