【技术实现步骤摘要】
一种电磁驱动转印印戳及电磁辅助转印方法
本专利技术属于微纳制造领域，具体涉及柔性电子制备方面基于电磁驱动的转印技术，包括一种电磁驱动转印印戳和电磁辅助转印方法，可用于柔性电子微纳元器件的有序组装。
技术介绍
基于无机半导体材料的电子集成器件具有优良的电学性能，具有高性能、高可靠性等优点，在推动信息技术的发展中起了关键性作用，是现代信息系统中重要的组成部分，对于柔性电子器件有着重要意义。然而，传统刚性的无机集成器件难以承受大变形，不适合与人体等柔软、非平面组织进行集成，这在一定程度上限制了柔性电子技术的发展。针对这一问题，科学家们利用力学结构设计的方法，将无机半导体材料与柔性基体(一般为高分子材料)巧妙地结合，成功实现了整体器件的可弯曲及可延展。无机半导体元件的生长和加工往往需要在高温条件下进行，而柔性基底无法承受高温。因此，需要采用转印方法将功能单元从传统的生长基体转移到柔性基体。现有的转印方法主要有运动控制转印、剪切辅助转印、激光辅助转印、软印戳表面引入微结构、基于智能材料的转印等。这些转印方法的工作机理是借助于印戳的材料特性，结构和载荷特点来调控界面粘附作用，...
【技术保护点】
1.一种电磁驱动转印印戳，其特征在于：在高聚物印戳基体上制作梯形空腔，形成印戳主体，梯形空腔内部充满液体，顶部由磁性复合薄膜密封，梯形空腔底部为印戳空腔底膜。
【技术特征摘要】
1.一种电磁驱动转印印戳，其特征在于：在高聚物印戳基体上制作梯形空腔，形成印戳主体，梯形空腔内部充满液体，顶部由磁性复合薄膜密封，梯形空腔底部为印戳空腔底膜。2.一种采用权利要求1所述的电磁驱动转印印戳实现的电磁辅助转印方法，其特征在于步骤如下：步骤1：将电磁驱动印戳1底部与赠体9上的电子元器件7接触，使得电磁驱动印戳1底部空腔6与电子元器件7之间形成密闭空间；步骤2：向电磁驱动印戳1施加向上的电磁场10，在磁场力的作用下，使得空腔顶部磁性复合薄膜3发生上凸弯曲变形；然后磁性复合薄膜3驱动空腔底膜4发生上凸弯曲变形；这样减小了底部空腔6电子元器件7之间密闭空间的压强，使得电磁驱动印戳1完成对电子元器件7的吸附，实现上墨的过程；上墨过程中，电磁驱动力ΔP和空腔底膜4变形的最大位移值wbot的关系为：式中，h为薄膜的厚度，Rb...
【专利技术属性】
技术研发人员：于庆民，陈福荣，周红磊，
申请(专利权)人：西北工业大学，
类型：发明
国别省市：陕西,61
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