专用集成电路(ASIC)上的微机电系统(MEMS)技术方案

本申请提供了专用集成电路(ASIC)上的微机电系统(MEMS)。在各实施例中，封装组件可以包括专用集成电路(ASIC)和具有活动端和不活动端的微机电系统(MEMS)。在各实施例中，MEMS可以通过一个或多个互连直接耦合到ASIC。MEMS、ASIC以及一个或多个互连可以定义或构成空腔，以便MEMS的活动部分在空腔内。在某些实施例中，封装组件可以包括通过一个或多个互连中的多个直接耦合到ASIC的多个MEMS。可描述和/或要求保护其它的实施例。

Microelectromechanical systems (MEMS) on ASIC

This application provides microelectromechanical systems (MEMS) on ASIC. In each embodiment, the package assembly may include an application specific integrated circuit (ASIC) and a microelectromechanical system (MEMS) with an active end and an inactive end. In each embodiment, MEMS can be directly coupled to ASIC through one or more interconnections. MEMS, ASIC, and one or more interconnects may define or constitute cavities so that the active parts of the MEMS are in the cavity. In some embodiments, the package assembly may include a plurality of MEMS directly coupled to the ASIC through a plurality of interconnects. Other embodiments can be described and / or required to be protected.

【技术实现步骤摘要】
专用集成电路(ASIC)上的微机电系统(MEMS)本申请是PCT国际申请号为PCT/US2013/048552、国际申请日为2013年6月28日、进入中国国家阶段的申请号为201380033342.7，题为“专用集成电路(ASIC)上的微机电系统(MEMS)”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术的各实施例一般涉及电子设备组件领域，具体来说，涉及用于组装移动设备的封装的方法和设备。
技术介绍
微机电系统(MEMS)是全球半导体行业增长领域。MEMS组件和传感器可以用于快速增长的移动电话和平板行业。在许多产品中，MEMS可以与单独的盖/帽元件进行引线键合。盖/帽元件可能会增大MEMS的封装大小，并要求可能会增大封装的总成本的额外的制造步骤。附图说明图1示出了根据各实施例的带有与专用集成电路(ASIC)耦合的互连的MEMS的俯视图。图2示出了根据各实施例的与ASIC通信耦合的MEMS的活动端的示例配置。图3、4、5、6、7、8和9示出了根据各实施例的多MEMSASIC的示例。图10示出了根据各实施例的用于制造带有MEMS的封装的流程图。图11示意地示出了根据各实施例的计算设备。具体实本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装组件，包括：专用集成电路(ASIC)，所述ASIC具有第一面以及与所述第一面相对的第二面；以及微机电系统(MEMS)，所述MEME具有第一面以及与所述第一面相对的第二面；其中，所述MEMS、所述ASIC以及一个或多个互连构成所述MEMS、所述ASIC以及所述一个或多个互连之间的空腔，使得所述MEMS的第一面被暴露在所述空腔内。

【技术特征摘要】
1.一种封装组件，包括：专用集成电路(ASIC)，所述ASIC具有第一面以及与所述第一面相对的第二面；以及微机电系统(MEMS)，所述MEME具有第一面以及与所述第一面相对的第二面；其中，所述MEMS、所述ASIC以及一个或多个互连构成所述MEMS、所述ASIC以及所述一个或多个互连之间的空腔，使得所述MEMS的第一面被暴露在所述空腔内。2.如权利要求1所述的封装组件，进一步包括与所述ASIC的第一面耦合的一个或多个封装级别互连。3.如权利要求2所述的封装组件，进一步包括与所述ASIC的第二面以及所述MEMS的第一面电耦合的一个或多个管芯级别互连。4.如权利要求3所述的封装组件，其中，所述一个或多个管芯级别互连定位在所述空腔外部。5.如权利要求3所述的封装组件，其中，所述一个或多个管芯级别互连定位在所述空腔内。6.如权利要求3所述的封装组件，其中，所述一个或多个封装级别互连中的一个封装级别互连与所述一个或多个管芯级别互连中的一个管芯级别互连通过硅通孔(TSV)通信耦合。7.如权利要求1-6中的任一项所述的封装组件，其中，所述MEMS具有比所述ASIC的侧区域小的侧区域。8.如权利要求1-6中的任一项所述的封装组件，其中，所述第一面是所述MEMS的活动侧，并且所述第二面是所述MEMS的不活动侧。9.如权利要求1-6中的任一项所述的封装组件，其中，所述MEMS是第一MEMS，并且所述封装组件进一步包括与所述ASIC耦合的第二MEMS。10.如权利要求1-6中的任一项所述的封装组件，其中，所述一个或多个互连包括非导电材料。11.如权利要求1-6中的任一项所述的封装组件，其中，所述一个或多个互连包括导电材料。12.如权利要求1-6中的任一项所述的封装组件，其中，所述空腔暴露于外部大气。13.一种封装组件，包括：专用集成电路(ASIC)，所述ASIC具有第一面以及与所述第一面相对的第二面；微机电系统(MEMS)，所述MEMS具有活动侧以及与所述活动侧相对的不活动侧，所述MEMS的所述活动侧通过一个或多个互连以及一个或多个管芯级别互连与所述ASIC的所述第二面耦合；以及一个或多个封装级别互连，与所述A...

【专利技术属性】
技术研发人员：G·奥夫纳，T·迈尔，R·马恩科波夫，C·盖斯勒，A·奥古斯丁，
申请(专利权)人：英特尔IP公司，
类型：发明
国别省市：美国,US